‌DRV8262 电机驱动器技术手册总结

该DRV8262是一款宽电压、高功率、H桥电机驱动器，适用于各种工业应用。该器件集成了两个 H 桥，用于驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。该DRV8262在双 H 桥模式下支持高达 16A 的峰值电流，在单 H 桥模式下支持高达 32A 的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出和保护电路。

高侧 MOSFET 上的集成电流检测允许驱动器在启动和高负载事件期间调节电机电流。电流限制可以通过可调节的外部基准电压源进行设置。该器件还为每个 H 桥提供与电机电流成正比的输出电流。集成传感消除了对分流电阻器的需求，从而减少了电路板面积和系统成本。

提供低功耗睡眠模式以实现超低静态电流。为电源欠压锁定 （UVLO）、电荷泵欠压 （CPUV）、输出过流 （OCP） 和器件过热 （OTSD） 提供内部保护功能。
*附件：drv8262.pdf

特性

• • 单或双 H 桥电机驱动器
  • 驱动一个或两个有刷直流电机
  • 一个步进电机
  • 一个或两个热电冷却器 （TEC）
• 4.5V 至 60V 工作电源电压范围
• 低 RDS（ON）：
  • 100mΩ HS + LS（双 H 桥）
  • 50mΩ HS + LS（单 H 桥）
• 高输出电流能力：
  • 双 H 桥（24V，25 °C）：
    • 8A 峰值，采用 DDW 封装
    • 16A 峰值，采用 DDV 封装
  • 单 H 桥（24V，25 °C）：
    • 16A 峰值，采用 DDW 封装
    • 32A 峰值，采用 DDV 封装
• 可编程作接口 -
  • 相位/使能 （PH/EN）
  • PWM（输入/输入）
• 集成电流检测和调节
  • 用于高侧MOSFET的电流检测
  • 每个 H 桥的检测输出 （IPROPI）
  • ± 最大电流下 4% 的检测精度
• 独立逻辑电源电压 （VCC）
• 可配置的关断时间PWM斩波
  • 7、16、24 或 32μs
• 可编程故障恢复方法
• 支持 1.8V、3.3V、5.0V 逻辑输入
• 低电流睡眠模式 （3μA）
• 保护功能
  • VM 欠压锁定 （UVLO）
  • 电荷泵欠压 （CPUV）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （OTSD）
  • 故障条件输出 （nFAULT）

参数

方框图

‌1. 产品概述‌

• ‌型号‌：DRV8262，60V单/双H桥电机驱动器，集成电流检测输出。
• ‌版本‌：SLVSFV5C（2023年7月发布，2025年7月修订）。
• ‌应用领域‌：
  • 有刷直流电机、步进电机、热电制冷器（TEC）。
  • 工业自动化、医疗设备、ATM机、机器人等。

‌2. 关键特性‌

• ‌电压范围‌：4.5V至60V工作电压。
• ‌输出电流能力‌：
  • ‌双H桥模式‌：8A（DDW封装）/16A（DDV封装）峰值电流。
  • ‌单H桥模式‌：16A（DDW）/32A（DDV）峰值电流。
• ‌低导通电阻‌：
  • 双H桥：100mΩ（高边+低边）；单H桥：50mΩ。
• ‌集成电流检测‌：
  • 高边MOSFET电流镜像输出（IPROPI引脚），精度±4%。
• ‌保护功能‌：
  • 欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）、热关断（OTSD）、故障输出（nFAULT）。
• ‌低功耗模式‌：睡眠模式电流仅3µA。

‌3. 功能描述‌

• ‌工作模式‌：
  • ‌双H桥‌：驱动2个有刷电机或1个步进电机。
  • ‌单H桥‌：并联输出，支持更高电流负载。
• ‌控制接口‌：
  • 支持PWM（IN/IN）或相位/使能（PH/EN）模式，通过MODE1/MODE2引脚配置。
• ‌电流调节‌：
  • 通过VREF引脚和外部电阻（RIPROPI）设置电流斩波阈值（ITRIP）。
• ‌衰减模式‌：
  • 支持慢衰减、混合衰减（30%快衰减）、智能动态衰减（自动优化）。

‌4. 封装与热管理‌

• ‌封装选项‌：
  • ‌DDW‌：底部散热焊盘HTSSOP-44（14mm×6.1mm）。
  • ‌DDV‌：顶部散热焊盘HTSSOP-44（支持外接散热器）。
• ‌热性能‌：
  • DDW封装RθJA为22.2°C/W（4层PCB），需优化布局以降低温升。

‌5. 典型应用‌

• ‌有刷电机驱动‌：支持双向控制，集成电流反馈。
• ‌步进电机驱动‌：双H桥模式，支持微步进和动态衰减。
• ‌TEC驱动‌：LC滤波降低纹波，IPROPI实现闭环控制。

‌6. 设计注意事项‌

• ‌布局建议‌：
  • VM引脚就近放置0.01µF陶瓷电容和 bulk电容。
  • 散热焊盘需充分连接至地平面（多via设计）。
• ‌功率损耗计算‌：
  • 传导损耗（RDS(ON)）、开关损耗（tRF）、静态损耗（IVM）需综合评估。