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‌MCF8316C-Q1 传感器磁场定向控制(FOC)集成FET BLDC驱动器技术文档总结

科技绿洲 2025-10-13 09:57 次阅读
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MCF8316C-Q1 为驱动峰值电流高达 8A 的速度控制 12 至 24V 无刷直流电机BLDC) 或永磁同步电机 (PMSM) 的客户提供单芯片、无代码无传感器 FOC 器件。MCF8316C-Q1集成了三个1/2桥,具有40 V绝对最大能力和95 mΩ的极低R DS(ON)(高侧+低侧FET)。MCF8316C-Q1集成了电源管理电路,包括电压可调降压稳压器(3.3 V/5 V,170 mA)和LDO(3.3 V/20 mA),可用于为外部电路供电。
*附件:mcf8316c-q1.pdf

FOC算法配置可以存储在非易失性EEPROM中,这允许器件在配置器件后独立运行。该器件通过PWM输入、模拟电压、变频方波或I 2C命令接收速度命令。MCF8316C-Q1 中集成了大量保护功能,旨在保护设备、电机和系统免受故障事件的影响。

特性

  • 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用
    • 温度等级 1 : –40 °C ≤ T A ≤ 125 °C
  • 具有集成无传感器电机控制算法的三相BLDC电机驱动器
    • 无代码磁场定向控制 (FOC)
    • 使用电机参数提取工具 (MPET) 进行离线电机参数测量
    • 支持 5 点可配置速度配置文件
    • 通过正向再同步和反向驱动支持风车
    • 基于模拟、PWM、频率或 I 2C 的速度输入
    • 可配置的电机启动和停止选项
    • 抗电压浪涌 (AVS) 保护
    • 通过软启动、软停止和死区时间补偿提高声学性能
    • 通过DACOUT引脚进行可变监控
  • 4.5 至 35V 工作电压(最大 40V 绝对值)
  • 高输出电流能力:8A 峰值
  • MOSFET 导通电阻
    • T A = 25°C 时的 R DS(ON) (HS + LS) : 95mΩ (典型值)
  • 低功耗睡眠模式:参考
    • V VM = 24V,T A = 25°C时为5μA(最大值)
  • 速度环路精度:3%(内部时钟)和1%(外部时钟基准)
  • 客户可配置的非易失性存储器 (EEPROM) 用于存储器件配置
  • 支持高达 60kHz 的 PWM 频率,支持低电感电机
  • 不需要外部电流检测电阻;使用内置电流检测
  • 内置 3.3V、20mA LDO 稳压器
  • 内置3.3V/5V、170mA降压稳压器
  • 用于禁用 (Hi-Z) 输出的专用 DRVOFF 引脚
  • 用于缓解 EMI 的扩频和压摆率
  • 集成保护功能套件
    • 电源欠压锁定 (UVLO)
    • 电源过压保护 (OVP)
    • 电机锁检测(5 种不同类型)
    • 过流保护 (OCP)
    • 热警告和关断 (OTW/TSD)
    • 故障状态指示引脚 (nFAULT)
    • 通过 I 2C 接口进行可选故障诊断

参数

image.png

1. 核心特性

  • 汽车级认证‌:符合AEC-Q100 Grade-1标准(-40°C至125°C工作温度)。
  • 集成传感器FOC算法‌:无需编程,支持离线电机参数提取工具(MPET),5点可配置速度曲线,支持模拟/PWM/频率/I2C速度输入。
  • 宽电压范围‌:4.5V至35V工作电压(峰值40V),8A峰值输出电流,集成95mΩ RDS(ON) MOSFET(高边+低边)。
  • 低功耗设计‌:睡眠模式电流<5µA(24V供电时),支持自动休眠功能。
  • 集成电源管理‌:
    • 3.3V/5V可调降压稳压器(170mA)
    • 3.3V LDO稳压器(20mA)
  • 保护机制‌:欠压锁定(UVLO)、过压保护(OVP)、5种电机堵转检测、过流保护(OCP)、热警告/关断(OTW/TSD)。

2. 关键功能

  • 电机控制模式‌:
    • 速度控制‌(闭环PI调节,精度±1%外部时钟参考)
    • 扭矩控制‌(直接设置Iq_ref)
  • 启动选项‌:对齐启动、双对齐启动、初始位置检测(IPD)、慢速首周期启动。
  • 动态控制‌:
    • 主动制动(防电压浪涌)
    • 反向驱动支持(快速方向切换)
  • 通信接口‌:I2C配置与诊断,支持非易失性EEPROM存储参数。

3. 典型应用

  • 汽车‌:散热风扇、鼓风机模块
  • 工业与家电‌:空气净化器、洗碗机水泵、CPAP呼吸机
  • 低电感电机支持‌:PWM频率可配置至60kHz。

4. 设计要点

  • 布局建议‌:
    • VM引脚需就近放置0.1µF陶瓷电容+大容量储能电容。
    • 散热设计:40引脚VQFN封装(7mm×5mm),热阻25.7°C/W(结到环境)。
  • 参数配置‌:
    • 电机电阻(RPH)、电感(LPH)、反电动势常数(KtPH_N)可通过MPET自动测量或手动配置。
    • 速度环PI参数(SPD_LOOP_KP/KI)需根据负载惯性调整。

5. 保护与诊断

保护类型触发条件响应措施
欠压锁定(UVLO)VM < 4.3V(下降阈值)MOSFET关断,自动恢复
过流保护(OCP)相电流 > 22A(可配置)重试或锁存(需CLR_FLT清除)
电机堵转检测速度异常/BEMF异常可配置为刹车、Hi-Z或继续运行
热关断(TSD)结温 > 175°C(FET)立即关断,冷却后自动恢复
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