0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

IBM分享混合键合新技术

旺材芯片 来源:半导体行业观察 2023-06-14 17:46 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

几十年来,计算机已经从占据整个房间的机器缩小到可以戴在手腕上的设备。研究人员专注于增加单个计算机芯片上晶体管数量的密度,并且通常依赖 SOC(或片上系统)来降低成本并使设备更紧凑。但是我们开始接近我们可以将芯片的某些部分做得多小的物理极限,而其他部分在某些用例中也同样有效,即使它们不是最小的、最前沿的设计。

这就是芯片封装的重要性所在。封装是在芯片或电路板上连接集成电路的过程,随着电子设备的缩小和芯片组件本身变得越来越小,封装变得越来越复杂。IBM 于 2021 年宣布了一款组件尺寸仅为 2 纳米的芯片。随着半导体行业转向新的芯片构造方法,封装技术的进步将变得越来越重要。这种转变的一个关键部分是小芯片技术的兴起。

对小芯片的研究表明了计算的未来可能是什么样子。有许多新兴用例(如训练和运行复杂的 AI基础模型)可以从新芯片设计中受益,而不是专注于构建单片 SOC。chiplet 背后的概念有效地将 SOC 分解成多个复合部分(如 GPUCPU、I/O 和内存),并构建对特定任务更有效的 chiplet 系统。

人工智能而言,你可以构建一个小芯片系统,将处理单元、人工智能加速器和内存堆栈结合在一起,所有这些都在通信和共享数据,就好像它们都在同一个芯片上一样。

将小芯片从研究转向生产需要克服的最大障碍之一是小芯片在封装过程中粘合在一起的方式。迄今为止,大多数设计都使用位于金属焊盘顶部的焊料或焊料和铜的组合将小芯片连接在一起。这些方法导致键合在 150 到 30 微米之间,需要非常紧密的焊接才能有效。但是 IBM 和 ASMPT(半导体生产硬件和软件的主要供应商)的一组研究人员一直在研究一种新的方法来结合小芯片,从而大大减少空间量。

在本周于 2023 年 IEEE 电子元器件与技术会议 (ECTC) 上发表的一篇论文中,1个研究人员概述了他们的混合键合概念。他们的方法在不使用焊料的情况下,将铜和氧化物熔合在只有几个原子厚的层中。结果是小芯片之间的键合仅为 0.8 微米左右,比目前正在测试的其他方法要薄得多。

新的混合键合方法有可能增加小芯片之间的数据吞吐量,以及可以安装在给定空间中的小芯片数量,从而使小芯片系统更像单个 SOC。例如,它对于将 chiplet 技术集成到更小的设备以及提高 chiplet 的性能或其能效具有重大意义。

在团队的方法中,最艰巨的挑战是确保粘合牢固,以极小的规模去除潜在的水分或气泡。粘合层之间只有三个水分子就足以破坏层与层之间的连接。消除这种危险以及气泡,同时保持粘合在一起的各层表面清洁——并确保这一过程能够可靠地一次又一次地进行——是该团队在研究中寻求克服的主要挑战。

该团队的方法类似于芯片晶圆的键合方式,这是目前的标准行业惯例——只是规模相当小——他们一直在使用专为芯片到晶圆键合而设计的 ASMPT 机器来执行他们的测试。虽然该团队认为他们的方法可以大规模构建小芯片并将其结合在一起,但在研究 ASMPT 系统的工具方面还需要做更多的工作。

未来的系统将需要新的方法来解决计算问题,因为它们变得更加复杂和多样化,而小芯片提供了解决这些问题的潜在途径。通过混合键合,创建的系统就好像它们是单个芯片的一部分一样,未来变得更加清晰。





审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 加速器
    +关注

    关注

    2

    文章

    841

    浏览量

    40308
  • 封装技术
    +关注

    关注

    12

    文章

    605

    浏览量

    69400
  • SoC设计
    +关注

    关注

    1

    文章

    151

    浏览量

    19633
  • 人工智能
    +关注

    关注

    1821

    文章

    50530

    浏览量

    267806
  • chiplet
    +关注

    关注

    6

    文章

    501

    浏览量

    13672

原文标题:IBM,分享混合键合新技术

文章出处:【微信号:wc_ysj,微信公众号:旺材芯片】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    软基材上的引线键合技术详解

    传统的厚膜混合电路使用陶瓷基板,焊盘直接在陶瓷基材上涂覆一层Au或者Ag(合金)厚膜层。
    的头像 发表于 05-14 11:42 357次阅读
    软基材上的引线<b class='flag-5'>键合</b><b class='flag-5'>技术</b>详解

    混合良率卡脖子?屹立芯创SRS:预与退火之间的关键一步

    很多人误以为,高温退火能 “一解决” 所有界面问题。但事实恰恰相反:退火只能优化 “合格的预界面”,无法修复 “预留下的创伤”。常
    的头像 发表于 04-27 15:13 215次阅读
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b>良率卡脖子?屹立芯创SRS:预<b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b>与退火之间的关键一步

    高频超声键合技术:引线键合工艺优化与质量检测方法

    一、 什么是 高频超声键合 ? 高频超声键合是指将超声频率提升至100kHz~250kHz范围内进行的引线键合工艺,相较于传统60kHz超声键合技术
    的头像 发表于 04-01 10:19 212次阅读
    高频超声<b class='flag-5'>键合</b><b class='flag-5'>技术</b>:引线<b class='flag-5'>键合</b>工艺优化与质量检测方法

    NTC热敏芯片工艺介绍

    随着半导体技术的持续创新及进步,NTC热敏芯片工艺也不断发展。目前,芯片工艺为顺应行业发展需求,正逐步往高度集成、低功耗、高可靠的方
    的头像 发表于 02-24 15:42 561次阅读

    详解芯片制造中的金属中间层技术

    金属中间层技术涵盖金属热压、金属共晶、焊
    的头像 发表于 01-16 12:55 840次阅读
    详解芯片制造中的金属中间层<b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>技术</b>

    芯片工艺技术介绍

    Bonding),而先进方法主要指IBM在1960年代开发的倒装芯片(Flip Chip)。倒装芯片结合了模具
    的头像 发表于 10-21 17:36 3303次阅读
    芯片<b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b>工艺<b class='flag-5'>技术</b>介绍

    详解先进封装中的混合技术

    在先进封装中, Hybrid bonding( 混合)不仅可以增加I/O密度,提高信号完整性,还可以实现低功耗、高带宽的异构集成。它是主要3D封装平台(如台积电的SoIC、三星的X-Cube
    的头像 发表于 09-17 16:05 3131次阅读
    详解先进封装中的<b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>技术</b>

    芯片制造中的技术详解

    技术是通过温度、压力等外部条件调控材料表面分子间作用力或化学,实现不同材料(如硅-硅、硅-玻璃)原子级结合的核心工艺,起源于MEMS领域并随SOI制造、三维集成需求发展,涵盖直接
    的头像 发表于 08-01 09:25 2702次阅读
    芯片制造中的<b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>技术</b>详解

    3D集成赛道加速!混合技术开启晶体管万亿时代

    当传统制程微缩逼近物理极限,芯片巨头们正在另一条赛道加速冲刺——垂直方向。Counterpoint Research最新报告指出,混合(Hybrid Bonding) 技术已成为实
    的头像 发表于 07-28 16:32 648次阅读

    铝丝的具体步骤

    铝丝常借助超声楔焊技术,通过超声能量实现铝丝与焊盘的直接。由于
    的头像 发表于 07-16 16:58 2317次阅读

    LG电子重兵布局混合设备研发,锁定2028年大规模量产目标

    近日,LG 电子宣布正式启动混合设备的开发项目,目标在 2028 年实现该设备的大规模量产,这一举措标志着 LG 电子在半导体先进封装领域迈出了重要一步。混合
    的头像 发表于 07-15 17:48 898次阅读

    混合(Hybrid Bonding)工艺介绍

    所谓混合(hybrid bonding),指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合
    的头像 发表于 07-10 11:12 4346次阅读
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b>(Hybrid Bonding)工艺介绍

    从微米到纳米,铜-铜混合重塑3D封装技术格局

    电子发烧友网综合报道 半导体封装技术正经历从传统平面架构向三维立体集成的革命性跃迁,其中铜 - 铜混合技术以其在互连密度、能效优化与异构
    发表于 06-29 22:05 1952次阅读

    混合工艺介绍

    所谓混合(hybrid bonding),指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合
    的头像 发表于 06-03 11:35 3079次阅读
    <b class='flag-5'>混合</b><b class='flag-5'>键</b><b class='flag-5'>合</b>工艺介绍

    混合市场空间巨大,这些设备有机会迎来爆发

    电子发烧友综合报道  作为HBM和3D NAND的核心技术之一,混合合在近期受到很多关注,相关设备厂商尤其是国产设备厂商的市场前景巨大。那么混合
    的头像 发表于 06-03 09:02 3536次阅读