NTC热敏芯片键合工艺介绍

NTC热敏芯片键合工艺

随着半导体技术的持续创新及进步，NTC热敏芯片键合工艺也不断发展。目前，芯片键合工艺为顺应行业发展需求，正逐步往高度集成、低功耗、高可靠的方向前进。为了让大家更充分地了解NTC芯片键合工艺，EXSENSE为大家介绍一些热敏芯片键合工艺：

一、回流焊

该焊接工艺的焊料一般为锡膏或锡片，主要通过回流温度曲线使焊料熔接NTC热敏芯片和基板。一般地，锡膏及锡片都含有助焊剂，也有客户会根据实际情况额外涂覆助焊剂帮助焊接。回流焊工艺既可在空气中焊接，也可在氮气中焊接，甚至还有在还原气氛（如氢气、甲酸等）中焊接。因NTC芯片包含陶瓷体在内的部分组成为氧化物，因此在还原气氛中焊接需要注意起对NTC芯片的损伤程度。

回流焊工艺生产效率高、工艺简单，被广泛使用于电子集成行业。尤其是IGBT行业，其目前仍是主流的芯片键合工艺。不同的客户其回流焊工艺亦有所不同，但总体还是分为预热—焊接—冷却三个阶段。使用回流焊工艺，需注意以下几点：

1、回流焊焊接时间过长容易导致NTC热敏芯片的电极析出（吃银），其不良表现为电阻值增大；

2、回流温度曲线的温度上升/下降速率过快时，所形成的较强温度冲击会导致热敏芯片开裂，其不良表现为电阻值增大；

3、锡膏或锡片过多会导致NTC芯片侧面形成旁路，其不良表现为电阻值减小。

二、银胶/银膏固化

该焊接工艺主要通过导电银胶/银膏内部的两个主要组成部分——导电填料（导电粒子）及基体树脂的相互结合，从而形成导电通路以实现NTC热敏芯片与基板的导电连接。因导电银胶/银膏主要依靠内部基体树脂进行固化，故其固化温度不会过高，常见的温度为100℃、150℃。使用银胶/银膏固化工艺，需注意以下几点：

1、导电银胶/银膏溢出过多，沾到热敏芯片的侧面陶瓷体会导致电阻值减小；

2、导电银胶/银膏中的环氧树脂属于高分子材料，高温会让其变性并劣化NTC芯片，导致电阻值漂移增大。

三、银烧结

该焊接工艺主要是将银颗粒制成纳米级别并加压，使其在较低温度中烧结成为高导电性的固体。要保证烧结致密性，需一定的温度及压强，一般压强为15~20MPa，温度一般为250~300℃，而烧结气氛多为真空或氮气。因银烧结需施加较大压力，因此对于NTC热敏芯片的平整度要求、抗压能力要求较高。