美光预测AI需求将大幅增长,计划2025年投产EUV DRAM

随着人工智能技术日益普及，从云端服务器拓展至消费级设备，对高级内存的需求持续攀升。鉴于此趋势，美光科技已将其高带宽内存（HBM）的全部产能规划至2025年。美光科技的中国台湾业务负责人兼公司副总裁Donghui Lu指出，公司正积极应对AI需求的激增，并预测到2025年，其产品性能将实现显著提升。

Donghui Lu特别提到，大型语言模型的涌现，对内存及存储解决方案提出了前所未有的需求。作为存储领域的领军企业之一，美光科技完全具备把握这一增长机遇的能力。尽管近期AI领域的投资激增，主要用于新建支持大型语言模型的数据中心，但这一基础设施仍在逐步完善中，预计需数年时间才能全面成型。

美光科技预计，AI的下一波增长将源自其在智能手机、个人电脑等消费设备中的广泛应用。这一趋势将促使存储容量大幅提升，以更好地支撑AI应用的运行。Donghui Lu介绍称，HBM融合了先进封装技术，集成了前端（晶圆制造）与后端（封装和测试）工艺，为行业带来了新的挑战。

在竞争激烈的存储市场中，企业研发与推出新产品的速度至关重要。Donghui Lu解释说，HBM的生产可能会对传统内存生产造成冲击，因为每个HBM芯片都需要多个传统内存芯片，这可能会对整体行业产能构成压力。他强调，内存行业供需之间的微妙平衡是亟待解决的关键问题，并警告称，生产过剩可能引发价格战，进而导致行业衰退。

Donghui Lu还着重强调了中国台湾在美光AI业务中的核心地位，指出公司在中国台湾的研发团队与制造设施对于HBM3E的开发与生产具有举足轻重的作用。美光的HBM3E产品通常与台积电的CoWoS技术相结合，这种紧密合作带来了显著优势。

鉴于极紫外光刻（EUV）技术对于提升存储芯片性能与密度的重要性，美光已决定推迟在1α和1β节点的应用，转而优先关注性能与成本效益。Donghui Lu指出，EUV设备成本高昂且技术复杂，需要制造过程进行重大调整以适应。美光的主要目标是以具有竞争力的成本生产高性能存储产品，推迟采用EUV将有助于更有效地实现这一目标。

美光一直声称，其8层和12层HBM3E产品的功耗比竞争对手低30%。公司计划于2025年在中国台湾大规模生产采用EUV技术的1γ节点产品。此外，美光还计划在日本广岛工厂引入EUV技术，尽管时间稍晚。