中国抢进DRAM存储器 海力士恐成最大潜在受害者

　　工研院 IEK认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM已势在必行，未来若中国大陆成功抢进DRAM领域，预期海力士恐将是最大潜在受害者。

　　联电接受中国大陆福建省晋华集成电路委托，开发动态随机存取存储器（DRAM）相关制程技术，引起各界关注。

　　工研院产业经济与趋势研究中心（IEK）电子与系统研究组副组长杨瑞临认为，为替代进口，中国大陆发展DRAM似乎已势在必行。

　　杨瑞临指出，中国大陆目前至少有 5家厂商规划投入DRAM发展，除这次委托联电开发技术的晋华外，还有武汉新芯，中芯也传将重操旧业，浪潮集团也可能抢进DRAM领域。

　　如何取得技术是中国大陆发展DRAM的关键，杨瑞临认为，中国大陆可能采取 3个策略，其一是寻求与现有DRAM厂合作，或是自日本找专家，或来***找技术。

　　对于联电为晋华开发DRAM制程技术，杨瑞临认为，与其DRAM人才被中国大陆挖角，联电为大陆厂商开发技术，不仅研发活动仍留在***，不须承担市场激烈竞争风险，还有技术授权金入帐，未尝不是件好事。

　　杨瑞临说，未来若中国大陆厂商成功抢进DRAM市场，预期海力士恐将首当其冲，将是最大潜在受害者。