0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SK海力士16GB LPDDR5T内存发货,中国手机厂商首发

半导体产业纵横 来源:半导体产业纵横 2023-11-14 17:52 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

消费电子终于回暖了?

SK海力士表示,其最新款16G LPDDR5T芯片组合将装备于并支持Vivo的最新款智能手机X100和X100 Pro。SK海力士表示,LPDDR5T产品是当前处理智能手机或平板电脑数据最快的存储芯片,可实现每秒9.6Gpbs(每秒9.6千兆)的传输速度。LPDDR5T的16 GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织(JEDEC)规定的最低电压1.01至1. 12V(伏特)标准范围下运行。该产品的数据处理速度为每秒77GB,相当于每秒可传输15部全高清(Full-HD,FHD)电影。

vivo X100系列将会首发LPDDR5T内存,已在天玑9300平台完成性能验证。这意味着vivo X100系列将拥有联发科天玑9300处理器+LPDDR5T新内存+UFS 4.0闪存的配置。值得注意的是,LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机,还能扩展到人工智能AI)、机器学习(ML)、以及增强/虚拟现实(AR/VR)。

SK海力士10月表示,得益于面向AI应用和高端手机的高带宽内存3和双倍数据速率5芯片等高端产品的热销,其动态随机存储器(DRAM)业务在7-9月份结束了连续两个季度的亏损。该公司表示,预计未来几个季度DRAM业务将继续改善。

SK海力士表示:“随着人工智能技术的快速发展,智能手机逐渐成为搭载端侧AI技术的重要设备。市场对高性能、大容量的移动DRAM产品需求日益增长。凭借人工智能存储器领域的技术领先优势,公司将继续迎合市场需求,引领高端DRAM市场。”

出于对未来的乐观看法,SK海力士已拟定明年的资本支出额约为10兆韩元,较今年资本支出额增加43%~67%。新增的资本支出主要将用于建造HBM3、DDR5及LPDDR5等先进DRAM芯片的设施。SK海力士预估AIGC将带动未来五年的HBM芯片销售年均成长60%~80%。同时,SK 海力士的营业利润也可望有好转,今年营业赤字预测值为8.43 兆韩元,但明年的营业利润预测值为8.44 兆韩元。

SK海力士已开始将新型先进制程移动芯片发货给vivo,这是全球存储芯片需求复苏的最新迹象。根据市场调查企业TrendForce透露,三星电子在今年第四季将NAND 的价格上调10 ~ 15%,预计明年上半年还会再成长10% 至20%。

NAND 价格实际已进入上升趋势,市场调查企业DRAMeXchange 透露,10 月份用于记忆卡和USB 设备的128GB NAND 价格上涨1.59%,为2021 年7 月以来首次反弹。智能手机和个人电脑的出货量也有成长的迹象。根据KB 证券预测,明年智能手机和个人电脑的出货量将分别达到12 亿台和2.6 亿台,年增5%。

对于智能手机,预期是累积的替换需求和中国移动市场需求的复苏将推动成长。至于个人电脑,预计由于2025 年停止支援“Windows 10”的影响,将出现企业个人电脑更换需求。

报道指出,特别是,美国扩大芯片出口限制导致中企增加库存,这被视为一大利好,随着他们扩大订单,这支持存储价格上涨。随着DRAM 价格的上涨,NAND 的价格也在上涨,三星电子和SK 海力士的财务状况有望加速复原。

到今年第三季为止,三星电子在半导体领域的累积亏损达到了12.69 兆韩元,但预计三星电子的业绩将大幅改善。分析师预估,今年三星全年营业利润的共识为7.23 兆韩元,明年预计将飙升至33.9 兆韩元,增幅高达为368.7%。三星电子表示,对于个人电脑和移动设备来说,换机周期的到来以及高密度趋势的持续增长会提振需求。三星电子预计,第四季度存储价格将环比上涨。

预计2024年智能手机市场需求将反弹。在服务器方面,由于人工智能需求增加和客户库存水平正常化,预计需求将逐渐恢复。不过,需要持续观察影响服务器需求的不确定因素,例如基于宏观环境的IT投资变化、AI投资以及地缘冲突问题。

存储芯片回暖还体现在韩国的出口数据的变化。韩国关税厅11月13日发布的初步统计数据显示,韩国11月前10天的出口额同比增长3.2%,为182.37亿美元。截至9月,月度出口额已连续一年同比减少,上月由负转正。11月前10天的开工日数为8.5天,同比持平,日均出口额同比增加3.2%。

具体来看,半导体芯片出口增加1.3%,以每月上旬为准,这是近14个月以来的首次正增长。另外,对华出口同比下滑0.1%,连续17个月保持减势。同期,进口额同比增加1.2%,为199.77亿美元。贸易收支出现17.41亿美元逆差,逆差规模较去年同期(53.91亿美元)收窄。今年以来的累计逆差为198.52亿美元。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7756

    浏览量

    172179
  • 机器学习
    +关注

    关注

    67

    文章

    8562

    浏览量

    137211
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    1011

    浏览量

    41900

原文标题:SK海力士16GB LPDDR5T内存发货,中国手机厂商首发

文章出处:【微信号:ICViews,微信公众号:半导体产业纵横】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    192GBSK海力士开始为英伟达Vera Rubin量产SOCAMM2

    电子发烧友网报道(文 / 吴子鹏)日前,SK 海力士宣布正式量产基于第六代 10 纳米级(1c)LPDDR5X DRAM 的 192GB 容量 SOCAMM2(Small Outlin
    的头像 发表于 04-21 15:54 7254次阅读

    SK海力士正式量产基于1c LPDDR5X的192GB容量SOCAMM2

    SK海力士20日宣布,正式量产基于第六代10纳米级(1c)LPDDR5X低功耗DRAM的192GB(千兆字节)容量SOCAMM2产品。   SOCAMM2*是一款将主要适用于智能
    的头像 发表于 04-20 10:27 1215次阅读

    苹果深陷“内存荒”:Mac mini/Studio发货延迟最长达5个月

    电子发烧友网报道(文/吴子鹏)当前,全球 DRAM 供应正陷入十年来最严重的短缺。受 AI 服务器对 HBM(高带宽内存)需求爆发式增长的影响,三星、SK 海力士厂商大幅转移产能。受
    的头像 发表于 04-10 10:16 2767次阅读

    SK海力士携AI存储器产品亮相NVIDIA GTC 2026

    韩国首尔,2026年3月17日——SK海力士(简称‘公司’,https://www.skhynix.com)17日宣布,将于3月16日至19日(当地时间)参加在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026(GPU技术大会
    的头像 发表于 03-17 16:54 692次阅读
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>携AI存储器产品亮相NVIDIA GTC 2026

    KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!

    据韩国经济日报报道,SK海力士近日在IEEE(电气与电子工程师协会)全球半导体大会上发表论文,提出了一种全新的存储架构。据悉,该架构名为“H³(hybrid semiconductor
    的头像 发表于 02-12 17:01 7748次阅读
    KV缓存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!

    长鑫存储DDR5/LPDDR5X双芯亮相,火力全开!

    域的高端市场需求。   长鑫存储LPDDR5X产品是中国首个自主研发的LPDDR5X。其最高速率10667Mbps,最高颗粒容量16Gb,并涵盖12
    的头像 发表于 11-25 08:27 9125次阅读
    长鑫存储DDR<b class='flag-5'>5</b>/<b class='flag-5'>LPDDR5</b>X双芯亮相,火力全开!

    SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    电子发烧友网综合报道,据韩媒报道,存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。   SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划,该技术
    的头像 发表于 11-14 09:11 4097次阅读
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺

    SK海力士发布未来存储路线图

    电子发烧友网综合报道,近日,韩国首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上,SK海力士CEO郭鲁正(Kwak Noh-Jung)正式宣布了公司向 “全线AI存储创造者”(Full
    的头像 发表于 11-08 10:49 3872次阅读

    长鑫存储LPDDR5X来了!速率高达10667Mbps,跻身国际主流水平!

    和优化的内存设计,长鑫存储 LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升,目前提供12Gb16Gb两种单颗粒容量,最高速率达到10667Mbps,达到国际主流水平,较上一代
    的头像 发表于 10-30 09:12 6612次阅读
    长鑫存储<b class='flag-5'>LPDDR5</b>X来了!速率高达10667Mbps,跻身国际主流水平!

    SK海力士ZUFS 4.1闪存,手机端AI运行时间缩短47%!

    电子发烧友网综合报道,SK海力士宣布,已正式向客户供应其全球率先实现量产的移动端NAND闪存解决方案产品ZUFS 4.1。   SK海力士通过与客户的密切合作,于今年6月成功完成了该产
    的头像 发表于 09-19 09:00 4191次阅读

    SK海力士在微细工艺技术领域的领先实力

    SK海力士的成功神话背后,离不开众多核心技术的支撑,其中最令人瞩目的便是“微细工艺”。通过对肉眼难以辨识的微细电路进行更为精细化的处理,SK海力士凭借压倒性的技术实力,引领着全球半导体
    的头像 发表于 07-03 12:29 2059次阅读

    SK海力士HBM技术的发展历史

    SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK
    的头像 发表于 06-18 15:31 2294次阅读

    SK海力士宋清基TL荣庸发明日铜塔产业勋章

    SK海力士宣布,5月19日于首尔COEX麻谷会展中心举行的“第60届发明日纪念仪式”上,来自HBM开发部门的宋清基TL荣庸铜塔产业勋章。
    的头像 发表于 06-03 09:36 1279次阅读

    SK海力士如何成为面向AI的存储器市场领跑者

    近年来,SK海力士屡获创新成果,这些成就皆得益于“一个团队”协作精神(One Team Spirit)”。无论是创下历史最佳业绩、开发出全球领先产品,还是跃升成为全球顶级面向AI的存储器供应商,这些
    的头像 发表于 05-23 13:54 1925次阅读

    英伟达供应商SK海力士盈利大增158%

    得益于AI需求的有力推动;高带宽内存(HBM)需求持续暴涨,这带动了英伟达供应商SK海力士盈利大增158%。 据SK海力士公布的财务业绩数据
    的头像 发表于 04-24 10:44 1732次阅读