美光已流片第一批第四代3DNAND存储芯片 有望在2020年生产商用第四代3DNAND内存

美光科技已经流片第一批第四代3D NAND存储芯片，它们基于美光全新的RG架构。该公司有望在2020年生产商用第四代3D NAND内存，但美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多达128个有源层，并在阵列设计方法上继续使用CMOS。新型3D NAND存储器改变了用于栅替换的浮栅技术，以试图降低尺寸和成本，同时提高性能，并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发，没有英特尔任何投入，因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用量身定制。

美光第四代128层3D NAND成功流片表明，该公司的新设计不仅仅是一个概念。同时，美光还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG工艺技术，因此公司范围内每比特成本明年不会显著下降。尽管如此，该公司承诺在其后续RG工艺节点广泛部署之后，到2021财年将真正开始降低成本。

目前，美光科技正在提高96层3D NAND的产量，并于明年开始在其绝大部分产品线中使用。 128层3D NAND硬件不会立即导致每比特成本显着下降，但是会随着时间推移而下降。后续工艺节点（美光第五代3D NAND）可能具有至少128层，并且如果被广泛使用，它将大大降低产品每比特成本。