摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-07 14:01:26
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原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应，提供原子级控制。 泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士 分享了他对这个话题的看法。 技术节点的每次进步都要求对制造工艺变化进行更严格的控制。最先进的工艺
2021-02-08 10:53:006590 
原子层沉积技术（Atomic layer deposition， ALD）近年在集成电路制程设备产业中受到相当大的瞩目，对比于其他在线镀膜系统，原子层沉积技术具有更优越的特点，如绝佳的镀膜批覆性以及
2021-02-05 15:23:174743 
单晶圆系统也能进行多晶硅沉积。这种沉积方法的好处之一在于能够临场进行多晶硅和钨硅化物沉积。DRAM芯片中通常使用由多晶硅-钧硅化物形成的叠合型薄膜作为栅极、局部连线及单元连线。临场多晶硅/硅化物沉积
2022-09-30 11:53:001235 进行MEMS制造的最基本需求是能够沉积1到100微米之间的材料薄膜。NEMS的制造过程是基本一致的，膜沉积的测量范围从几纳米到一微米。
2022-10-11 09:12:591193 美国半导体设备制造商应用材料本周一表示，计划以35亿美元价格（较先前报价增加59％），从私募股权公司KKR手中收购规模较小的日本同行国际电气（Kokusai Electric），理由是其前景良好且估值较高。收购国际电气将使应用材料获得其薄膜沉积技术。
2021-01-06 10:04:082446 ）已经越来越看好150mm晶圆的产品应用前景。其子公司Wolfspeed（位于美国三角研究园）作为SiC功率MOSFET器件制造商，更是“下注”2023年SiC器件的可用市场总额（TAM）将迅速增长到50
2019-05-12 23:04:07
是在晶圆上制作电路及电子元件（如晶体管、电容、逻辑开关等），其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关，但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻
2011-12-01 15:43:10
。但是任重道远。目前晶圆制造，核心技术，依然牢牢的把握在外国晶圆厂家的手里。我国对外国晶圆的依赖性还非常之大。甚至普通消费者对外国电子产品的依赖性也相当大，认为外国的月亮比中国的圆。这也是全球晶圆紧缺，中国电子数码市场首当其冲，强烈起伏的原因；也是外国在电子数码领域对我们予取予求的原因
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本阶段：晶圆制造（材料准备、长晶与制备晶圆）、积体电路制作，以及封装。晶圆制造过程简要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圆制造的基础知识，适合入门。
2014-06-11 19:26:35
本人想了解下晶圆制造会用到哪些生产辅材或生产耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圆的制造过程是怎样的？
2021-06-18 07:55:24
先进封装发展背景晶圆级三维封装技术发展
2020-12-28 07:15:50
薄膜的纯度作者:爱特斯薄膜的纯度与所蒸发纯度依赖于一下三个方面：一是源材料的纯度；二是加热装置、蒸发舟以及支撑材料的污染；三是真空系统中的残余气体。在沉淀过程中，蒸发物，包括原子和分子，连同残余气体
2016-12-08 11:08:43
CPU制造流程CPU制造全过程第1页：由沙到晶圆，CPU诞生全过程 沙中含有25%的硅，是地壳中第二多元素，在经过
2009-09-22 08:16:03
到一块玻璃板上。4.[IC制造] IC制造是指在单晶硅片上制作集成电路芯片，其流程主要有蚀刻、氧化、扩散/离子植入、化学气相沉积薄膜和金属溅镀。拥有上述功能的公司一般被称为晶圆代工厂。5.[IC测试
2019-01-02 16:28:35
。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用，还能根据其
2017-06-29 14:16:04
。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用，还能根据其
2017-06-29 14:20:28
。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用，还能根据其
2017-06-29 14:24:02
、晶圆、光刻、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等基本步骤。硅熔炼成硅锭：通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万
2017-05-04 21:25:46
。光刻胶的图案通过蚀刻剂转移到晶片上。沉积：各种材料的薄膜被施加在晶片上。为此，主要使用两种工艺，物理气相沉积 (PVD) 和化学气相沉积 (CVD)。制作步骤：1.从空白晶圆开始2.自下而上构建
2021-07-08 13:13:06
半导体器件需要高度完美的晶体。但是即使使用了最成熟的技术，完美的晶体还是得不到的。不完美，就称为晶体缺陷，会产生不均匀的二氧化硅膜生长、差的外延膜沉积、晶圆里不均匀的掺杂层，以及其他问题而导致工艺
2018-07-04 16:46:41
，以便能在上面印制第一层。这一重要步骤通常被称为 "沉积"。随着芯片变得越来越小，在晶圆上印制图案变得更加复杂。沉积、刻蚀和光刻技术的进步是让芯片不断变小，从而推动摩尔定律不断延续
2022-04-08 15:12:41
，我们将采用穿硅通孔（TSV）用于晶圆级堆叠器件的互连。该技术基本工艺为高密度钨填充穿硅通孔，通孔尺寸从1μm到3μm。用金属有机化学汽相淀积（MOCVD）淀积一层TiN薄膜作为籽晶层，随后同样也采用
2011-12-02 11:55:33
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
`晶圆测试是对晶片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针（probe），与晶粒上的接点（pad）接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当晶片依晶粒为单位切割成独立
2011-12-01 13:54:00
平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。化学机械研磨机晶圆制造中，随着制程技术
2018-09-03 09:31:49
的材料，依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直径）等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圆后，送至八寸晶圆厂内制造芯片电路（Die），这些芯片电路再经封装测试
2020-02-17 12:20:00
该资料包含了晶圆制造、薄膜沉积、光刻、腐蚀等内容，图文并茂，浅显易懂，真是居家旅行的必备啊。
2014-05-17 14:09:40
Pressure CVD；LPCVD)为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不合适，化学蒸汽在经过第一片晶
2012-09-28 14:01:04
「输送现象」(transport phenomena) 的应用。常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外，如果晶圆不采用水平摆放的方式 (太浪费空间)，薄膜之厚度均匀性
2012-09-16 20:22:12
「输送现象」(transport phenomena) 的应用。常压化学气相沉积速度颇快，但成长薄膜的质地较为松散。另外，如果晶圆不采用水平摆放的方式 (太浪费空间)，薄膜之厚度均匀性
2012-10-07 23:23:19
(Low Pressure CVD；LPCVD) 为进行50片或更多晶圆之批次量产，炉管内之晶圆势必要垂直密集地竖放于晶舟上，这明显产生沉积薄膜之厚度均匀性问题；因为平板边界层问题的假设已不
2011-09-23 14:41:42
单晶的晶圆制造步骤是什么？
2021-06-08 06:58:26
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
前段生产工艺找出缺陷产生点，通过调整工艺解决产品缺陷。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统
2017-06-28 16:40:31
前段生产工艺找出缺陷产生点，通过调整工艺解决产品缺陷。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统
2017-06-28 16:50:34
点，通过调整工艺解决产品缺陷。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品
2017-06-28 16:45:34
解决产品缺陷。 案例三： 产品工艺异常或调整后通过FIB获取膜层剖面对各膜层检查以及厚度的测量检测工艺稳定性。 3.气相沉积（GIS） FIB GIS系统搭载Pt气体，其作用除了对样品表面起到保护作用
2017-06-29 14:08:35
薄膜太阳能电池也是现在发展的比较好一点的电池，下面给大家分享四种薄膜太阳能电池，大家可以对比一下看看哪一种最好。1.非晶硅。非晶硅薄膜是太阳能电池核心原材料之一，也称微晶硅。按照材料的不同，当前硅
2016-01-29 15:46:43
作者：ADI公司 Dust Networks产品部产品市场经理 Ross Yu，远程办公设施经理 Enrique Aceves问题 对半导体晶圆制造至关重要的是细致、准确地沉积多层化学材料，以形成
2019-07-24 06:54:12
一层选择性CVD钴覆盖膜，改善接触界面，进而提高器件的可靠性可达到80倍。钴薄膜沉积突破了导线互联技术传统瓶颈全新PVD沉积系统实现高成本效益的3D芯片垂直集成与Endura Volta CVD
2014-07-12 17:17:04
对半导体晶圆制造至关重要的是细致、准确地沉积多层化学材料，以形成数千、数百万甚至在有些情况下是数 10 亿个晶体管，构成各种各样复杂的集成电路 (IC)。在制造这些 IC 的过程中，每一步都要精确
2020-05-20 07:40:09
`哪位了解LCVD激光气相沉积设备，想买一台用来做补线用。如图，沉积出宽10um左右的金属线。求大神指点！`
2014-01-17 10:36:02
（Sputter） 解离金属电浆（淘气鬼）物理气相沉积技术 解离金属电浆是最近发展出来的物理气相沉积技术，它是在目标区与晶圆之间，利用电浆，针对从目标区溅击出来的金属原子，在其到达晶圆之前，加以离子化
2011-09-23 14:43:07
随着集成电路设计师将更复杂的功能嵌入更狭小的空间，异构集成包括器件的3D堆叠已成为混合与连接各种功能技术的一种更为实用且经济的方式。作为异构集成平台之一，高密度扇出型晶圆级封装技术正获得越来越多
2020-07-07 11:04:42
性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达0.99999999999。晶圆制造厂再将此多晶硅
2011-12-02 14:30:44
请问一下8寸 原子层沉积设备ALD，单晶片。国内设备大约在什么价位啊？
2023-06-16 11:12:27
（1）锡膏印刷 对于THR工艺，网板印刷是将焊膏沉积于PCB的首选方法。网板厚度是关键的参数，因为PCB上的锡膏 层是网板开孔面积和厚度的函数。这将在本章的网板设计部分详细讨论。使用钢质刮刀以
2018-11-22 11:01:02
用脉冲激光(Nd:YAG 激光)沉积技术在硅基上沉积富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉积时氧气压力分别为1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度约为300nm。随后，在氩(Ar)气中1000℃的温度下对
2010-08-03 16:24:35
0 半导体制程之薄膜沉积
在半导体组件工业中，为了对所使用的材料赋与某种特性，在材料表面上常以各种方法形成被膜而加以使用，假如
2009-03-06 17:14:585558 
硅单晶(或多晶)薄膜的沉积
硅（Si）单晶薄膜是利用气相外延(VPE)技术，在一块单晶Si 衬底上沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型
2009-03-09 13:23:416889 由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点，ALD（原子层淀积）技术早从21世纪初即开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术，但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展
2018-02-13 03:16:0025903 泛林集团宣布推出一种用于沉积低氟填充钨薄膜的新型原子层沉积 （ALD） 工艺，标志着其业界领先的 ALTUS® 产品系列又添新成员。通过业内首创的低氟钨（LFW） ALD 工艺，ALTUS Max
2018-05-24 17:19:002398 在等离子增强化学气相沉积法PECVD沉积 SiO2和 SiN掩蔽层过程中!分解等离子体中浓度较高的H原子使MG受主钝化!同时在P-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N空位。
2018-12-17 08:00:0017 沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。
2020-09-07 15:50:106019 
）及化学气相沉积（CVD）工艺已经无法满足极小尺寸下良好的台阶覆盖要求，而控制纳米级别厚度的高质量超薄膜层制备也成为技术难点。 原子层沉积（ALD）是一种可以将物质以单原子膜的形式，一层一层镀在基底表面的先进沉积技术。一个
2021-04-17 09:43:2116607 
业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）和化学式真空镀膜（CVD）等，其中ALD属于CVD的一种，属于当下最先进的薄膜沉积技术。
2021-09-03 11:12:421149 
本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体，并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行，例如在大约23丁和 大约200V之间
2022-02-15 11:11:143427 
摘要 本文的目的是建立科技锁的技术水平，必须打开科技锁才能将直接大气压等离子体增强化学气相沉积(AP-PECVD)视为工业应用的可行选择。总结了理解和优化等离子体化学气相沉积工艺的基本科学原理。回顾
2022-02-21 16:50:111900 
Fraunhofer ISIT的PowderMEMS是一项新研发的创新技术，用于在晶圆级上从多种材料中创建三维微结构。该技术基于通过原子层沉积（ALD）工艺在空腔中将微米级粉末颗粒粘合在一起。
2022-03-17 09:46:232011 评估各种清洗技术的典型方法是在晶片表面沉积氮化硅(Si，N4)颗粒，然后通过所需的清洗工艺处理晶片。国家半导体技术路线图规定了从硅片上去除颗粒百分比的标准挑战，该挑战基于添加到硅片上的“>
2022-05-25 17:11:381242 
薄膜沉积设备介绍
2022-06-22 15:22:1710 江苏微导纳米科技股份有限公司，是一家面向全球的高端设备制造商，专注于先进薄膜沉积装备的开发、设计、生产和服务。微导的业务涵盖半导体、新能源、柔性电子和纳米技术等工业领域。公司以原子层沉积技术为核心
2022-09-26 18:06:131228 ALD是Atomic Layer Deposition（原子层沉积）的缩写，是通过重复进行材料供应（前体）和排气，利用与基板之间的表面反应，分步逐层沉积原子的成膜方式。
2022-10-11 10:04:001339 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD）是指不同分压的多种气相状态反应物在一定温度和气压下发生化学反应，生成的固态物质沉积在衬底材料表面，从而获得所需薄膜的工艺技术。
2022-11-04 10:56:067439 由于 ALD 技术逐层生长薄膜的特点，所以 ALD 薄膜具有极佳的合阶覆盖能力，以及极高的沉积均匀性和一致性，同时可以较好她控制其制备薄膜的厚度、成分和结构，因此被广泛地应用在微电子领域。
2022-11-07 10:43:165138 快速、高均匀性和卓越的涂层质量——这些特性是物理气相沉积、原子层沉积（ALD）等工艺的追求。据麦姆斯咨询报道，近期，总部位于芬兰的ALD系统和工艺开发商Beneq和Laser Zentrum
2022-12-22 16:30:242866 现有的原子层沉积技术氮掺杂过程需要在氮气等离子体的高温条件下进行，但是高温环境下的薄膜生长会引起电池正极和负极材料的相变和分解。虽然有研究指出低温条件下在氨气环境中可以实现氮掺杂的原子层沉积，但是同时会显著增加氨气尾气处理的设备成本和维护难度以及安全风险。
2023-01-16 14:09:13644 薄膜沉积是晶圆制造的三大核心步骤之- - ，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。
半导体器件的不断缩小对薄膜沉积工艺提出了更高要求，而ALD技术凭借沉积薄膜厚度的高度可控性、优异的均匀性和三E维保形性,在半导体先进制程应用领域彰显优势。
2023-02-16 14:36:54555 溅射镀膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。
2023-02-24 09:51:092595 近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积（LPCVD）设备Preforma Uniflex CW。这是中微公司深耕高端微观加工设备多年、在半导体薄膜沉积领域取得的新突破，也是实现公司业务多元化增长的新动能。
2023-05-17 17:08:41831 。 PVD 沉积工艺在半导体制造中用于为各种逻辑器件和存储器件制作超薄、超纯金属和过渡金属氮化物薄膜。最常见的 PVD 应用是铝板和焊盘金属化、钛和氮化钛衬垫层、阻挡层沉积和用于互连金属化的铜阻挡层种子沉积。 PVD 薄膜沉积工艺需要一个高真空的平台，在
2023-05-26 16:36:511751 在了解芯片沉积工艺之前，先要阐述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。
2023-06-08 11:00:122192 
离子束辅助沉积 (IBAD) 是一种薄膜沉积技术，可与溅射或热蒸发工艺一起使用，以获得具有出色工艺控制和精度的最高质量薄膜。
2023-06-08 11:10:22986 
器件尺寸的不断缩小促使半导体工业开发先进的工艺技术。近年来，原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)已经成为小型化的重要加工技术。ALD是一种沉积技术，它基于连续的、自限性的表面反应。ALE是一种蚀刻技术，允许以逐层的方式从表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步骤的等离子体或热连续反应。
2023-06-15 11:05:05526 
原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）是一种可以沉积单分子层薄膜的特殊的化学气相沉积技术。
2023-06-15 16:19:212038 
韫茂科技成立于2018年，致力于成为平台形态的纳米级薄膜沉积设备制造企业。目前拥有ald原子层沉积系统、pvd物理气体沉积系统、cvd化学气体沉积系统、uhv超高真空涂层设备等12种产品。
2023-06-28 10:41:03540 薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。
2023-07-13 09:10:487776 
该研究首次应用紫外光辅助原子层沉积（UV-ALD）技术于石墨烯表面，并展示了利用UV-ALD沉积Al2O3薄膜在石墨烯场效应晶体管（GFETs）中的应用。在ALD过程中进行5秒最佳紫外照射，导致在石墨烯表面上沉积出更加致密平滑的Al2O3薄膜
2023-08-16 15:52:37282 
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
2023-05-25 10:18:34501 
由于异质结电池不同于传统的热扩散型晶体硅太阳能电池，因此在完成对其发射极以及BSF的注入后，下一个步骤就是在异质结电池的正反面沉积ITO薄膜，ITO薄膜能够弥补异质结电池在注入发射极后的低导电性
2023-09-21 08:36:22407 
PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺，对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面，从而有效提高太阳能电池的光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池
2023-09-27 08:35:491775 在钙钛矿太阳能电池的生产工艺中，ITO薄膜沉积是能够提升钙钛矿太阳能电池光电转换率的关键步骤，其中，真空蒸镀沉积技术可较为便捷的制备高纯度、高质量的ITO薄膜，是沉积工艺中的一项核心技术
2023-10-10 10:15:53649 面对真空镀膜多元的应用市场，镀膜技术的发展也从传统的蒸发、电子束热蒸发技术，相继发展出PECVD、ALD原子层沉积技术、磁控溅射技术等等，技术地位日益凸显。本报告嘉宾来自国内半导体设备龙头企业无锡
2023-10-18 11:33:442992 
牛津仪器（Oxford Instruments）推出PlasmaPro ASP系统，这是其Atomfab®产品系列中的一款高速原子层沉积（ALD）研究系统。PlasmaPro ASP受益于新的专利
2023-10-23 16:20:07487 
半导体设备系列研究-薄膜沉积设备
2023-01-13 09:06:526 黎微明博士指出，传统的PVD和CVD在镀膜方面具有局限性。ALD技术特点在于可在复杂形貌上，完成原子层精度控制能力的高质量薄膜沉积工艺。具体来看，ALD技术具有三维共形性，可广泛适用于不同形状的基底。
2023-11-02 17:27:05435 众所周知，材料的宏观性质，例如硬度、热和电传输以及光学描述符与其微观结构特征相关联。通过改变加工参数，可以改变微结构，从而能够控制这些性质。在薄膜沉积的情况下，微结构特征，例如颗粒尺寸和它们的颗粒
2023-11-22 10:20:59214 
金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数，两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外，先栅极的工艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求，但是后栅极工艺因为需要重新填充原来多晶硅栅极的地方，因此对薄膜的台阶覆盖 性及其均匀度要求较高。
2023-12-11 09:25:31659 
在太阳能电池的薄膜沉积工艺中，具有化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）两种薄膜沉积方法，电池厂商在沉积工艺中也需要根据太阳能电池的具体问题进行针对性选择，并在完成薄膜沉积工艺后通过
2023-12-26 08:33:01312 优化硅的形态与沉积方式是半导体和MEMS工艺的关键，LPCVD和APCVD为常见的硅沉积技术。
2024-01-22 09:32:15433 
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