异质结电池的ITO薄膜沉积

由于异质结电池不同于传统的热扩散型晶体硅太阳能电池，因此在完成对其发射极以及BSF的注入后，下一个步骤就是在异质结电池的正反面沉积ITO薄膜，ITO薄膜能够弥补异质结电池在注入发射极后的低导电性。「美能光伏」生产的美能四探针电阻测试仪，可以高效测量沉积ITO薄膜后的异质结电池的电阻率与方阻，从而评估异质结电池的性能是否达到产业化标准。本期「美能光伏」将给您介绍异质结电池的ITO薄膜沉积！

ITO薄膜的特性

ITO薄膜是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，由于它以锡和氧为施主，使它能够在常温下保持稳定的导电性以及可见光透过率，且由于较高的机械硬度以及良好的化学稳定性，使它能够成为异质结电池常用的薄膜材料。

低溅射电压制备ITO薄膜工艺的问题

由于ITO薄膜本身含有氧元素，因此采用磁控溅射方法进行ITO薄膜沉积时，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击薄膜层表面的能量就会随之越大，因此造成这种结构缺陷的几率就会变大，产生晶体结构缺陷也会越严重，从而导致ITO薄膜的电阻率上升。

在通常情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如若使用一定的工艺方法将溅射电压降低50%以上，那么这样不仅能提高ITO薄膜的质量，降低ITO薄膜的电阻率，同时也降低了在将ITO薄膜沉积到异质结电池中的制备成本。

降低ITO薄膜结构缺陷的方法

为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现，因此可以采用一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将射频电源合理的装在直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究，从而有效的控制对ITO薄膜进行沉积时的溅射电压，达到降低ITO薄膜电阻率的目的。

美能四探针电阻测试仪

美能四探针电阻测试仪可以对最大230mm的样品进行快速、自动的扫描，获得样品不同位置的方阻/电阻率分布信息，可广泛应用于光伏、半导体、合金、陶瓷等诸多领域。

● 超高测量范围，测量0.1MΩ~100MΩ薄层电阻

● 高精密测量，动态重复率可达0.2%

●全自动多点扫描，多种预设方案亦可自定义调节

● 快速材料表征，可自动执行矫正因子计算

由于ITO薄膜的低电阻率与高透光性可以大大提高异质结电池的光电转换率，所以对异质结电池进行薄膜沉积就显得尤为重要。「美能光伏」生产的美能四探针电阻测试仪，可在大规模太阳能电池片产业化生产中，通过全自动多点扫描高效快捷的测量薄膜沉积后的异质结电池的性能，助力电池厂商生产出优质的异质结电池！