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编辑：黄飞
半导体设备行业跟踪报告：ALD技术进行薄膜沉积工艺优势
- 半导体器件(31456)
- 晶圆制造(23622)
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《半导体行业2016年度报告》即将来袭|摩尔精英
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《半导体行业2016年度薪资报告》来袭|摩尔精英
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全球半导体产值再创新高，AOI设备需求热度有望保持
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单片机晶圆制造工艺及设备详解
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国产设备如何立足半导体市场
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有关半导体工艺的问题
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标题:群“芯”闪耀的半导体行业
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浅析化合物半导体技术
美元增长到2022年25亿美元1。此外，随着通信行业对器件性能的要求逐渐提高，GaN、GaAs等化合物半导体器件的优势逐渐显现，传统硅工艺器件逐渐被取代，预计到2025年，化合物半导体将占据射频器件市场份额的80%以上。
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苏州华林科纳半导体设备技术有限公司招贤纳士
刻蚀工艺以满足工艺集成要求; 3、 与其他工程师紧密配合，进行半导体工艺流程分析 任职要求： 1、大学本科学历（含）以上 2、掌握半导体基础理论，制品及器件技术，熟悉设备 、工艺 、 制造等相关内容
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半导体设备用治具的清洗炉（Vacuum Bake Cleaner）●该设备用于去除附着在 MOCVD 托盘和零部件上的沉积物（GaN、AlN 等）。采用洁净气体的干式清洗法，因此不需要湿法后道处
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第三代半导体热潮“带货”沉积设备需求，供应链与服务本地化成关键考量
业界主流的薄膜沉积工艺主要有原子层沉积（ALD）、物理式真空镀膜（PVD）和化学式真空镀膜（CVD）等，其中ALD属于CVD的一种，属于当下最先进的薄膜沉积技术。
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原子层沉积（ALD）工艺助力实现PowderMEMS技术平台
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如何解决主要的 ALD 和 ALE 半导体工艺挑战
在高精密的半导体制造领域，一些重要的流体系统组件质量是成本门槛。例如，在原子层沉积 (ALD) 和原子层蚀刻 (ALE) 工艺中，—随着工艺节点变得越来越小而日益难以维持—，系统中使用的任何组件均应
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面向微纳器件制造的微导ALD和PEALD技术
，致力于先进微、纳米级薄膜沉积技术和设备的研究与产业化应用，为光伏、集成电路、柔性电子等半导体与泛半导体行业提供高端装备与技术解决方案。 随着对微处理器和存储器的计算速度和功率需求的持续增加，同时又降低其功耗
2022-09-26 18:06:131228
1228「芯品动态」盛美新型热ALD立式炉设备满足高端半导体生产需求
盛美半导体设备（上海）股份有限公司对其300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展，研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积（ALD）功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。首台Ultra Fn A立式炉设备已于9月底运往中国一家先进的逻辑制造商。
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1466原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）
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Hannover（简称：LZH）合作开发了一种新的空间ALD系统，该系统实现“以前所未有的速度在复杂形状的光学元件上涂覆薄膜层”。 Beneq的ALD系统（称为C2R）可实现高达200 rpm的速度，沉积速率高达1 µm/h。LZH指出，ALD是一种自限性和各向同性工艺，每个周期产生大约1埃的层厚度。这
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中微公司推出12英寸薄膜沉积设备Preforma Uniflex™ CW
近日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”，上交所股票代码：688012）推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积（LPCVD）设备Preforma Uniflex CW。这是中微公司深耕高端微观加工设备多年、在半导体薄膜沉积领域取得的新突破，也是实现公司业务多元化增长的新动能。
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1751与传统溅射或热蒸发技术相比，离子束辅助沉积有哪些优势？
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半导体前端工艺：沉积——“更小、更多”，微细化的关键（上）
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半导体前端工艺之沉积工艺
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
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详解半导体前端工艺之沉积工艺
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ALD是什么？半导体制造的基本流程
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半导体前端工艺：沉积——“更小、更多”，微细化的关键
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
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ALD技术工艺原理、优势及应用
面对真空镀膜多元的应用市场，镀膜技术的发展也从传统的蒸发、电子束热蒸发技术，相继发展出PECVD、ALD原子层沉积技术、磁控溅射技术等等，技术地位日益凸显。本报告嘉宾来自国内半导体设备龙头企业无锡
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半导体制造之薄膜工艺讲解
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997一文详解金属薄膜沉积工艺及金属化
金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数，两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外，先栅极的工艺对金属薄膜没有台阶覆盖性的要求，但是后栅极工艺因为需要重新填充原来多晶硅栅极的地方，因此对薄膜的台阶覆盖 性及其均匀度要求较高。
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化学气相沉积与物理气相沉积的差异
在太阳能电池的薄膜沉积工艺中，具有化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）两种薄膜沉积方法，电池厂商在沉积工艺中也需要根据太阳能电池的具体问题进行针对性选择，并在完成薄膜沉积工艺后通过
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半导体零部件行业深度报告
半导体设备主要应用于集成电路的制造和封测环节，可细分为晶圆制造设备(前道设备）和封装、测试设备（后道设备)。其中，前道设备主要有光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、CMP设备、清洗机、前道检测设备和氧化退火设备，后道设备主要分为测试设备和封装设备。
2023-12-27 10:57:48281
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工商网监
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