(SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车
2022-05-17 11:55:24
2852 
美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片，由此可制造出速度极快，基于共源共栅的20～100W反激式产品。
2019-03-20 09:19:282282 点燃半导体业新战火。 第三代半导体主要和氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）两种材料有关，不少大厂都已先期投资数十年，近年随着苹果、小米及现代汽车等大厂陆续宣布产品采用新材料的计划，让第三代半导体成为各界焦点。 目前各大厂都运用不同
2021-05-10 16:00:573039 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。
2021-09-14 14:47:191074 
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
，我这暴脾气......。从最初应用算起，半导体材料已经发展了三代，第一代是四五十年代开始以锗、硅为代表的IV族半导体材料逐步发展起来，推动人类进入电子时代晶体管收音机就是那个时代的产物，老王你明白了吧
2017-05-15 17:09:48
KSZ8873RLL-EVAL，KSZ8873RLL评估板是第三代完全集成的3端口开关。 KSZ8873RLL的两个PHY单元支持10BASE-T和100BASE-TX。 KSZ8873RLL支持
2020-05-15 08:48:50
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与国际互联网等
2019-07-01 07:19:52
第三代移动通信过渡技术——EDGE作者：项子GSM和TDMA/136现在是全球通用的第二代蜂窝移动通信标准。当前有100多个国家的1亿多人采用GSM，有近100个国家的约9500万用户采用 TDMA
2009-11-13 21:32:08
。帕特罗（PATRO）第三代红外摄像机技术与阵列式区别： 亮度：第三代阵列式将发光二极管按照阵列式排在一起，通过一个透镜来进行光传递，是通过将几十个高效率和高功率的晶元通过高科技封装在一个平面上，由多颗
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代红外技术，红外夜视领域经历了一场场红外技术新革命，引领着夜视监控行业向更深更远的方向发展，给安防市场制造着一个又一个亮点。红外技术早在60年代初期由美国贝尔实验室研发
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代联网记录仪搭载腾讯车联，采用的是最新无限技术，无限流量随便使用。拥有强大的互联网功能，全程语音帮车主解决很多行车问题。行车
2019-01-08 15:44:58
LED:节能环保的第三代照明技术1、半导体照明 LED：变革照明的第三代革命1.1LED 代替白炽灯—任重而道远自 20 世纪 60 年代世界第一个半导体发光二极管诞生以来，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响，整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成：核心
2025-12-25 09:12:32
XM3半桥电源模块系列是 Wolfspeed（原CREE）推出的高功率碳化硅（SiC）电源模块平台，专为电动汽车、工业电源和牵引驱动等高要求应用设计。XM3半桥电源模块系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
2013-08-10 15:35:19
据业内权威人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
2009-06-13 22:49:39
随着第三代移动通信技术的兴起，UMTS网络的建立将带来一场深刻的革命，这对网络规划也提出了更高的要求。在德国轰动一时的UMTS执照拍卖，引起了公众对这一新技术的极大兴趣。第三代移动通信网络的建设正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技术定义(IR-III Technology Definition)IR-III技术即红外夜视第三代技术，根植于上世纪60年代美国贝尔实验室发明的红外夜视技术，属于一种主动式红外
2011-02-19 09:34:33
基于第三代移动通信系统标准的ALC控制方案的设计与实现
2021-01-13 06:07:38
：Gen1》 Gen2 》 Gen3 VF：Gen1》 Gen2 》 Gen3 产品优点 综上所述，基本半导体推出的第三代碳化硅肖特基二极管有以下优点： 更低VF：第三代二极管具有更低VF，同时
2023-02-28 17:13:35
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC
2018-12-05 10:04:41
浅析第三代移动通信功率控制技术
2021-06-07 07:07:17
本文讨论了移动通信向第三代(3G)标准的演化与发展，给出了范围广泛的3G发射机关键技术与规范要求的概述。文章提供了频分复用(FDD)宽带码分多址(WCDMA)系统发射机的设计和测得的性能数据，以Maxim现有的发射机IC进行展示和说明。
2019-06-14 07:23:38
分享小弟用第三代太阳能的心得。
最近看了很多资料对第三代太阳能的介绍，诸多的评论都说到他的优势，小弟于是购买了这种叫第三代的太阳能－砷化镓太阳能模块。想说，现在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
第三代移动通信系统及其关键技术:第三代移动通信系统及其关键技术详细资料。文章对第三代移动通信系统及国际电联提出的IMT-2000发展过程及研究现状进行了介绍
2009-05-20 11:19:05
40 TD-SCDMA-第三代移动通信技术:
2009-05-21 14:45:5320 第三代移动通信WCDMA无线传输的主要技术:
2009-05-27 17:22:2532 文章介绍了第三代LonWorks 技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks 产品以及它们的主要技术特点和性能。关键词LonWorks® LonTalk® LonMark®, L
2009-05-29 12:14:458 00904774第三代通信网管构架:
2009-06-18 16:53:1422 第三代移动通信技术与业务:蜂窝移动通信标准的演进，第三代移动通信标准化格局，技术不断进步背后的苦干问题。
2009-08-02 14:35:4612 第三代移动通信系统全面讨论了第三代移动通信系统的无线传输技术等新技术，内容涵盖了第三代移动通信的基本概念、CDMA技术的基本原理、无线传播环境的相关知识、UTRA FDD、UT
2009-08-21 10:33:530 第三代移动通信系统的无线接:WCDMA技术与系统设计是专门介绍第三代移动通信系统中WCDMA无线传输技术的专著。《WCDMA 技术与系统设计：第三代移动通信系统的无线接入（第２版）
2009-08-21 10:38:3932 第三代LonWorks技术和产品介绍
文章介绍了第三代LonWorks技术的应用方向和结构，以及美国Echelon公司新推出的一系列的第三代LonWorks产品以及它们的主要技术特点
2010-03-18 09:55:0417 Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列产品，提供业界最佳
2024-02-26 19:40:31
Intel Xeon®铂金处理器（第三代）Intel® Xeon®铂金处理器（第三代）是安全、敏捷、数据中心的基础。这些处理器具有内置AI加速、先进的安全技术和出色的多插槽处理性能，设计用于任务关键
2024-02-27 11:57:15
Intel Xeon®金牌处理器（第三代）Intel® Xeon®金牌处理器（第三代）支持高内存速度和增加内存容量。Intel® Xeon®金牌处理器具有更高性能、先进的安全技术以及内置工作负载加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon®可扩展处理器（第三代）Intel®Xeon®可扩展处理器（第三代）针对云、企业、HPC、网络、安全和IoT工作负载进行了优化，具有8到40个强大的内核和频率范围、功能和功率级别
2024-02-27 11:58:54
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
第三代无线通信标准
今天，我们正在进入第三代无线通信阶段。或者说“互联网包含一切”的阶段，这个阶段用无线传感器和控制技术来连接人类世界与虚拟电子世界。
2009-03-24 08:40:432066 第三代移动通信常识
1、3G定义
3G是英文3rd Generation的缩写，指第三代移动通信技术。相对
2009-06-01 21:03:572976 什么是第三代移动通信系统
第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系
2009-06-13 22:20:551326 Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC VLIW DSP内核
Tensilica推出第三代ConnX 545CK 8-MAC（乘数累加器）VLIW（超长指令字）DSP（数字信号处理器）
2010-04-24 12:05:451926 莱迪思半导体公司日前宣布推出其第三代混合信号器件，Platform Manager系列。通过整合可编程模拟电路和逻辑，以支持许
2010-10-18 08:49:241017 LatticeECP3系列是来自莱迪思半导体公司的第三代高价值的FPGA，在业界拥有SERDES功能的FPGA器件中，它具有最低的功耗和价格
2011-03-23 10:41:361465 消防中第三代移动通信技术的应用介绍了第三代数字移动通信（3G）技术,车辆定位与监控，中国的3G等等，对 3G 在消防工作中的应用领域与方法进行论述,并针对可能存在的技术问题做了
2011-07-21 16:03:5740 据一向不靠谱的台湾媒体DigiTimes报道，苹果将于今年夏季发布新款第三代iPad。新款第三代iPad将配备来自夏普的IGZO显示屏，这种技术将使iPad变得更薄，电池更耐用。在第三代iPad发布之
2012-06-30 11:48:16724 ，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院在五洲宾馆宣布正式启动。深圳第三代半导体研究院的成立具有
2018-04-02 16:25:004266 前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。要想更好地了解第三代产品的优势与特点，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:507154 继5G、新基建后，第三代半导体概念近日在市场上的热度高居不下。除了与5G密切相关外，更重要是有证券研报指出，第三代半导体有望纳入重要规划，消息传出后多只概念股受到炒作。证券业人士提醒，有个人投资者
2020-09-21 11:57:554538 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:2910826 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列，并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:004371 3 月 26 日，美的集团宣布与三安光电全资子公司三安集成电路战略合作，双方将共同成立“第三代半导体联合实验室”，共同推动第三代半导体功率器件的创新发展，加快国产芯片导入白色家电行业。
2019-03-29 11:08:165113 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:022246 根据今年3月份曝光的AMD产品线路图来看，第三代线程撕裂者有望在今年年内发布，但随后在6月举行的台北电脑展上，新的AMD线路图显示第三代线程撕裂者被移除，加之AMD推出了新的Ryzen 9第三代锐龙
2019-09-02 13:08:005845 第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”将于9月19日上午在深圳五洲宾馆举行。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英将围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨和交流。
2019-09-11 14:23:185428 。 什么是第三代半导体？ 第三代半导体是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。 一、二、三代半导体什么区别？ 一、材料 第一代半导体材料，发
2020-11-04 15:12:375552 在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。
2020-11-29 10:48:1292797 招商引资名单中。 问题来了：第三代半导体产业是真的进入春天还是虚火上升？又有哪些行业真的需要GaN或SiC功率器件呢？相对于IGBT、MOSFET和超级结MOSFET，GaN和SiC到底能为电子行业带来哪些技术变革？ 为了回答这些问题，小编认真阅读了多
2020-12-08 17:28:0314626 1月22日，高德地图正式发布第三代车载导航，小鹏汽车成为首款搭载第三代车载导航的企业。 第三代车载导航能力从“导人”升级为“人车共导”，利用AI视觉技术和高精地图，实现车道导航，让道路规划以及引导
2021-01-22 18:05:144757 深圳爱仕特科技公司第三代半导体SiC产品宣传册
2021-03-16 16:18:5934 第三代半导体Central issue 2020年10月，国星光电成功举办了首届国星之光论坛，论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇，迅速拓展第三代半导体新赛道。近期，国星光电正式推出一系列第三代半导体
2021-04-22 11:47:103594 EE-230：第三代SHARC®系列处理器上的代码覆盖
2021-05-25 15:18:417 UnitedSiC SiC FET用户手册
2021-09-07 18:00:1318 MOSFET管要么分布在高压低速的区间，要么分布在低压高速的区间，市面上传统的探测技术可以覆盖器件特性的测试需求。但是第三代半导体器件SiC 或GaN的技术却大大扩展了分布的区间，覆盖以往没有出现过的高压高速区域，这就对器件的测试
2021-12-29 17:11:061577 
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出第三代STPOWER碳化硅 （SiC） MOSFET晶体管 ，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
2022-03-14 10:25:522007 UnitedSiC（现名Qorvo）扩充了其1200V产品系列，将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。
2022-06-06 09:33:575970 
据统计，目前国内以SiC、GaN为代表的第三代半导体主要制造商已达147家。
2022-07-20 15:16:352379 表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗
2022-09-23 16:44:351200 
被Qorvo收购）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封装。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅场效应晶体管（SiC FET），借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高
2022-10-27 16:33:291632 作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13:06970 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:213059 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称"SiC-SBD"）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的持续改进过程。
2023-02-10 09:41:071642 
－进入主题之前请您介绍了很多基础内容，下面请您介绍一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被称为“第三代”，首先请您讲一讲各“代”的历史。前面让我介绍基础内容，这是非常必要的。
2023-02-16 09:55:071790 
、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 15:23:542 日前，在南京世界半导体大会暨第三代半导体产业发展高峰论坛上，国家新材料产业发展专家咨询委员会委员、第三代半
导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲透露：国家2030计划和“十四五”国家研发计划都已经明确，第三代半导体是重要发展方
向，现在到了动议讨论实施方案的阶段。
2023-02-27 15:23:005 、射频应用中的显著
性能优势，第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化镓
2023-02-27 14:37:561 仿真器可以提供许多信息，但无法告知哪些功率晶体管可以优化您的设计，也无法确定晶体管在特定应力水平下是否会损坏。这就是在线 FET-Jet 计算器的优势所在。阅读本博客，了解该软件如何简化器件选择以及
2023-05-17 12:05:021039 
所谓第三代半导体，即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料，又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AIN）、氧化锌（ZnO）和金刚石等，其中
2023-05-18 10:57:362109 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
第三代半导体功率器件的理想材料，可以在溶剂中生长。
2022-01-13 17:39:233689 
第三代宽禁带半导体SiC和GaN在新能源和射频领域已经开始大规模商用。与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有许多优势，这些优势源于新材料和器件结构的创新。
2023-10-10 16:34:281254 
近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。
2023-10-16 14:45:062239 2021年第三代半导体系列报告之二
2023-01-13 09:05:554 UnitedSiC SiC FET用户指南
2023-12-06 15:32:241153 
纳微半导体作为GaNFast™氮化镓和GeneSiC™碳化硅功率半导体的行业领军者，近日正式推出了其最新研发的第三代快速（G3F）碳化硅MOSFETs产品系列，包括650V和1200V两大规格。
2024-06-11 16:24:441716 近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
2024-06-24 09:13:201944 
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计，额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V 碳化硅
2024-07-05 09:36:122319 
7月17日，TCL隆重推出了其第三代艺术电视A300系列，该系列以融合前沿科技与艺术创作为核心亮点，特别引入了Ai绘画大模型技术，用户仅需简单设定三个关键词，系统便能在短短3秒内自动生成一幅个性化的艺术画作，展现了科技与艺术的无缝对接。
2024-07-18 16:36:531308 当前，第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率器件产业高速发展。其中，新能源汽车市场的快速发展是第三代半导体技术推进的重要动力之一，新能源汽车需要高效、高密度的功率器件来实现更长的续航里程和更优的能量管理。
2024-12-16 14:19:551390 随着电子技术的快速发展，半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅（Si）半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求，因此，第三代半导体材料应运而生。第三代半导体主要包括氮化镓（GaN
2025-05-22 15:04:051954 基础，将其定位为平面栅碳化硅（SiC）MOSFET技术的一次重要演进，其目标不仅在于追赶，更在于在特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平台概述 B3M系列是基本半导体推出的第三代
2025-10-08 13:12:22500 
电子发烧友App
工商网监
评论