宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商
2022-05-17 17:51:11
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本内容讲解了氮化镓在射频通信中应用。氮化镓并非革命性的晶体管技术,与现有技术相比，氮化镓(GaN)的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作
2011-12-12 15:19:281773 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261621 TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 （GaN） HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同
2012-12-19 10:19:091538 宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 mΩ、170 V）氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:002013 GaN Systems其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:443429 ，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
器件的速度提高，这种外部电感会导致接地反弹增加［4］。 增强型氮化镓晶体管采用晶圆级芯片级封装 （WLCSP），端子采用焊盘栅格阵列 （LGA） 或球栅阵列 （BGA） 格式。其中一些器件不提供单独
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
晶体管如今已与碳化硅基氮化镓具有同样的电源效率和热特性。MACOM 的第四代硅基氮化镓 (Gen4 GaN) 代表了这种趋势，针对 2.45GHz 至 2.7GHz 的连续波运行可提供超过 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。
Keep Tops氮化镓有什么好处？
氮化镓的出现
2023-08-21 17:06:18
` 本帖最后由 射频技术 于 2021-4-8 09:16 编辑
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化镓更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。 CGH40010，正在运行从28伏电压轨供电，提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率，高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L，S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`FHX35X是一款高电子迁移率晶体管（HEMT），旨在用于2-18GHz频率范围内的通用，低噪声和高增益放大器。该设备非常适合电信，DBS，TVRO，VSAT或其他低噪声应用。住友电工严格
2021-03-30 11:21:24
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
场景1▲图3：测试场景2测试结果1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；2.上管关断瞬间负冲0.5V左右，在氮化镓器件安全范围；3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右，在氮化镓器件安全
2023-01-12 09:54:23
产品名称：氮化镓晶体管QPD1004产品特性频率范围：30 - 1200 MHz输出功率（p3db）：40 W在1 GHz线性增益：20.8分贝典型的1 GHz典型的pae3db：73.2%在1
2018-07-30 15:25:55
HEMT运行2.7至3.1 GHz和50V电源轨。该装置是甘移完全匹配50欧姆的一个行业标准的气腔封装，非常适合于。产品型号: QPD1018产品名称：氮化镓晶体管QPD1018产品特性频率范围：2.7
2019-07-17 13:58:50
HEMT运行2.7至3.1 GHz和50V电源轨。该装置是甘移完全匹配50欧姆的一个行业标准的气腔封装，非常适合于军用雷达。产品型号: QPD1018产品名称：氮化镓晶体管QPD1018产品特性频率范围
2018-07-27 09:06:34
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化镓晶体管SGN19H240M1H砷化镓晶体管SGN21H180M1H砷化镓晶体管SGN21H121M1H砷化镓晶体管SGN21H181M1H砷化镓晶体管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2040适合高效率的应用。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和划痕保护级别。产品型号：TGF2040产品名称：砷化镓晶体管
2018-07-18 12:00:19
在功率增益10.4 dB和63%的功率附加效率在1 dB压缩。这种性能使tgf2160适合高效率的应用。产品型号：TGF2160产品名称：砷化镓晶体管TGF2160产品特性频率范围：直流- 20千兆
2018-07-19 10:35:47
、测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。产品型号: TGF2977-SM产品名称：氮化镓晶体管TGF2977-SM产品特性频率范围：直流- 12 GHz输出功率（p3db）：6 W在9.4 GHz线性增益
2018-07-25 10:06:15
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
SiC、蓝宝石、AlN和原生块体氮化镓。不过，所有这些材料价格昂贵，而最常用的透明电路基板——玻璃，则非常便宜。 我们的解决方案是一个两步式制程，可在玻璃基板上形成氮化镓晶体管。第一步是在将氮化镓层
2020-11-27 16:30:52
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度；毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力，我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
时，特别是在晶体管方面，它们的性能仍然存在显著的差异。电力设备用氮化镓、碳化硅和硅的比较。图片由 Alex Avron 提供首先，碳化硅需要一个高栅极驱动电压，范围从18伏到20伏，以打开低导通电阻器件。这个
2022-06-15 11:43:25
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化镓是固态射频功率应用领域
2023-02-27 15:46:36
氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。 增强型氮化镓(e
2012-06-06 13:56:31
0 中国上海，2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。
2016-02-24 10:40:211503 当测定氮化镓（GaN）晶体管的皮秒量级上升时间时，即使有1GHz的观察仪器和1GHz的探针仍可能不够。准确测定GaN晶体管的上升和下降时间需要细心留意您的测量设置和设备。让我们初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半桥GaN电源模块进行准确测量的最佳实践方法。
2017-04-18 12:34:043878 
氮化镓（GaN）场效应晶体管具备高速的开关速度优势，需要使用良好的测量技术及能够描述高速波形细节的良好技巧来进行评估。本文专注于如何基于用户的要求及测量技术，利用测量设备来准确地评估高性能的氮化镓晶体管。此外，本文评估高带宽差分探头与不接地参考波形一起使用时的情况。
2018-06-08 16:43:004124 
什么是氮化镓晶体管？它有什么作用？硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30:059114 基于MasterGaN®平台的创新优势，意法半导体推出了MasterGaN2，作为新系列双非对称氮化镓（GaN）晶体管的首款产品，是一个适用于软开关有源钳位反激拓扑的GaN集成化解决方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 TPH3206PSB 650V，150mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管是一个正常关闭的设备。它结合了最先进的高科技电压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 14:51:3310 本文重点讨论氮化镓功率器件在阵列雷达收发系统中的应用。下面结合半导体的物理特性，对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的特点加以说明。
2022-04-24 16:54:336940 
电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行，但与其硅对应物一样，单个
2022-08-04 09:35:482219 
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管
2022-11-02 16:13:065427 （GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料晶体管相比具有几个优势。
2022-12-13 10:00:083919 （GaN）晶体管已成为取代硅基MOSFET的高性能开关，可提供更高的能量转换效率并实现更大的密度。需要具有新规格的新隔离概念来解决GaN晶体管的优势。
2022-12-19 16:39:451764 
了解氮化镓
-宽带隙半导体：为什么？
-氮化镓与其他半导体的比较(FOM)
-如何获得高片电荷和高迁移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材料AlGaN的组合。最重要的
2023-02-05 11:43:472725 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-08 09:52:021307 
一个器件的成本效益，从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 （Aluminum Nitride/Al），隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化镓，晶体管就建立于这个基础上。
2023-02-08 09:57:302835 
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39:071360 氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓
2023-02-09 16:59:577653 
氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体，用于高效功率晶体管和集成电路。在GaN晶体的顶部生长氮化铝镓（AlGaN）薄层并在界面施加应力，从而产生二维电子气（2DEG）。2DEG用于在电场作用下，高效
2023-02-10 11:05:175998 
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体管预计的低成本，甚至还有可能使IGBT器件取代它们在较低速度、650V，非常高电流电源应用中的统治地位。
2023-02-12 17:09:491031 氮化镓晶体管型号参数主要包括电压限值、电流密度、功率密度、效率、温度系数、漏电流、漏电压、抗电磁干扰能力等。
2023-02-14 16:24:032810 氮化镓是一种半导体材料，具有良好的电子特性，可以用于改善电子器件的性能。氮化镓的主要用途是制造半导体器件，如晶体管、集成电路和光电器件。
2023-02-15 18:01:014179 氮化镓功率器件可以分为三类：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（晶闸管）和JFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。
2023-02-19 14:32:393120 了氮化镓呢？ 下图是充电器的主要电子元器件。 其实充电电子元器件里面，是晶体管里面添加了氮化镓，而其他元器件均是常规电子件。 这里的晶体管是指MOSFET半导体场效益晶体管。 而氮化镓晶体管与普
2023-02-21 15:04:246 当今市场上有许多晶体管选择，它们将各种技术与不同的半导体材料相结合。因此，缩小哪一个最适合特定设计的范围可能会令人困惑。在这些选择中，GaN晶体管是，但是什么使它们与众不同呢？
2023-05-24 11:08:301742 摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面缺陷和固定电荷，这会降低氮化镓高电子迁移率晶体管栅控能力。在本项研究中，二维
2023-05-25 16:11:292307 
引言：氮化镓作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,因其优越的性能,例如高电子迁移率、高电子饱和速率、耐高温及高热导率等优点吸引了越来越多的关注,也正是因为这些优点,垂直氮化镓功率晶体管在未来的电力
2023-02-13 10:42:542995 
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标，随着该项技术商用步伐的加快，在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体管相比的优点 与硅基晶体管相比，GaN功率晶体管有什么优点呢？GaN在品质因数（
2023-08-03 14:43:28694 如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。
2023-09-13 16:06:07880 Nexperia(安世半导体)的高功率氮化镓场效应晶体管，共将分为(上)(下)两期，包含其工艺、性能优势、产品及封装等内容。本期将先介绍 Nexperia(安世半导体)氮化镓产品的成熟的工艺。
2023-09-25 08:19:001508 
氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协
2023-10-24 14:12:266429 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程和所
2023-11-24 11:15:206429 氮化镓（GaN）晶体管在工作过程中产生的热量和由此引起的温升会导致性能下降并缩短器件的寿命，因此亟需开发有效的散热方法。
2023-12-22 10:47:002012 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:416137 氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。由于氮化镓具有优异的电子迁移率、高电子饱和速度和较高的击穿电压能力，使得氮化镓MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 氮化镓是一种重要的半导体材料，属于六方晶系晶体。在过去的几十年里，氮化镓作为一种有着广泛应用前景的材料，受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地介绍氮化镓的晶体结构、性质以及应用领域。 首先，我们来介绍
2024-01-10 10:03:216728 （3.4电子伏特），在紫外到蓝色波段有较高的透明性。这种特性使氮化镓成为光电子学领域的重要材料，广泛应用于LED（发光二极管）、激光器、太阳能电池等器件中。 氮化镓晶体的结构属于尖晶石结构（cubic spessartine structure），即半导体硅晶体结
2024-01-10 10:23:019825 氮化镓场效应晶体管是当今电力电子领域的明星，它正在提高功率转换效率、电机控制和功率密度，有效满足当前的市场需求和趋势。
2024-07-05 09:20:011586 
GaN（氮化镓）晶体管和SiC（碳化硅）晶体管作为两种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信及高温高压应用等领域展现出了显著的优势。然而，它们在材料特性、性能表现、应用场景以及制造工艺等方面存在诸多不同。以下是对这两种晶体管差异的详细分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化镓）晶体管，特别是GaN HEMT（高电子迁移率晶体管），近年来在多个领域展现出广泛的应用场景。其出色的高频性能、高功率密度、高温稳定性以及低导通电阻等特性，使得GaN晶体管成为电力电子和高频通信等领域的优选器件。以下将详细阐述GaN晶体管的主要应用场景，并结合具体实例进行说明。
2024-08-15 11:27:203067 晶体管的主要材料是半导体材料，这些材料在导电性能上介于导体和绝缘体之间，具有独特的电子结构和性质，使得晶体管能够实现对电流的有效控制。以下将详细探讨晶体管的主要材料，包括硅（Si）、锗（Ge）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等，并介绍它们在晶体管制造中的应用和特性。
2024-08-15 11:32:354405 1月8日消息，日本丰田合成株式会社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功开发出了用于垂直晶体管的 200mm（8英寸）氮化镓 （GaN）单晶晶圆。 据介绍，与使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358 电子发烧友网站提供《Nexperia共源共栅氮化镓(GaN)场效应晶体管的高级SPICE模型.pdf》资料免费下载
2025-02-13 15:23:257 氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓晶体管的并联设计.pdf 一、引言 应用场景 ：并联开关管广泛应用于大功率场合，如牵引逆变器、可回收能源系统等
2025-02-27 18:26:311104 在电源转换技术不断进步的背景下，瑞萨电子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化镓场效应晶体管(GaNFET)，专注于满足数据中心、工业以及电动交通应用对高效能和高密度
2025-07-14 10:17:383210 
新品第五代CoolGaN650-700V氮化镓功率晶体管G5第五代650-700VGaN氮化镓功率晶体管可实现高频工况下的效率提升，并满足最高质量标准，能够打造具有超高效率的高可靠性设计。该系
2025-11-03 18:18:052815 
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