第三代半导体的应用面临哪些挑战？如何破局？

近年来，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料成为全球半导体市场热点之一。

然而，第三代半导体的应用还面临着诸多挑战。如何破局？

以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料正在改变着我们的生活。一个氮化镓快充充电器的体积仅是传统充电器的一半左右。

新能源汽车更是通过使用碳化硅技术，使其续航里程在短期内显著提升。

此外，随着光伏发电和储能设施等应用的蓬勃发展，全球第三代半导体功率器件市场持续高度增长。

碳化硅，氮化镓产品相对于传统的硅基功率器件具有更高的开关速度、支持高电流密度、耐受更高的温度等优势。

但是，这类器件的制造过程面临着杂散电感、寄生电阻和器件散热等一系列挑战。

长电科技面向第三代半导体功率器件，开发了高密度成品制造解决方案，通过融合多种先进封装技术，减少杂散电感的干扰：

通过改善键合工艺，降低封装寄生电阻，提高器件通流能力和转换效率；

通过优化散热结构等技术改善热传导路径，提高稳定性和可靠性。

随着5G基站、人工智能、工业互联网等领域的加速建设，对半导体器件的性能提出更高要求，其市场需求也大幅增长。

从全球市场增速来看，根据市场分析机构Yole预测，2021~2027年全球碳化硅功率器件市场保持超过30%的年复合增长。在不久的将来，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体有望迎来“最好的时代”。

长电科技厚积薄发，定位创新前沿，多年来面向第三代半导体功率器件开发完成的高密度成品制造解决方案，已进入产能扩充阶段，预计相关产品营收规模有望大幅增长，同时将促进第三代半导体器件在全球应用市场的快速上量。

审核编辑：汤梓红