Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管

器件采用MPS结构设计，额定电流5 A ~ 40 A

低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

Vishay推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。 日前发布的新一代 SiC 二极管包括5 A 至 40 A 器件，采用TO-220AC2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。

碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正（PFC）和DC/DC超高频输出整流，适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中，器件工作温度可达+ 175 °C，正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管采用高CTI≥600的塑封料，确保电压升高时优异的绝缘性能。 器件具有高可靠性，符合RoHS标准，无卤素，通过2000小时高温反偏（HTRB）测试和2000次热循环温度循环测试。

器件规格表

Vishay16款新型第三代1200 V

碳化硅（SiC）肖特基二极管

新型 SiC 二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为 13 周。