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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>如何化解第三代半导体的应用痛点

如何化解第三代半导体的应用痛点

2023-02-27 | pdf | 0.62 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

集成电路和分立器件领域,硅始终是应用最广泛、技术最成熟的半导体材料,但硅材料技术的成熟恰恰意味着难以 突破瓶颈。为了打破固有屏障,半导体产业进一步深入对新材料、新工艺、新架构的探索。凭借着在功率、射频应用中的显著 性能优势,第三代半导体逐渐显露出广阔的应用前景和市场发展潜力。 所谓第三代半导体,即禁带宽度大于或等于2.3eV的半导体材料,又称宽禁带半导体。常见的第三代半导体材料主要包括碳化 硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氧化锌(ZnO)和金刚石等,其中又以碳化硅和氮化镓材料技术的发展最为成 熟。与第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料通常具备更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率,电子 饱和速率和抗辐射能力也更胜一筹,在高温、高压、高频、高功率等严苛环境下,依然能够保证性能稳定。
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