第三代双沟槽结构SiC-MOSFET介绍
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。
独有的双沟槽结构SiC-MOSFET
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
然而，普通的单沟槽结构由于栅极沟槽底部电场集中而存在长期可靠性相关的课题。针对这类课题，ROHM开发的双沟槽结构通过在源极部分也设置沟槽结构，缓和了栅极沟槽底部的电场集中问题，确保了长期可靠性，从而成功投入量产。
这款采用双沟槽结构的SiC-MOSFET，与正在量产中的第2代平面型（DMOS结构）SiC-MOSFET相比，导通电阻降低约50%，输入电容降低约35%。
实际的SiC-MOSFET产品
下面是可供应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。
一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET。
审核编辑黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
141文章
6569浏览量
210130 -
SiC
+关注
关注
27文章
2435浏览量
61404
发布评论请先 登录
相关推荐
什么是第三代移动通信
什么是第三代移动通信答复：第三代移动通信系统IMT2000，是国际电信联盟（ITU）在1985年提出的，当时称为陆地移动系统（FPLMTS）。1996年正式更名为IMT2000。与现有的第二代移动
发表于 06-13 22:49
liklon的第三代MP3
`第一代没有留下痕迹。第二代之前在论坛展示过：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html现在第三代诞生：`
发表于 08-10 15:35
SiC-MOSFET功率晶体管的结构与特征比较
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET
发表于 11-30 11:35
SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
发表于 11-30 11:34
采用第3代SiC-MOSFET，不断扩充产品阵容
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低组成全SiC功率模块的
发表于 12-04 10:11
第三代移动通信技术定义
３Ｇ定义 ３Ｇ是英文３rd Generation的缩写，至第三代移动通信技术。相对于第一代模拟制式手机（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等数字手机（２Ｇ）来说，第三代手机是指将无线通信与
发表于 07-01 07:19
【罗姆SiC-MOSFET 试用体验连载】罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET（之一）
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型
发表于 07-16 14:55
SiC-MOSFET器件结构和特征
比Si器件低，不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件
发表于 02-07 16:40
SiC-MOSFET和功率晶体管的结构与特征比较
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的
发表于 02-08 13:43
•568次阅读
沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代
发表于 02-24 11:48
•457次阅读
工商网监
评论