国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品

第三代半导体Central issue

2020年10月，国星光电成功举办了首届国星之光论坛，论坛上国星光电宣布将紧抓国产化机遇，迅速拓展第三代半导体新赛道。近期，国星光电正式推出一系列第三代半导体新产品，在新的赛道上迈出了坚实的步伐。

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新赛道 开新局

第三代半导体是国家2030计划和“十四五”国家研发计划的重要发展方向。与传统的硅基半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体除了具备较大的禁带宽度之外，还具有高导热率、高电子饱和漂移速度、高击穿电压、优良的物理和化学稳定性等特点。

风乘国家“十四五”对半导体集成电路领域的规划，国星光电在“三代半封测”领域大力布局，在传承“LED封测”高可靠性的品质管理体系基础上，致力于打造高可靠性及高品质优势的“专业三代半功率封测企业”。

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新方向 创新品

目前，国星光电在第三代半导体领域已经形成了3大产品系列，包括：SiC功率器件、GaN-DFN器件、功率模块。国星光电打造高可靠性、高品质的功率器件封测企业，坚定高性能、高可靠性、高品质的产品路线。

●SiC功率器件

国星光电SiC功率器件小而轻便，反向恢复快、抗浪涌能力强、雪崩耐压高，拥有优越的性能与极高的工作效率。目前该领域已形成了2条SiC功率器件拳头产品线：SiC-MOSFET、SiC-SBD；拥有4种封装结构（TO-247、TO-220、TO-263、TO-252）；可广泛应用于大功率电源、充电桩等工业领域。

●GaN-DFN器件

国星光电的GaN-DFN器件具有更高的临界电场、出色导通电阻、更低的电容等优势，使其尤适用于功率半导体器件，降低节能和系统总成本的同时，工作频率更高，具有极高的功率密度和系统效率，可极大地提升充电器、开关电源等应用的充电效率，广泛应用于新能源汽车充电、手机快充等。

●功率模块

国星光电第三代半导体功率模块，采用自主创新的架构及双面高效散热设计，具有优越的电性能和热性能，杂散电感低、转换效率高、轻载损耗小等优势，其功率密度大，产品体型小，可广泛应用于各种变频器、逆变器的工业领域，满足系统开发人员对空间的严格要求。模块产品可根据特殊功能需求进行模块化定制开发。

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“星”速度 见实效

为做好技术储备积累，满足市场需求，2020年国星光电便启动了组建功率器件实验室及功率器件产线的工作。目前，国星光电第三代半导体新品已正式推出，其中，TO-220/TO247系列的SIC-MOSFET和SIC-SBD产品已经进入了试产阶段，并且在样品阶段完成了AEC-Q101车规级标准的摸底测试验证工作。TO-247-3L的性能达到1200V、40A、80mΩ，TO-220-3L达到1200V、13A、160mΩ。

与此同时，公司产品已送至第三方有资质的机构，正在依据AEC-Q101、JESD22、MILSTD-750等有关车规级和工业级标准进行认证测试。

未来，在国家“十四五”规划的伟大蓝图下，国星光电定将持续加大第三代半导体的研究开发和技术成果转化，为国家战略安全、为第三代半导体国产化贡献力量。

原文标题：重磅 | 国星光电推出第三代半导体系列新产品

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责任编辑：haq