氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注。本研究
2022-04-26 14:07:28
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等离子体图形化刻蚀过程中，刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓，称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。
2023-02-08 09:41:262467 。常见的干法刻蚀设备有反应离子刻蚀机（RIE）、电感耦合等离子体刻蚀机（ICP）、磁性中性线等离子体刻蚀机（NLD）、离子束刻蚀机（IBE），本文目的对各刻蚀设备的结构进行剖析，以及分析技术的优缺点。
2024-01-20 10:24:561114 
在半导体加工工艺中，常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching)，它们像俩兄弟一样，一前一后的出现，有着千丝万缕的联系，这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58552 
工艺设计与优化应用领域：集成电路（硅栅、铝栅CMOS、BiCMOS）、分立器件(DIODE、TRANSISTOR、MOS)、功率器件（DMOS、VDMOS、LDMOS、BCD、IGBT）、特种器件、光电子器件、半导体传感器、MEMS等`
2015-01-07 16:15:47
`什么是MEMS传感器？MEMS的全称是微型电子机械系统（Micro-ElectroMechanical System），微机电系统是指可批量制作的，将微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理
2016-12-09 17:46:21
关于MEMS传感器的基础知识，你了解多少？本文将从MEMS传感器的概念、制造及工艺、MEMS传感器与传统传感器的区别、MEMS传感器的分类几大部分详解，帮助初识MEMS传感器的读者快速了解这一
2018-11-12 10:51:35
MEMS传感器，也就是我们常说的智能传感器，是应用最广泛的MEMS器件。它一般是把信号处理电路和敏感单元集成制作在一个芯片上，这样能够感知被测参数，并且还能对所得到的信号进行分析、处理和识别、判断
2013-10-11 16:21:38
工艺。如Deal-Grove模型所述，这种制造MEMS的方法主要依赖于硅的氧化。热氧化工艺用于通过高精度尺寸控制生产各种硅结构。包括光频率梳[24]和硅MEMS压力传感器[25]在内的设备已经通过
2021-01-05 10:33:12
传感器和变送器本是热工仪表的概念。传感器是把非电物理量如温度、压力、液位、物料、气体特性等转换成电信号或把物理量如压力、液位等直接送到变送器。变送器则是把传感器采集到的微弱的电信号放大以便转送或
2018-11-16 15:16:08
、等离子束焊）和抽真空充氮密封。从密封效果来看，焊接密封为最佳，充填涂覆密封胶为最差。对于室内干净、干燥环境下工作的传感器，可选择涂胶密封的传感器，而对于一些在潮湿、粉尘性较高的环境下工作的传感器，应选
2016-09-27 21:35:49
AOE刻蚀氧化硅可以，同时这个设备可以刻蚀硅吗？大致的气体配比是怎样的，我这里常规的刻蚀气体都有，但是过去用的ICP，还没有用过AOE刻蚀硅，请哪位大佬指点一下，谢谢。
2022-10-21 07:20:28
Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，用电子束对样品断面(剖面)进行观察，亦可进行EDX的成份分析。iST宜特检测具备超高分辨率的离子束及电子束的Dual
2018-09-04 16:33:22
FIB聚焦离子束电路修改服务芯片 在开发初期往往都存在着一些缺陷，FIB(Focused Ion Beam, 聚焦离子束) 电路修改服务，除了可提供了 芯片 设计者直接且快速修改 芯片 电路，同时
2018-08-17 11:03:08
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管！此职位为内部推荐，深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com，我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
缓冲氧化物刻蚀剂中是溶解二氧化硅的成分，并转化为可水冲洗的成分。形成反应的能量来自缓冲氧化物刻蚀溶液的内部或外部加热器。等离子体刻蚀机要求相同的元素：化学刻蚀剂和能量源。物理上，等离子体刻蚀剂由反应室
2018-12-21 13:49:20
好的传感器的设计是经验加技术的结晶。一般理解传感器是将一种物理量经过电路转换成一种能以另外一种直观的可表达的物理量的描述。而下文我们将对传感器的概念、原理特性进行逐一介绍，进而解析传感器的设计的要点。
2020-08-28 08:04:04
械加工技术，是近年来随着集成电路工艺发展起来的，它是离子束、电子束、分子束、激光束和化学刻蚀等用于微电子加工的技术，目前已越来越多地用于传感器领域，例如溅射、蒸镀、等离子体刻蚀、化学气体淀积(CVD
2018-10-25 11:54:06
传感器是数据采集、信息处理的关键部件，它可以将物理世界中的一个物理量映射到一个定量的测量值，使人们对物理世界形成量化认识。第一代传感器网络点到点信号传输功能的传统传感器，采用二线制的4~20mA电流
2018-11-08 10:46:01
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
的加工工艺流程，加工过程中需要运用刻蚀机在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来，实现单片机IC芯片的更小化。芯片，本质上是一片载有集成电路（IC：Integrated circuit）的半导体元件
2018-08-23 17:34:34
台面刻蚀深度对埋栅SITH栅阴击穿的影响针对台面刻蚀深度对埋栅型静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）栅阴击穿特性的影响做了实验研究。实验结果表明，随着台面刻蚀深度的增大，器件栅阴击穿由原来的软击穿变为硬击穿
2009-10-06 09:30:24
是通过在半导体基片上刻蚀特定的图形，来实现传感器单元或者可以移动零点几微米的机 械执行器。MEMS压力传感器是第一类批量应用的产品，如今用于负责监测数以亿计的发动机歧管和轮胎的压力；而MEMS加速度计则用 于安全气囊、翻滚检测以及汽车报警系统，时间也已超过15年之久。
2019-07-22 06:02:53
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30:54
离子束剖面研磨、离子束截面研磨(Cross Section Polisher, 简称CP)，是利用离子束切割方式，去切削出样品的剖面，不同于一般样品剖面研磨，离子束切削的方式可避免因研磨过程所产生
2018-08-28 15:39:44
上。 刻蚀只去除曝光图形上的材料。 在芯片工艺中，图形化和刻蚀过程会重复进行多次。2017年3月11日，据CCTV2财经频道节目的报道，中微AMEC正在研制目前世界最先进的5纳米等离子刻蚀机，将于2017年底将量产。转自吴川斌的博客`
2017-10-09 19:41:52
位移传感器是工业中不可缺少的设备，位移传感器又称为线性传感器，是一种属于金属感应的线性器件，位移传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。那么如何检测位移传感器的误差呢？以下是申思测控小编的分享：
2020-08-12 07:57:44
用USB-6009采集到JC0转矩转速传感器的电压量，通过labview处理已经得到相位差，不知道怎么转化为转矩物理量，知网找了很多论文都交代不明白，求大神指教
2017-05-13 23:35:34
电机与拖动第一章 磁路一、 基本要求二、学习提示第一章 磁路一、 基本要求了解磁场的基本物理量。了解物质在磁性能方面的特点。掌握恒定磁通路欧姆定律，了解交变磁通路欧姆定律和磁路基尔霍夫定律，了解磁路
2021-09-03 06:13:02
一般磁场过于复杂，在工程计算中，通常将磁场问题简化为磁路问题。通常用到有以下5大定律，在学习5大定律前先了解一下磁路中的物理量。
2021-01-25 07:12:56
聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统 FIB-SEM应用
聚焦离子束-扫描电镜双束系统主要用于表面二次电子形貌观察、能谱面扫描、样品截面观察、微小样品标记以及TEM超薄片样品的制备。
1.FIB切片
2023-09-05 11:58:27
, Ga)，因为镓元素具有低熔点、低蒸气压、及良好的抗氧化力；典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子
2020-02-05 15:13:29
` 设备型号：Zeiss Auriga Compact 聚焦离子束(FIB)与扫描电子显微镜(SEM)耦合成为FIB-SEM双束系统后，通过结合相应的气体沉积装置，纳米操纵仪，各种探测器及可控的样品
2020-01-16 22:02:26
好的传感器的设计是经验加技术的结晶。一般理解传感器是将一种物理量经过电路转换成一种能以另外一种直观的可表达的物理量的描述。比如转换成仅依赖于此测物理量的较高的电压电流等信号，再显示出来。因此需要
2021-11-11 06:12:04
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准全自动离子刻蚀机 MEL 3100伯东公司日本原装进口全自动离子刻蚀机 MEL 3100
2022-11-07 17:22:14
源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元
2023-05-11 14:14:53
摘要 利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:45
17 释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术
湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32880 干法刻蚀原理
刻蚀作用：去除边缘PN结，防止上下短路。干法刻蚀原理：利用高频辉光放电反应，使CF4气体激活成活性粒子，这些活性
2010-07-18 11:28:205637 离子束加工原理和离子束加工的应用范围，离子束加工的特点。
2011-05-22 12:48:4116054 
本文在浅沟槽隔离刻蚀过程中发现，当刻蚀腔室上石英窗口的温度超过85℃时，刻蚀终止出现在300mm晶圆的中心。我们认为刻蚀终止的原因是由于某些低挥发SiOxCly刻蚀产物再淀积。石英
2012-05-04 17:09:372803 
在一张头发薄厚、米粒大小的透明塑料薄膜上雕刻出复杂的电路，对离子束加工是小菜一碟。北京埃德万斯公司，一家不到百人的小公司，不声不响地持有这一前景无限、体现国家顶级加工能力的利器。 初冬，中关村环保园一间工厂里，几十台离子束刻蚀机、镀膜机正在运行。
2016-12-13 01:48:111655 钝化层刻蚀对厚铝铝须缺陷影响的研究
2018-03-06 09:02:505607 反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说，有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:2768523 中微半导体设备（上海）有限公司自主研制的5纳米等离子体刻蚀机经台积电验证，性能优良，将用于全球首条5纳米制程生产线。
2018-12-29 08:48:144742 物理传感器是检测物理量的传感器。它是利用某些物理效应，把被测量的物理量转化成为便于处理的能量形式的信号的装置。
2019-12-24 14:53:483627 深反应离子刻蚀工艺，是实现高深宽比特性的重要方式，已成为微加工技术的基石。这项刻蚀技术在众多领域均得到了应用：1)MEMS电容式惯性传感器；2) 宏观设备的微型化；3) 三维集成电路堆叠技术的硅通孔工艺。
2020-10-09 14:17:3512731 
不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议
2022-12-13 11:42:001674 不久前，MEMS 蚀刻和表面涂层方面的领先企业 memsstar 向《电子产品世界》介绍了 MEMS 与传统 CMOS 刻蚀与沉积工艺的关系，对中国本土 MEMS 制造工厂和实验室的建议等。
2020-12-08 23:36:0025 北方华创（Naura）官方宣布，ICP等离子刻蚀机第1000腔交付仪式近日在北京亦庄基地举行，NAURA刻蚀机研发团队见证了这一历史性时刻。
2020-12-11 15:30:092176 摘要：在半导体制造工艺的湿法刻蚀中，用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中，热磷酸刻蚀后的去离子水（ＤＩＷ）清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子
2020-12-29 14:36:072510 
在集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀；后者是利用等离子体来进行
2020-12-29 14:42:588547 
兼容性好．采用电感耦合等离子体源(inductivelycoupledpla蛐，I凹)技术对金属钛进行三雏深刻蚀，采用不同刻蚀掩模、氯基刻蚀气体，研究了线圈功率、平板功率和娼流量对刻蚀速率和选择比等工艺参数的影响，并对砸深刻蚀参数进行了优化，得到0．
2020-12-29 14:47:002366 刻蚀是半导体制造中十分关键的一环，刻蚀通过物理或化学方法将硅片表面不需要的材料去除，从而将掩膜图形正确的复制到涂胶硅片上。
2021-02-23 16:41:573382 电子束加工和离子束加工是近年来得到较大发展的新型特种加工。他们在精密微细加工方面，尤其是在微电子学领域中得到较多的应用。通常来说，电子束加工主要用于打孔、焊接等热加工和电子束光刻化学加工，而离子束加工则主要用于离子刻蚀、离子镀膜和离子注入等加工。
2021-03-17 20:10:4815 聚焦离子束技术（Focused Ion beam，FIB）是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面，实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展，纳米尺度制造业发展迅速，而纳米加工就是纳米制造业的核心部分，纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。
2021-04-03 13:51:003143 刻蚀机不能代替光刻机。光刻机的精度和难度的要求都比刻蚀机高出很多，在需要光刻机加工的时候刻蚀机有些不能办到，并且刻蚀机的精度十分笼统，而光刻机对精度的要求十分细致，所以刻蚀机不能代替光刻机。
2022-02-05 15:47:0039913 反应器。区分三个主要群体也很常见；(1)化学等离子体蚀刻，(2)协同反应离子蚀刻(RIE)和(3)物理离子束蚀刻(IBE)。一般来说，IBE仅显示出正锥形轮廓、低选择性和低蚀刻速率，而PE产生各向同性
2022-02-14 15:22:071612 
刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示， 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量， 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中， 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定， 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2022-03-15 13:41:592907 
我们测量了硅化物膜(CoSi2、NiSi2、TiSi2和WSi)的溅射刻蚀速率，并研究了离子能量的依赖性，发现它们与二氧化硅薄膜的相对溅射刻蚀速率几乎与溅射离子能量无关，从相对溅射蚀刻速率和计算
2022-05-07 15:41:461126 
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺，一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种，干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性，更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:316 湿法刻蚀也称腐蚀。硅的湿法刻蚀是 MEMS 加工中常用的技术。其中，各向同性 （Isotropic）湿法刻蚀常用的腐蚀剂是由氢氟酸（HF）、硝酸（ HNO3）和乙酸（CH3COOH）组成的混合物
2022-10-08 09:16:323581 在 MEMS 制造工艺中，常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀 （Reactive lon Etching， RIE）、深反应离子刻蚀（Deep Reactive lon Etching， DRIE） 和XerF2各向同性蚀刻。
2022-10-10 10:12:153281 干法刻蚀工艺流程为，将刻蚀气体注入真空反应室，待压力稳定后，利用射频辉光放电产生等离子体；受高速电子撞击后分解产生自由基，并扩散到圆片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:193264 得益于远距离无电源电子标签技术，把仅有3mm*10mm 的电子标签嵌入到振弦传感器中，使四线制振弦传感器具有了 ID 识别、温度读取、自动获取物理量等智能功能。 首先，传感器内部安装
2022-11-23 09:14:35281 
刻蚀是移除晶圆表面材料，达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀，这种刻蚀能将指定区域的材料去除，如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09:351748 刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量，因此刻蚀速率是一个重要参数。
2023-02-06 15:06:263998 湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。
2023-02-10 11:03:184085 刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。
2023-02-20 09:45:072586 氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的
不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注
2023-02-22 15:45:410 从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高，明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速率总和。
2023-02-23 17:17:202706 等离子体最初用来刻蚀含碳物质，例如用氧等离子体剥除光刻胶，这就是所谓的等离子体剥除或等离子体灰化。等离子体中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与含碳物质中的碳和氢反应，形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物质有效地从表面移除。这个过程是在带有刻蚀隧道的桶状系统中进行的（见下图）。
2023-03-06 13:50:481074 对于湿法刻蚀，大部分刻蚀的终点都取决于时间，而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法，所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响，这种影响对不同工作站和不同批量均有差异，因此单独用时间决定刻蚀终点很困难，一般釆用操作员目测的方式。
2023-03-06 13:56:031773 DRAM栅工艺中，在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层，然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200 压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓，同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:431922 上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大口径射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 实现 300mm 和 200mm 硅片蚀刻, 刻蚀
2023-06-15 14:58:47665 
刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后，就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种，取决于所使用的物质
2022-07-12 15:49:251454 
离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此，氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量，它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束，蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:563990 
第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH)，即多次交替循环刻蚀和淀积工艺，刻蚀工艺使用的是SF6气体，淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:463214 
刻蚀（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的图案和结构。刻蚀的原理是利用化学反应或物理过程，通过移除材料表面的原子或分子，使材料发生形貌变化。
2023-08-01 16:33:383915 PVP可以在刻蚀过程中形成一层保护性的膜，降低刻蚀剂对所需刻蚀材料的腐蚀作用。它可以填充材料表面的裂缝、孔洞和微小空隙，并防止刻蚀剂侵入。这样可以减少不需要的蚀刻或损伤，提高刻蚀的选择性。
2023-08-17 15:39:392859 在半导体制造中，刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀，这两种技术各有优势，也各有一定的局限性，理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:003307 
刻蚀（或蚀刻）是从晶圆表面去除特定区域的材料以形成相应微结构。但是，在目标材料被刻蚀时，通常伴随着其他层或掩膜的刻蚀。
2023-10-07 14:19:252073 
对DRIE刻蚀，是基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。与RIE刻蚀原理相同，利用硅的各向异性，通过化学作用和物理作用进行刻蚀。不同之处在于，两个射频源：将等离子的产生和自偏压的产生分离
2024-01-14 14:11:59512 
使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者：泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42130 
影响深硅刻蚀的关键参数有：气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39283 
刻蚀机的刻蚀过程和传统的雕刻类似，先用光刻技术将图形形状和尺寸制成掩膜，再将掩膜与待加工物料模组装好，将样品置于刻蚀室内，通过化学腐蚀或物理磨蚀等方式将待加工物料表面的非掩膜区域刻蚀掉，以得到所需的凹槽和沟槽。
2024-03-11 15:38:24471 
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