HMC981LP3E有源偏置控制器:特性、应用与设计要点 在电子工程师的日常设计中,偏置控制器的选择和应用至关重要。今天我们就来深入探讨一下Analog Devices公司的HMC981LP3E有源
2026-01-05 10:50:06
41 HMC920LP5E:高性能有源偏置控制器的深度解析 在电子工程师的日常工作中,为射频放大器提供稳定、可靠的偏置解决方案是一项关键任务。今天,我们就来深入探讨一款在这方面表现卓越的产品
2026-01-04 17:00:11
203 作用。今天,我们就来详细探讨Analog Devices推出的HMC902LP3E低噪声放大器,看看它有哪些独特之处。 文件下载: HMC902LP3E.pdf 一、产品概述 HMC902LP3E
2026-01-04 16:55:02
202 探索HMC591LP5/HMC591LP5E:6.0 - 9.5 GHz GaAs PHEMT MMIC 2瓦功率放大器 在射频和微波工程领域,功率放大器是不可或缺的核心组件。今天,我们就来深入探讨
2026-01-04 14:40:04
38 深入解析HMC566LP4E:28 - 36 GHz低噪声放大器的卓越之选 在当今的高频通信和测试领域,低噪声放大器(LNA)的性能对系统的整体表现起着至关重要的作用。今天,我们就来详细探讨一款在
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56 探索HMC566LP4E:28 - 36 GHz低噪声放大器的卓越性能与应用 在射频和微波领域,低噪声放大器(LNA)是至关重要的组件,它能够在放大信号的同时尽可能减少噪声的引入。今天,我们将
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54 HMC487LP5E:9 - 12 GHz 2 瓦功率放大器的卓越之选 在电子工程领域,功率放大器的性能对于众多应用场景至关重要。今天,我们就来详细探讨一下 Analog Devices 推出
2026-01-04 10:35:09
70 深入解析HMC490LP5(E)低噪声放大器:特性、应用与设计要点 在电子工程的微波通信领域,低噪声放大器(LNA)是至关重要的组件,它直接影响着接收系统的灵敏度和性能。今天,我们就来详细探讨一款
2026-01-04 10:30:05
78 GaAs PHEMT MMIC调制器驱动放大器HMC465LP5(E)的特性与应用 在电子工程领域,放大器是信号处理与传输中不可或缺的关键组件。今天,我们要深入探讨一款性能卓越的放大器
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73 探索HMC463LP5 / 463LP5E:高性能低噪声AGC放大器 在电子工程领域,放大器是不可或缺的重要组件,尤其是在高频、低噪声的应用场景中。今天,我们将深入探讨一款备受关注的放大器
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79 探索HMC462LP5/HMC462LP5E:2 - 20 GHz宽带低噪声放大器 在电子工程领域,低噪声放大器(LNA)是信号处理系统中至关重要的组件,尤其在对信号质量要求极高的应用场景中。今天
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70 、CDMA、W - CDMA以及PHS等应用中,对放大器的线性度、输出功率和效率都提出了极高的要求。今天,我们就来深入探讨Analog Devices推出的HMC461LP3/LP3E这款1.7
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211 InGaP HBT 半瓦高 IP3 放大器 HMC455LP3/455LP3E 深度解析 在当今的无线通信领域,对于高性能放大器的需求与日俱增。特别是在多载波系统、GSM、GPRS、EDGE
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209 解析HMC415LP3/LP3E:4.9 - 5.9 GHz高效功率放大器 在无线通信领域,对于特定频段的高效功率放大器需求一直很旺盛。今天我们就来详细剖析Analog Devices推出
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398 探索 HMC382LP3 / HMC382LP3E:1.7 - 2.2 GHz GaAs PHEMT MMIC 低噪声放大器的卓越性能 在电子工程师的日常工作中,为特定应用选择合适的低噪声放大器
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72 探索HMC409LP4E:3.3 - 3.8 GHz高效功率放大器的卓越性能 在当今的无线通信领域,对于高性能功率放大器的需求日益增长。特别是在3.3 - 3.8 GHz频段,诸如WiMAX
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64 探索HMC375LP3/LP3E低噪声放大器:基站接收的理想之选 在当今的无线通信领域,基站接收器的性能对于整个通信网络的质量起着至关重要的作用。而低噪声放大器(LNA)作为基站前端的关键组件,其
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77 阶段,以极低的噪声干扰放大信号,为后续的信号处理奠定良好基础。今天我们要深入探讨的就是 Analog Devices 推出的一款优秀低噪声放大器——HMC376LP3/HMC376LP3E,它工作在 700
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75 探索HMC408LP3 / 408LP3E:5.1 - 5.9 GHz高功率放大器的卓越性能 在无线通信领域,功率放大器作为关键组件,其性能直接影响着整个系统的表现。本文将深入探讨Analog
2025-12-31 16:15:22
101 详细探讨一下 Analog Devices 推出的 HMC373LP3/LP3E 这款 GaAs PHEMT MMIC 低噪声放大器,看看它有哪些独特的特性和应用场景。 文件下载: HMC
2025-12-31 16:00:22
62 Devices推出的HMC372LP3/LP3E这款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器,看看它在700 - 1000 MHz频段的表现究竟如何。 文件下载: HMC372.pdf 典型应用场
2025-12-31 15:45:06
76 和性能。今天,我们就来深入了解一下Analog Devices推出的HMC356LP3/LP3E,一款工作在350 - 550 MHz频段的GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器。 文件下载
2025-12-31 15:30:13
93 探索 HMC1049LP5E:高性能 GaAs MMIC 低噪声放大器的卓越之选 在当今的射频和微波领域,高性能的低噪声放大器(LNA)是实现优质信号处理和传输的关键组件。HMC1049LP5E
2025-12-31 14:50:15
89 深入剖析HMC311LP3/LP3E:DC - 6 GHz增益模块MMIC放大器 在电子工程领域,放大器的性能和适用性对于各类射频系统至关重要。今天我们要探讨的HMC311LP3/LP3E,是一款由
2025-12-31 14:10:02
112 。今天,我们就来详细探讨一下Analog Devices推出的HMC263LP4E这款GaAs MMIC低噪声放大器。 文件下载: HMC263LP4E.pdf 典型应用场景 HMC263LP4E在
2025-12-31 14:00:13
84 对数检波器与同轴检波器的核心区别在于输出特性和动态范围。对数检波器输出与输入功率呈对数关系,具备极宽动态范围,适合雷达、通信等信号强度大幅波动的场景。同轴检波器输出与功率呈线性关系,频率覆盖极宽
2025-11-26 14:52:50
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SMA同轴检波器系列产品,适用于射频微波信号的包络检波,具备连续波检波输出、脉冲检波输出能力。检波器优良的驻波比性能:减小测量不确定性误差;良好的宽带幅频特性:用于宽带调制信号检波测量时降低测量误差;高速脉冲响应特性:用于脉冲信号检测时,减小边沿失真
2025-11-26 14:48:57
0 HEROTEK作为美国资深射频微波元器件厂商,其限幅检波器以高可靠性、军工品质及DC-75GHz超宽频覆盖,在雷达、通信、电子战等领域占据核心地位。HEROTEK限幅检波器具备1W CW功率防护
2025-08-06 08:59:22
)指示器输出,输入信号幅度阈值电平可通过LOSTH引脚调节。 HMC914LP4E还集成一个输出电平控制引脚VAC,可用于损耗补偿或输出信号电平优化。 差分输出信号摆幅可调节至最高750 mVp-p。此外
2025-05-12 14:27:53
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HMC7501LP4E是一款限幅放大器,旨在支持高达12.5Gbps的数据传输速率。该放大器可在较宽的输入电压电平范围内工作,并提供恒定的差分输出摆幅。HMC7501LP4E具备输出电平控制引脚
2025-05-12 14:00:07
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HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 11:30:33
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HMC583LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC583LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 11:26:07
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HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构,该VCO的相位噪声性能在不同的温度、冲击和工艺条件下均非常出色。
2025-04-30 11:20:17
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HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
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HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可提供16分频输出。 由于振荡器的单
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HMC531LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC531LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 11:02:22
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HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 10:56:53
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HMC529LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC529LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
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HMC515LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 10:16:57
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HMC514LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC514LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 10:13:35
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HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
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HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 09:42:59
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HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于
2025-04-30 09:28:03
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HMC508LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC508LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构
2025-04-30 09:19:39
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HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构
2025-04-29 18:09:54
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HMC466LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 该VCO在6.1至6.72 GHz的频率下工
2025-04-29 17:25:40
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HMC429LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,带有集成谐振器、负电阻器件、变容二极管、缓冲放大器。 这款VCO在4.45至5.0 GHz的频率下
2025-04-29 16:35:26
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HMC389LP4和HMC389LP4E是GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位
2025-04-29 14:21:53
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HMC385LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO,集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度
2025-04-29 14:07:57
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HMC698LP5(E)是一款频率合成器,集成宽带极性可反转数字PFD和锁定检测输出。 该分频器的无条件工作范围为80 - 7000 MHz,连续整数分频比为12至259。由于高工作频率以及超低
2025-04-27 17:09:35
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HMC535LP4(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC PLO。 由于振荡器的单芯片结构,PLO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。 采用+5V电源电压时,输出功率为+9 dBm(典型值)。
2025-04-27 16:45:29
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HMC4069LP4E是一款整数N分频频率合成器,将10至1300MHz的数字鉴频鉴相器与10至2900MHz 5位频率计数器组合在一起。它适合低相位噪声频率合成器应用。
该器件将高工作频率
2025-04-25 10:46:28
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HMC759LP3E是一款7位BiCMOS数字衰减器,采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容,适合各种RF和IF应用。 控制接口兼容CMOS/TTL
2025-04-24 16:35:45
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HMC1095LP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无铅SMT封装。 多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容,使其适合各种RF和IF应用。 双模控制接口兼容
2025-04-24 14:14:26
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我想提问关于对数功率检波器ADL5513的相关问题:
Datasheet中Small Signal Video Bandwidth指标为10MHz,实际测试结果远小于10MHz;
1、请问该指标
2025-04-24 07:44:37
HMC1044LP3E是一款针对所有采用正交调制器和/或解调器应用的可编程带宽LPF(低通滤波器)。 HMC1044LP3E可滤除LO谐波,从而确保LO对调制器边带抑制或解调器镜像抑制性能的贡献非常小或为零。
2025-04-23 10:48:44
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HMC694LP4E是一款GaAs MMIC PHEMT模拟可变增益放大器,工作频率范围为6至17 GHz。 该放大器适合微波无线电应用,提供高达22 dB增益、+22 dBm输出P1dB、+30
2025-04-21 11:41:44
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为5 dB,任意状态下的输出IP3最高为+40 dBm。 这款高线性度DVGA还提供差分RF输出,可用来直接对接Tx以及Rx应用中的SAW滤波器以及Rx链路上的数模转换器。 HMC680LP4(E)采用RoHS兼容型4x4 mm QFN无引脚封装,支持CMOS/TTL。
2025-04-21 10:00:36
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HMC996LP4E是一款GaAs PHEMT MMIC模拟可变增益放大器和/或驱动器放大器,工作频率范围为5至12 GHz。 该放大器提供高达18.5 dB增益、高达+23 dBm P1dB以及
2025-04-19 15:22:59
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HMC6187LP4E是一款GaAs MMIC pHEMT模拟可变增益放大器和/或驱动器放大器,工作频率范围为27至31.5 GHz,适合用于微波无线电应用。 该放大器最高可提供19 dB增益
2025-04-19 15:14:00
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HMC942LP4E是一款x2有源宽带倍频器,使用GaAs pHEMT技术,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时,该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17
2025-04-18 14:47:04
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)。 HMC705LP4E具有较高的工作频率并具有低相位噪底特性,非常适合高性能快速建立频率合成器架构。 HMC705LP4E可搭配Hittite鉴频鉴相器、VCO和PLL IC使用,从而实现低噪声、快速建立锁相环。
2025-04-18 14:14:51
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HMC695LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器,采用4x4 mm无铅表贴封装。 在+5V电源电压下,功率输出为+7 dBm(典型值)且相对输入功率
2025-04-18 14:07:00
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HMC575LP4(E)是一款x2有源宽带倍频器,使用GaAs PHEMT技术,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由3 dBm信号驱动时,该倍频器提供+17 dBm的典型输出功率,在6至9 GHz的频率下工作。 相对于输出信号电平,Fo和3Fo隔离为15 dBc。
2025-04-18 11:19:41
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HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+6 dBm(典型值),电源电压为5V,在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。
2025-04-17 17:03:10
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HMC443LP4(E)是一款有源微型x4倍频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用4x4 mm无引脚表面贴装封装。 功率输出为+4 dBm(典型值),电源电压为5V,在不同的输入功率、温度
2025-04-17 16:42:19
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HMC394LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程5位计数器,采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在输入频率高达2.2 GHz时,该器件可在N为2至32范围进行连续分频。 输出电压摆幅为
2025-04-17 11:35:47
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HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器,采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在5V电源电压下,功率输出为0 dBm(典型值)且相对输入功率
2025-04-17 11:30:11
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HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器,提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm(典型值),单电源电压为+5V,在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面,对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc(典型值)。
2025-04-17 11:21:29
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HMC368LP4(E)是一款利用GaAs PHEMT技术制造而成的微型放大器倍频器,采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 由+2 dBm信号驱动时,该倍频器在9至16 GHz范围内提供+15 dBm
2025-04-17 11:15:55
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目前遇到的问题是,在输入信号小于-60dBm时,检波器的输出总是会叠加占空比很小的方波在上面,影响采集,但是为什么会出现这个波呢?也是参照官方的demo做的电路。另外LT5538这个检波器在没有信号
2025-04-15 06:40:34
HMC631LP3和HMC631LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC,可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用来连续
2025-04-09 11:22:37
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HMC630LP3和HMC630LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC,可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用来连续改变RF
2025-04-09 11:16:06
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HMC500LP3(E)是一款高动态范围的矢量调制器RFIC,用于RF预失真和前馈消除电路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正电路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持续改变RF信号
2025-04-09 10:55:15
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HMC967LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益、2.5 dB的噪声系数,并在频段范围内提供25
2025-04-02 16:10:21
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HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器,采用4x4 SMT QFN封装,工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时,3G和4G GSM/CDMA
2025-04-02 14:27:23
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HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc
2025-04-01 13:57:35
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ADL5502是一款均值响应(真均方根)功率检波器,内置包络检波器,可以精确地测量调制信号的波峰因数。它可以用于450 MHz至6 GHz的高频接收机和发射机信号链,包络带宽超过10 MHz。它仅需2.5 V至3.3 V单电源便可工作,功耗低于3 mA。输入为内部交流耦合,具有500 Ω标称输入阻抗。
2025-03-25 17:17:18
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ADL5910是一款包络阈值检波器,工作频率范围是DC至6 GHz。 RF输入信号可驱动内部包络检波器。 包络检波器的输出电压可驱动同样由用户定义输入电压驱动的比较器。 当包络检波器电压超过用户定义
2025-03-25 16:58:32
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LTC5535 是一款 RF 应用工作频率范围为 600MHz 至 7GHz 的 RF 功率检波器。 在一个小外形 ThinSOT 封装中集成了一个温度补偿型肖特基二极管峰值检波器和输出放大器。 其
2025-03-25 15:28:00
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AD8361是一款均值响应功率检波器,适用于最高2.5 GHz的高频接收机和发射机信号链。 该器件使用非常简单, 在大部分应用中仅需2.7 V至5.5 V的单电源、电源去耦电容和输入耦合电容即可工作
2025-03-25 14:10:28
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ADL5502是一款均值响应(真均方根)功率检波器,内置包络检波器,可以精确地测量调制信号的波峰因数。它可以用于450 MHz至6 GHz的高频接收机和发射机信号链,包络带宽超过10 MHz。它仅需2.5 V至3.3 V单电源便可工作,功耗低于3 mA。输入为内部交流耦合,具有500 Ω标称输入阻抗。
2025-03-25 09:28:41
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ADL5902是一款功率检波器,当采用单端50 Ω信号源驱动时,测量范围为60 dB。这一特性使得该器件无需其它形式的外部输入调谐,因此具有极高的频率灵活性,工作频率最高可达9 GHz。
2025-03-24 18:13:18
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LTC5564 是一款精准的 RF 功率检波器,适合于频率范围为 600MHz 至 15GHz 的应用。LTC5564 可在 -24dBm 至 16dBm 的输入功率级范围内运作。
一个温度
2025-03-24 16:55:55
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HMC980LP4E是一款有源偏置控制器,可自动调整外部放大器的栅极电压,从而实现恒定的偏置电流。 HMC980LP4E集成控制器,实现了安全的电源开/关、禁用/使能和自动供电序列,从而保证外部
2025-03-21 15:50:49
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HMC566LP4E是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信号增益、2.8 dB噪声系数
2025-03-20 15:55:24
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HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V
2025-03-19 15:41:44
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HMC8142是一款集成温度补偿片内功率检波器的E频段砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、中等功率放大器,工作频率范围为81 GHz至86 GHz
2025-03-12 14:55:50
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HMC7543是一款集成式E波段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)中等功率放大器,集成温度补偿型片上功率检波器,工作频率范围为71 GHz至76 GHz
2025-03-12 14:42:35
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HMC662LP3E对数检波器可将输入端的RF信号转换为输出端的成比例直流电压。 HMC662LP3E采用连续压缩拓扑结构,在宽输入频率范围内具有高动态范围。 随着输入功率增加,连续放大器逐渐
2025-02-13 11:51:51
HMC965LP5E是一款集成温度补偿片内功率检波器的4级GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器,工作频率范围为12.5至15.5 GHz。 HMC965LP5E提供27 dB增益、+34
2025-02-13 11:16:41
HMC7543是一款集成式E波段的砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)中等功率放大器,集成温度补偿型片上功率检波器,工作频率范围为71 GHz至76 GHz
2025-02-07 10:56:11
HMC1030LP5E是一款双通道RMS功率检波器,专门针对高精度RF功率信号测量和控制应用而设计,工作频率范围为0.1至3.9 GHz。 该器件可采用均方根值为-60 dBm至+10 dBm(以
2025-01-17 14:18:28
HMC1020LP4E功率检波器设计用于RF功率测量和频率高达3.9 GHz.的控制应用。 该检波器提供精确的任何宽带、单端RF/IF输入信号均方根表示。 输出为温度补偿式、单调表示实信号功率,采用
2025-01-17 13:57:00
HMC1021LP4E是一款集成高带宽包络检波器的RMS功率检波器。RMS输出为温度补偿式、单调、线性dB表示的RF实信号功率,采用70 dB的输入检测范围测量。该包络检波器能够提供精确的电压输出
2025-01-17 11:09:43
HMC602LP4(E)对数检波器/控制器可在输入端将RF信号转换为输出端成比例的直流电压。 HMC602LP4(E)采用逐次压缩拓扑,在宽输入频率范围内具有极高的动态范围和转换精度。 随着输入功率
2025-01-17 10:53:49
HMC1010LP4E功率检波器设计用于RF功率测量和频率高达3.9 GHz.的控制应用。 该检波器提供精确的RF/IF输入信号均方根表示。 输出为温度补偿式、单调表示实信号功率,采用60 dB
2025-01-17 10:43:33
HMC1095LP4E是一款宽带6位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无铅SMT封装。 多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容,使其适合各种RF和IF应用。 双模控制接口兼容
2025-01-16 15:37:49
HMC1013LP4E是一款连续检波对数视频放大器,工作频率范围为0.5至18.5 GHz。 HMC1013LP4E提供67 dB的对数范围。 该器件提供5/15 ns的典型快速上升/下降时间
2025-01-16 15:27:40
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