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标签 > 开关损耗
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探索 onsemi FGH4L50T65MQDC50 IGBT 的卓越性能
在电子工程师的日常设计工作中,选择合适的功率器件至关重要。今天,我们就来深入探讨 onsemi 推出的 FGH4L50T65MQDC50 IGBT,看看...
STGWA30IH160DF2 IGBT器件技术解析与应用指南
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。在软换向...
IGBT模块的开关损耗(动态损耗)与导通损耗(静态损耗)的平衡优化是电力电子系统设计的核心挑战。这两种损耗存在固有的折衷关系:降低导通损耗通常需要提高载...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)的开关...
电源开关损耗是电子电路中一个重要的性能指标,它反映了开关器件在开关过程中产生的能量损失。准确测量电源开关损耗对于优化电路设计、提高系统效率具有重要意义。...
一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。...
2019-06-26 标签:开关损耗 1.2k 0
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