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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)12月3日,安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录,双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会,基于英诺赛科...
云镓大功率 GaN 产品 | 技术参数解读 钛金服务器电源 DEMO
云镓半导体云镓工业级GaN产品器件参数解读&3kW服务器电源DEMO1.前言云镓半导体在工业级GaN产品上不断耕耘,推出系列化GaN功率器件以及...
应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis
云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如...
应用指导 | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)
云镓半导体应用指导CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可...
应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation
云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟...
应用指导 | CGAN002: How to read GaN datasheet
云镓半导体应用指导CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名规则以CG65030TAD产品为例,"C"为公司...
不止于“收缩”:全方位解读ULTEA®如何成为提升电子材料综合性能的“战略级添加剂”
在电子材料的配方设计中,填料的选择至关重要。传统填料如二氧化硅、氧化铝等,主要扮演着降低成本、调节流变、或提高导热/绝缘的角色。然而,随着应用终端对电子...
上海永铭:第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案
AMEYA360代理品牌:上海永铭第三代半导体落地关键,如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案 引言:氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术...
眺望未来:负热膨胀材料ULTEA®在下一代电子技术中的前瞻性应用探索
电子产业的技术浪潮——从硅基微纳尺度的延续,到宽禁带半导体的崛起,再到量子信息、柔性电子、异质集成等范式的开拓——无一不在呼唤与之匹配的新材料解决方案。...
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)12月3日,安森美宣布与英诺赛科签署了谅解备忘录,双方将评估加速40V-200V氮化镓功率器件部署的合作机会,基于英诺赛科...
了解专为N沟道增强模式GaN晶体管打造的高压半桥栅极驱动器的最新技术成果。此类器件具有无与伦比的效率和可靠性,堪称SMPS、电池充电器、适配器、泵、压缩...
今日,南芯科技(证券代码:688484)宣布推出 700V 高压 GaN 半桥功率芯片 SC3610,可实现高精度电压驱动、更优的通道延时匹配和更好的 ...
历经多年锤炼,21Dianyuan 锐意进取,再启新篇,邀请数十名国内外资深专家,打造出规模超前的第十六届“亚洲电源技术发展论坛”。五十多位资深专家技术...
“芯”品发布|镓未来推出“9mΩ”车规级 GaN FET,打破功率氮化镓能效天花板!
在追求高效能、高可靠性功率半导体技术的道路上迈出关键一步,打破车规级功率半导体性能边界 近日,镓未来正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9m...
Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计,赋能AI数据中心电源
Allegro 创新栅极驱动器助力工程师实现钛金级效率和极佳功率密度,满足严苛的 AI 和边缘计算应用需求 中国 & 美国新罕布什尔州曼彻斯特 ,202...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| GS61008P-MR | 增强型硅基氮化镓功率晶体管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
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