意法半导体GaN栅极驱动器助力打造运动控制解决方案

极其高效、可靠的高压半桥GaN栅极驱动器

了解专为N沟道增强模式GaN晶体管打造的高压半桥栅极驱动器的最新技术成果。此类器件具有无与伦比的效率和可靠性，堪称SMPS、电池充电器、适配器、泵、压缩机等各种消费类和工业应用的理想选择。意法半导体GaN栅极驱动器搭载了集成自举二极管，且具有出色的电流能力和较短的传播延迟，堪称驱动器技术的全新标杆。为了简化开发和集成过程，我们推出了适用于STDRIVEG610和STDRIVEG611的评估板；它们可以帮助用户轻松、快速地完成原型开发工作。

您是否正在寻找适合功率转换应用的高效GaN驱动器？

STDRIVEG610专门面向功率转换应用，可将启动时间缩短至仅仅300ns。其高侧驱动器部分能够在最高600V的电压轨下运行，从而确保在苛刻的使用环境下仍可提供稳健的性能。集成式LDO能够极大地提高器件的集成度，而UVLO功能则可以增强器件的稳健性。此外，互锁功能可以避免出现交叉传导的情况。STDRIVEG610采用紧凑的4x5mm QFN封装，非常适合高压DC-DC转换器和高压PFC等效率和紧凑性要求较高的应用。

您是否需要利用可靠的GaN驱动器来打造运动控制解决方案？

STDRIVEG611专门针对运动控制应用进行了优化，具有专门的UVLO功能、防止交叉导通的互锁功能以及集成了SmartSD技术，旨在提升保护等级的过流比较器。该器件可确保在工业驱动器、家用电器和电动自行车内部无缝运行。STDRIVEG611可凭借集成式比较器在发生过流事件时实现快速响应，对于需要高速和高性能GaN驱动的应用（例如伺服驱动器、工业驱动器和D类音频放大器）而言堪称一项可靠的选择。