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EUV光刻技术 - 即将在芯片上绘制微小特征的下一代技术 – 原来是预计在2012年左右投产。但是几年过去了，EUV已经遇到了一些延迟，将技术从一个节点推向下一个阶段，本单元详细介绍了EUV光刻机，EUV光刻机技术的技术应用，EUV光刻机的技术、市场问题，国产euv光刻机发展等内容。
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虽然DUVL机器可以通过多重曝光技术将线宽缩小到7-5纳米，但如果要获得更小的线宽，DUVL已经达到了极限。采用EUV作为光源的极紫外光刻（EUVL）成...
光刻机经历了5代产品发展，每次改进和创新都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。按照使用光源依次从g-line、i-line发展到KrF、ArF和EU...
在封装史上，最后一次重大范式转变是从引线键合到倒装芯片。从那时起，更先进的封装形式（例如晶圆级扇出和 TCB）一直是相同核心原理的渐进式改进。
对基板移动进行仔细管理和将基板支架的机械公差降至最低，实现无与伦比的厚度均匀性溅射工艺的卓越稳定性和极高水平的层厚度精度。
摩尔定律是指在给定面积的硅片上，晶体管的数量大约每两年翻一番，这种增益推动了计算技术的发展。在过去半个世纪里，我们将该定律视为一种类似进化或衰老的不可避...
微电子制造过程中的图形转移母版掩膜版（Photomask）又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，是微电子制造过程中的图形转移工具或母版，是图形设计和工艺技术等...
掩膜版保护膜，mask pellicle，是一种透明的薄膜，在生产中覆盖在掩膜版的表面。顾名思义，主要对掩膜版起物理与化学保护作用。
在3D实现方面，存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺，所有公司都放弃了小型化，转而转向存储单元的三...
KrF光刻胶是指利用248nm KrF光源进行光刻的光刻胶。248nmKrF光刻技术已广 泛应用于0.13μm工艺的生产中,主要应用于150 , 200...
纳米压印是微纳工艺中最具发展潜力的第三代光刻工艺，是最有希望取代极紫外光的新一代工艺。最近，海力士公司从佳能购买了一套奈米压印机，进行了大规模生产，并取...
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻胶：随着特征尺寸的缩小，光刻胶分子成分成为特征尺寸的一部分。构成光刻胶的分子必须是单组分、小的构建块，以防止聚...
EUV 光是指用于微芯片光刻的极紫外光，涉及在微芯片晶圆上涂上感光材料并小心地将其曝光。这会将图案打印到晶圆上，用于微芯片设计过程中的后续步骤。
光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上，通过光的照射，光刻胶的成分发生化学反应，从而生成电路图。限...
采用曲线掩模的另一个挑战是需要将两个掩模缝合在一起以在晶圆上形成完整的图像。对于高数值孔径 EUV，半场掩模的拼接误差是一个主要问题。
欧洲极紫外光刻（EUVL）技术利用波长为13.5纳米的光子来制造集成电路。产生这种光的主要来源是使用强大激光器产生的热锡等离子体。激光参数被调整以产生大...
SSMB就产生了和FEL类似的“微聚束”，但是关键还加上了“稳态”。FEL不是稳态，电子团在波荡器里自由互相作用，最后发出强光完事。SSMB是让电子束在...
EUV光刻胶材料是光敏物质，当受到EUV光子照射时会发生化学变化。这些材料在解决半导体制造中的各种挑战方面发挥着关键作用，包括提高灵敏度、控制分辨率、减...
上海伯东客户日本某生产半导体用光刻机公司, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 因为设备整体较大, 需要对构成光刻机的真空相关部件...
英特尔的发言人表示，该公司目前正在寻求多种利用定向自组装（DSA）的集成工艺流程。“我们在 SPIE 等会议上公开讨论过的一个工艺流程是使用 DSA 进...
今年的大部分讨论都集中在 EUV 的下一步发展以及高数值孔径 EUV 的时间表和技术要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lercel表示，目...
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