0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

标签 > NAND

NAND

+关注 0人关注

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。

文章: 1582
视频: 26
浏览: 141299
帖子: 353

NAND简介

  NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

  与NOR闪存比较

  NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快,而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP),而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢,NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今,越来越多的处理器具备直接NAND接口,并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。

NAND百科

  NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

  与NOR闪存比较

  NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快,而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP),而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢,NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今,越来越多的处理器具备直接NAND接口,并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。

  编程速度快、擦除时间短

  NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作,其区块擦除时间短至2ms,而NOR是750ms。显然,NAND在某些方面具有绝对优势。然而,它不太适合于直接随机存取。

  对于16位的器件,NOR闪存大约需要41个I/O引脚;相对而言,NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线,从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处,就在于能够利用同样的硬件设计和电路板,支持较大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年,该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上。NAND器件的另外一个好处显然是其封装选项:NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片,容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度。

  NOR闪存的随机存取时间为0.12ms,而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多

  以2Gb NAND器件为例,它由2048个区块组成,每个区块有64个页

  2GB NAND闪存包含2,048个区块

查看详情

nand知识

展开查看更多

nand技术

3D NAND中的Channel Hole工艺介绍

3D NAND中的Channel Hole工艺介绍

Channel Hole(沟道通孔)是3D NAND闪存制造中的核心工艺步骤。它是指在垂直堆叠的多层栅极或介质层中,刻蚀出贯穿整个堆叠结构的细长通孔。这...

2026-04-14 标签:闪存NAND工艺 240 0

重烧固件才复活?一次看懂NAND位翻转真相

重烧固件才复活?一次看懂NAND位翻转真相

在设备运行过程中,你是否遇到过设备运行一段时间后无法开机,程序运行异常,但重新烧录固件后问题又神奇消失的情况?如果你使用的存储介质是NANDFlash,...

2025-12-15 标签:NANDFlaSh数据 650 0

深入解析onsemi MC74VHCT132A四路2输入施密特触发与非门

深入解析onsemi MC74VHCT132A四路2输入施密特触发与非门

安森美 MC74VHCT132A四路2输入NAND施密特触发器是先进的高速CMOS施密特NAND触发器,采用硅栅CMOS技术制造而成。安森美 MC7...

2025-11-26 标签:CMOSNAND施密特触发器 1k 0

‌NL27WZ00:高性能低功耗双路2输入与非门深度解析

‌NL27WZ00:高性能低功耗双路2输入与非门深度解析

安森美 NL27WZ00双路2输入NAND逻辑门是高性能逻辑门,工作电源电压范围为1.65V至5.5V,工作温度范围为-55°C至+125°C。各种数...

2025-11-25 标签:NAND逻辑门高性能 816 0

‌SN74AC10-Q1 汽车级三路3输入正与非门数据手册摘要

‌SN74AC10-Q1 汽车级三路3输入正与非门数据手册摘要

SN74AC10-Q1包含三个独立的3输入NAND门。这些器件在正逻辑中执行布尔函数 Y = A • B • C。

2025-09-28 标签:NAND逻辑器件函数 1.3k 0

基于ZYNQ的创世SD NAND卡读写TXT文本实验

基于ZYNQ的创世SD NAND卡读写TXT文本实验

在之前的介绍中,我们介绍了雷龙SDNAND卡的焊接以及用途。由于SDNAND卡具有容量大,操作简单,可插拔等的特点,经常作为大容量的存储介质用来保存数据...

2025-09-22 标签:NANDZynq贴片tf卡 696 0

NAND Flash的基本原理和结构

NAND Flash的基本原理和结构

NAND Flash是什么?NAND Flash(闪存)是一种非易失性存储器技术,主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同,NAND Flash...

2025-09-08 标签:DRAMNANDFlaSh 7.7k 0

SN75374 10mA/40mA 4 通道栅极驱动器数据手册

SN75374 10mA/40mA 4 通道栅极驱动器数据手册

SN75374 是一个四通道 NAND 接口电路,旨在从 TTL 输入驱动功率 MOSFET。它提供高速驱动大型电容负载所需的高电流和电压。 输出...

2025-05-22 标签:接口电路MOSFETNAND 901 0

SN75452B 具有 NAND 逻辑输入的 30V 双输出驱动器数据手册

SN75452B 具有 NAND 逻辑输入的 30V 双输出驱动器数据手册

SN5545xB 和 SN7545xB 器件是专为系统中使用的双外设驱动器 采用 TTL 逻辑。该系列在功能上可与 SN75450 互换并取代 系列和以...

2025-05-15 标签:驱动器NAND缓冲器 1.1k 0

MCU ESP32-S3+SD NAND(嵌入式SD卡):智能皮电手环(GSR智能手环)性能与存储的深度评测

MCU ESP32-S3+SD NAND(嵌入式SD卡):智能皮电手环(GSR智能手环)性能与存储的深度评测

在智能皮电手环与数据存储领域,主控MCU ESP32-S3FH4R2 与 存储SD NAND MKDV2GIL-AST 的搭档堪称行业新典范。二者深度融...

2025-05-14 标签:mcu嵌入式NAND 1.6k 0

查看更多>>

nand资讯

市场震荡:DDR止涨VS NAND狂飙

市场震荡:DDR止涨VS NAND狂飙

持续11个月的DRAM涨价潮在2026年3月正式按下暂停键,与之形成鲜明对比的是,NAND闪存价格迎来疯狂飙升,单月涨幅逼近40%,呈现“一稳一疯”的极...

2026-04-20 标签:NANDDDR 70 0

华邦电子NOR闪存与NAND闪存产品概述

华邦电子的 NOR 闪存符合工业及车规级标准,满足各类应用的严苛需求,容量覆盖 2Mb 至 2Gb,支持 3V、1.8V 和 1.2V 电压规格,以及单...

2026-04-20 标签:闪存NAND华邦电子 523 0

东芯半导体荣获2025年度电子元器件行业优秀存储芯片国产品牌企业

“华强电子网企业年度评选活动”自创办以来,作为业界具有广泛影响力的电子元器件行业盛事之一,为所有参评企业打造展示企业实力、提高企业知名度的平台。

2026-04-13 标签:NAND存储芯片东芯半导体 893 0

医疗设备EMC整改实录:存储芯片选型不当导致的传导骚扰超标

创世 SD NAND是近年来在工业控制、车载电子、医疗设备、物联网终端等领域快速普及的一种贴片式存储芯片,也常被称作贴片式TF卡、贴片式SD卡、SDFl...

2026-04-10 标签:芯片NAND存储 144 0

闪存创新赋能全域,闪迪以“端云一体”战略重塑AI时代存储格局

闪存创新赋能全域,闪迪以“端云一体”战略重塑AI时代存储格局

在这一行业变革的关键节点,作为全球闪存技术的领导者,闪迪正以全场景存储解决方案积极回应AI时代对数据基础设施提出的全新挑战。3月27日,闪迪亮相于深圳举...

2026-04-03 标签:NANDAI闪迪 1.2万 0

启铭芯存储重磅亮相CFMS MemoryS 2026

  3 月 27日,以“穿越周期、释放价值”为主题的2026中国闪存市场峰会(CFMS | MemoryS 2026)于深圳宝安JW万豪酒店隆重举行。作...

2026-03-28 标签:NAND存储AI 1.8k 0

3大核心优势|CS创世SD NAND筑牢高端精密仪表精准基石

3大核心优势|CS创世SD NAND筑牢高端精密仪表精准基石

在高端制造、科学研究与医疗诊断领域,精密仪表是探索未知、保证品质的“眼睛”和“标尺”。无论是分析物质成分的光 谱仪,还是监控生命体征的医疗设备,其核心价...

2026-04-02 标签:NAND精密仪表 396 0

慧荣科技推出SM8008:业界首款PCIe Gen5企业级启动与超低功耗主控芯片

慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)作为设计和推广固态存储设备NAND闪存主控芯片的全球领导者,今日宣布推出SM8008,这是一款PCIe Gen5...

2026-03-14 标签:NANDPCIe慧荣科技 1.4k 0

瀚海微SD NAND飞线焊接与SMT贴片焊接的差异及对软件工作的影响

在嵌入式系统、工业控制、消费电子等场景中,SD NAND作为常用的可移动存储介质,其与PCB板的连接方式直接决定了设备的稳定性、可靠性和生产效率。

2026-03-10 标签:NAND存储 132 0

NAND闪存的电荷泄露机理与静默数据损坏防御——天硕工业级SSD技术解析

NAND闪存的电荷泄露机理与静默数据损坏防御——天硕工业级SSD技术解析

工控系统的典型特征是7×24小时持续运行、读多写少、数据长期驻留。与消费级使用场景不同,SSD中的数据可能数月甚至数年不被重写,但却要随时可被准确读取。...

2026-03-06 标签:闪存NANDSSD 267 0

查看更多>>

nand数据手册

相关标签

相关话题

换一批
  • 云储存
    云储存
    +关注
    云存储是在云计算(cloud computing)概念上延伸和发展出来的一个新的概念,是一种新兴的网络存储技术,本章详细介绍了什么是云储存,云数据存储,免费云存储哪个好,云储存应用技术等内容。
  • 富士通
    富士通
    +关注
    富士通凭借在ICT领域的丰富经验和实力,致力于与客户携手共创美好的未来社会。富士通集团(东京证券交易所上市代码:6702)截至2015年3月31日财政年度的合并收益为4.8兆日元(400亿美元)。
  • 3d nand
    3d nand
    +关注
    3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种新兴的闪存类型,通过把内存颗粒堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限,容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间,但更高的成本也拉高了硬盘的售价。
  • 江波龙
    江波龙
    +关注
  • 非易失性存储器
    非易失性存储器
    +关注
    非易失性存储器一般指非易失性内存,非易失性存储器(英语:non-volatile memory,缩写为NVM)是指当电流关掉后,所存储的数据不会消失的电脑存储器。非易失性存储器中,依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准,可分为二大类产品,即ROM和Flash memory。
  • 合肥长鑫
    合肥长鑫
    +关注
    2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域,市场需求巨大并持续增长。
  • LPDDR4
    LPDDR4
    +关注
  • NOR flash
    NOR flash
    +关注
      NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。是市场上两种主要的非易失闪存技术之一。
  • nvme
    nvme
    +关注
    NVM Express(NVMe),或称非易失性内存主机控制器接口规范(英语:Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification,缩写:NVMHCIS),是一个逻辑设备接口规范。它是与AHCI类似的、基于设备逻辑接口的总线传输协议规范(相当于通讯协议中的应用层)
  • SRAM存储器
    SRAM存储器
    +关注
      sram存储器是指静态随机存取存储器。这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失,这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
  • 福建晋华
    福建晋华
    +关注
  • 3D NAND Flash
    3D NAND Flash
    +关注
  • 西数
    西数
    +关注
  • 4K视频
    4K视频
    +关注
  • 东芝公司
    东芝公司
    +关注
  • Arasan
    Arasan
    +关注
  • SQL Server
    SQL Server
    +关注
  • 手机内存
    手机内存
    +关注
  • 嵌入式闪存
    嵌入式闪存
    +关注
  • 3DXPoint
    3DXPoint
    +关注
  • Intel公司
    Intel公司
    +关注
  • 存储行业
    存储行业
    +关注
  • 快闪存储器
    快闪存储器
    +关注
  • nosql
    nosql
    +关注
      NoSQL仅仅是一个概念,泛指非关系型的数据库,区别于关系数据库,它们不保证关系数据的ACID特性。
  • 安博会
    安博会
    +关注
  • 云盘
    云盘
    +关注
    云盘是一种专业的互联网存储工具,是互联网云技术的产物,它通过互联网为企业和个人提供信息的储存,读取,下载等服务。具有安全稳定、海量存储的特点。
  • FORESEE
    FORESEE
    +关注
    FORESEE为深圳市江波龙电子股份有限公司(longsys)的存储品牌。
  • V-NAND
    V-NAND
    +关注
  • 长鑫存储
    长鑫存储
    +关注
    2016年5月,长鑫存储技术有限公司的事业在 “创新之都”——安徽合肥启动。作为一体化存储器制造商,公司专业从事动态随机存取存储芯片(DRAM)的设计、研发、生产和销售,目前已建成第一座12英寸晶圆厂并投产。DRAM 产品广泛应用于移动终端、电脑、服务器、虚拟现实和物联网等领域,市场需求巨大并持续增长。
  • Ceph
    Ceph
    +关注

关注此标签的用户(16人)

jf_56846646 jf_50670404 jf_14515928 头上长草的小明 1144629315 T_RootCaus xiaoyaoxiaofei jf_04160080 Syme Saneatsu DellLiR 默自欺诺

编辑推荐厂商产品技术软件/工具OS/语言教程专题