蚀刻

锗、硅、SiNx薄膜的各向同性等离子体蚀刻

CMOS和MEMS制造技术，允许相对于其他薄膜选择性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的实用性。这种化学性质非常有用，但是当存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 标签：半导体等离子体蚀刻 1252 0

混合铝蚀刻剂的化学特性分析

摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化...

2022-01-07 标签：半导体印刷电路蚀刻 1251 0

p型氮化镓的晶体学湿式化学蚀刻

大多数iii\-氮化物的蚀刻目前是通过干燥工艺完成的。虽然干蚀刻具有许多理想的特性，包括高蚀刻率和获得垂直壁的能力，但干蚀刻有几个缺点，包括产生离子致损...

2023-03-22 标签：晶体氮化镓蚀刻 1235 0

硅湿法蚀刻中的表面活性剂

本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增...

2022-07-08 标签：半导体蚀刻硅晶片 1191 0

什么是MEMS？4步图解MEMS芯片制造

MEMS传感器是当今最炙手可热的传感器制造技术，也是传感器小型化、智能化的重要推动了，MEMS技术促进了传感器的极大发展。 MEMS主要采用微电子技术，...

2023-11-02 标签：传感器mems蚀刻 1188 0

多磷酸蚀刻剂的化学特性

摘要 在印刷和蚀刻生产厚金属膜中的精密图案时，需要对化学蚀刻剂有基本的了解，以实现工艺优化和工艺控制。 为了蚀刻纯铝电路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化铁的...

2022-01-07 标签：化学蚀刻蚀刻工艺 1176 0

AlGaN/GaN的光电化学蚀刻工艺

2022-07-12 标签：半导体蚀刻GaN 1157 0

硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用

本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一...

2022-04-11 标签：晶硅蚀刻氧化物 1157 0

混合键合工艺流程：详细解读D2W和W2W的流程

现在对 2 个晶圆进行处理，为粘合做好准备。它们经过 N2 等离子体处理以激活表面。等离子处理改变了表面的特性，以增加表面能并使其更加亲水。

2024-03-06 标签：晶圆蚀刻芯片封装 1128 0

超声波频率对化学蚀刻过程的影响实验报告

超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层，通过使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层，发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构，用这种方法可...

2022-05-06 标签：超声波蚀刻蚀刻工艺 1112 0

使用n型GaSb衬底优化干法和湿法蚀刻工艺

基本化学成分以Cl2为基础，外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测，以...

2022-05-11 标签：工艺蚀刻 1107 0

使用单一晶圆加工工具蚀刻晶圆背面薄膜的方法

引言 随着半导体技术的发展，为了在有限的面积内 形成很多器件，技术正在向多层结构发展。要想形成多层结构，会形成比现有更多的薄膜层 ,这时晶片背面也会堆积...

2022-01-05 标签：pcb半导体晶圆 1097 0

多晶硅表面纹理化的典型方法

湿化学蚀刻是多晶硅表面纹理化的典型方法,湿化学蚀刻法也是多晶体硅表面锯切损伤的酸织构化或氢氧化钾锯切损伤去除后的两步化学蚀刻,这些表面纹理化方法是通过在...

2022-03-28 标签：工艺蚀刻晶片 1077 0

pcb蚀刻是什么意思

　在印制板外层电路的加工工艺中，还有另外一种方法，就是用感光膜代替金属镀层做抗蚀层。这种方法非常近似于内层蚀刻工艺，可以参阅内层制作工艺中的蚀刻。

2023-09-06 标签：pcb蚀刻刻蚀 1073 0

多晶硅蚀刻残留物的的形成机理

为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们发现在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残...

2022-05-06 标签：多晶硅蚀刻 1062 0