蚀刻

GaN的晶体湿化学蚀刻工艺详解

目前，大多数III族氮化物的加工都是通过干法等离子体蚀刻完成的。1，2干法蚀刻有几个缺点，包括产生离子诱导损伤3和难以获得激光器所需的光滑蚀刻侧壁。干法...

2022-07-12 标签：晶体蚀刻GaN 3563 0

湿法蚀刻在硅片减薄中的作用

薄晶片已经成为各种新型微电子产品的基本需求。这些产品包括用于RFID系统的功率器件、分立半导体、光电元件和集成电路。此外，向堆叠管芯组件的转变、垂直系统...

2022-07-05 标签：工艺蚀刻晶片 3434 0

蚀刻系统操作条件对晶片蚀刻速率和均匀性的影响

引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具，作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀...

2022-06-29 标签：半导体蚀刻 3418 0

磷酸的腐蚀特性及缓蚀剂 氮化硅湿法蚀刻中热磷酸的蚀刻率

在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们...

2022-08-30 标签：半导体工艺蚀刻 3275 0

KOH硅湿法蚀刻工艺详解

引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是...

2022-07-14 标签：工艺蚀刻硅晶片 3142 0

半导体器件制造中的蚀刻工艺技术概述

在半导体器件制造中，蚀刻指的是从衬底上的薄膜选择性去除材料并通过这种去除在衬底上产生该材料的图案的任何技术，该图案由抗蚀刻工艺的掩模限定，其产生在光刻中...

2022-07-06 标签：集成电路半导体蚀刻 3114 0

详解微机械中的各向异性刻蚀技术

单晶硅， 作为IC、LSI的电子材料， 用于微小机械部件的材料，也就是说，作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是， 除了单晶SI或机械性强之外，还...

2022-04-22 标签：晶圆蚀刻微机械 3030 0

TSV工艺流程与电学特性研究

本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究...

2022-06-16 标签：工艺蚀刻晶片 2919 0

硅晶片在氢氧化钾、TMAH和EDP溶液中的蚀刻速率

本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制...

2022-04-26 标签：蚀刻硅晶片 2833 0

多晶ZnO:Al薄膜的蚀刻特性研究

将ZnO:Al薄膜织构化与沉积条件的依赖性分开是优化ZnO作为太阳能电池中的光散射、透明接触的一个重要方面。对于给定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 标签：薄膜蚀刻晶片 2829 0

半导体工艺之介电蚀刻工艺中等离子体的蚀刻处理

摘要 本文主要研究了从接触刻蚀、沟槽刻蚀到一体刻蚀的介质刻蚀工艺中的刻蚀后处理。优化正电子发射断层扫描步骤，不仅可以有效地去除蚀刻过程中在接触通孔的侧壁...

2021-12-27 标签：半导体等离子蚀刻 2674 0

如何提高线路板蚀刻工艺的质量

要注意的是，这时的板子上面有两层铜。在外层蚀刻工艺中仅仅有一层铜是必须被全部蚀刻掉的，其余的将形成最终所需要的电路。这种类型的图形电镀，其特点是镀铜层仅...

2019-07-08 标签：pcb印制电路板PCB设计 2561 0

印刷电路板PCB的蚀刻工艺介绍

目前,印刷电路板(PCB)加工的典型工艺采用"图形电镀法"。即先在板子外层需保留的铜箔部分上，也就是电路的图形部分上预镀一层铅锡抗蚀层，然后用化学方式将...

2019-07-01 标签：pcb印刷电路板PCB设计 2527 0

用于硅片减薄的湿法蚀刻工艺控制的研究

薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。

2022-08-26 标签：工艺蚀刻硅晶片 2469 0

用于Pt湿法蚀刻的铂薄膜图案化方案

本文提出了基于溅射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金属多层膜在热王水中湿法腐蚀Pt薄膜的简单制备方案，铬(Cr)或钛(Ti)用作铂的粘附层，Cr在Pt...

2022-05-30 标签：薄膜蚀刻 2456 0

一文详解湿法蚀刻和光刻工艺

本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(D...

2022-07-13 标签：光刻蚀刻晶片 2444 0

ITO薄膜湿法刻蚀研究

本文描述了我们华林科纳一种新的和简单的方法，通过监测腐蚀过程中薄膜的电阻来研究湿法腐蚀ITO薄膜的动力学，该方法能够研究0.1至150纳米/分钟之间的蚀...

2022-07-01 标签：薄膜蚀刻ITO 2367 0

半导体晶片的湿蚀方法、清洗和清洁

关键词 晶圆清洗 电气 半导体 引言 半导体器件的制造是从半导体器件开始广泛销往市场的半个世纪 前到现在为止与粒子等杂质的战斗。半个世纪初，人们已经了 ...

2021-12-29 标签：芯片半导体蚀刻 2315 0

关于硫酸-过氧化氢-水系统中砷化镓的化学蚀刻研究报告

摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影...

2022-01-25 标签：半导体化学蚀刻 2309 0