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PCFFS30120AF SiC二极管 - 1200 V 30 A 裸片
数据:
数据表:碳化硅肖特基二极管1200 V,30 A.
碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新技术,可为硅提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流,温度独立开关特性和出色的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统优势包括最高效率,更快的工作频率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。
特性
最高结温175°C
高浪涌电流容量
正温度系数
无逆向恢复/无正向恢复
应用
PFC
工业电源
太阳能
EV充电器
UPS
焊接
电路图、引脚图和封装图
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数据表:碳化硅肖特基二极管1200 V,30 A.
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