ON Semiconductor RB521S30T1G参数特性与EDA模型 数据手册介绍

RB521S30T1G

基本特性

• ‌类型‌：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）
• ‌额定电压‌：30V
• ‌设计用途‌：适用于高速开关应用、电路保护及电压箝位。极低的正向电压降低了传导损耗，微型表面贴装封装非常适合手持和便携式空间有限的应用。

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*附件：RB521S30T1G.pdf

RB521S30T1G EDA模型 链接

https://www.elecfans.com/p/e234836437

关键特性

• ‌极快切换速度‌：具有极高的开关速度。
• ‌极低正向电压‌：在IF = 200 mA时，最大正向电压为0.5V。
• ‌低反向电流‌。
• ‌汽车应用‌：NSV前缀表示适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求的应用，符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力。
• ‌环保合规‌：无铅（Pb-Free）、无卤素/无溴化阻燃剂（Halogen Free/BFR Free），符合RoHS标准。
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封装信息

• ‌封装类型‌：SOD-523

最大额定值

• ‌反向电压‌：VR = 30Vdc
• ‌正向直流电流‌：IF = 200mA
• ‌峰值正向浪涌电流‌：IFSM = 1.0A（60Hz，1个周期）

热特性

• ‌总器件耗散‌：在FR-5板上，TA=25°C时，PD为200mW；温度超过25°C时，需按1.57mW/°C进行降额。
• ‌热阻‌：结到环境热阻为63°C/W。
• ‌工作结温和存储温度范围‌：-55至+125°C。

标记与包装

• ‌标记‌：5MM表示器件代码，M表示日期代码。
• ‌包装‌：提供3000个/卷带（Tape & Reel）的包装形式，有Pb-Free选项。

电气特性

• ‌反向泄漏电流‌：在VR=10V时，IR为30nA（典型值可能因温度不同而变化）。
• ‌正向电压‌：在IF=200mA时，VF为0.50Vdc（典型值可能因温度不同而变化）。

物理尺寸

• 提供详细的物理尺寸图，包括长度、宽度、高度等具体数据，适用于SOD-523封装。
  

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