引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀,用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。使用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意非球面。我们讨论了决定
2022-05-11 14:31:36
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与湿法蚀刻相比,等离子蚀刻的一个主要优点是能够获得高度定向(各向异性)的蚀刻工艺。
2021-10-07 15:51:00
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晶格中唯一光滑的面,其他面可能只是因为表面重建而是光滑的。通过这种方式,我们解释了在001方向上KOH:H20中的最小值。实验对HF:HN03溶液中接近001的最小蚀刻率的形状和从各向同异性向各向异性蚀刻的过渡进行了两个关键预测。
2022-01-25 13:51:11
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结构。因此,<100>硅的各向异性蚀刻是普通基于MEMS的技术中实现三维结构的关键过程。这些结构包括晶体管的v形凹槽、喷墨的小孔和MEMS压力传感器的隔膜。实际的反应机理尚不清楚,该过程
2022-03-08 14:07:25
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在本研究中,我们设计了一个150mm晶片的湿蚀刻槽来防止硅片的背面蚀刻,并演示了优化的工艺配方,使各向异性湿蚀刻的背面没有任何损伤,我们还提出了300mm晶圆处理用湿浴槽的设计,作为一种很有前途的工艺发展。
2022-03-28 11:01:49
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,这些技术的总称被使用为微机械。在本稿中,关于在微机械中占据重要位置的各向异性烯酸技术,在叙述其研究动向和加工例子的同时,还谈到了未来微机械的发展方向。
2022-04-22 14:05:02
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本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术,通过使用(110)Si的取向相关蚀刻,可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽,与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向异性大于600∶1
2022-05-05 10:59:15
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接上回的实验演示 实验演示 非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移; 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑; 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀刻以
2022-05-11 14:49:58
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在湿法各向异性蚀刻中,底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底切平面的方向。然而,还不清楚为什么不同蚀刻剂会出现不同形状的底切前沿。
2022-05-24 14:27:26
3001 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向
2022-07-14 16:06:06
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为了提供更优良的静电完整性,三维(3D)设计(如全围栅(GAA)场电子晶体管(FET ))预计将在互补金属氧化物半导体技术中被采用。3D MOS架构为蚀刻应用带来了一系列挑战。虽然平面设备更多地依赖于各向异性蚀刻,但是3D设备在不同材料之间具有高选择性,需要更多的各向异性蚀刻能力。
2023-06-14 11:03:53
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新的发展方向随着我国电力行业的发展,新技术的应用,数字化变电站成为未来变电站的发展趋势。光数字微机继电保护测试仪是结合电力现场情况、众多电力用户经验自主研发的便携式新产品,采用高性能DSP处理器、大规模
2020-09-18 16:08:48
磁电阻线性位置测量电路提供非接触式AMR(各向异性磁阻)线性位置测量解决方案。该电路非常适用于高速,精确,非接触长度和位置测量至关重要的应用
2019-11-05 08:50:35
FPGA学习快一年了,感觉达到了一定的瓶颈,没人带,自学很吃力,现在只会简单地做一些小东西,想更加系统的学习一下FPGA将来从事FPGA有没有好的学习方法或者发展方向什么的?求不吝赐教。
2015-11-24 17:58:14
1.摘要
双折射效应是各向异性材料最重要的光学特性,并广泛应用于多种光学器件。当入射光波撞击各向异性材料,会以不同的偏振态分束到不同路径,即众所周知的寻常光束和异常光束。在本示例中,描述了如何利用
2025-04-29 08:51:11
:海郑实业推出***冠品ACA系列各向异性导电胶异方性导电胶产品于垂直涂膜方向 (z- direction) 具有导电性,但是在涂膜方向 (x & y direction) 却具有
2009-07-04 17:22:48
同性的(即,所有方向的蚀刻速率都相同)或各向异性的(即,不同方向的蚀刻速率不同),尽管在 CMOS 制造中使用的大多数湿蚀刻剂是各向同性的。通常,与干蚀刻工艺相比,湿蚀刻剂往往具有高度选择性。湿蚀刻槽
2021-07-06 09:32:40
各向异性(晶体)化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术,其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。例子是:(1)具有原子级光滑面的光学设备(波导、激光器)减少损失(2)MEMS,其中几何形状可以通过
2021-07-08 13:09:52
` 谁来阐述一下传感器的发展方向是什么?`
2019-11-25 15:39:48
学习C语言未来的发展方向是怎样的?
2021-11-11 08:04:24
导电银胶按导电方向分为各向同性导电银胶和各向异性导电银胶。
2019-11-06 09:01:49
从硬件和软件方面,各自的发展方向分别是什么?达到这些目标,需要学习哪些知识?达到哪些层次?更远一点的发展方向?
2015-09-22 14:36:05
有谁知道我可以在EMPRO中实现完全各向异性的方式?我想模拟一个完全复杂的3x3介电常数矩阵和一个完全复杂的3x3磁导率矩阵(即张量)。有没有办法在任何EMPRO模拟器中以这种方式定义材料? 以上
2018-11-19 11:01:54
的应用是这个时代的一个发展方向,无人机的发明,无人驾驶的发明等,自己就可以操作这个机械制造的过程,出现的问题也可以自己去解决,这些都是数控技术向着智能化方向去发展。3.2 向着高速度、高精准、高效率方向
2018-03-06 09:32:44
好奇OMP400与OMP600的测头为什么具有各向同性呢?依然是在三个位置布置应变片,应该在触发力上具有各向异性的,为什么能够实现各向同性呢?奇怪
2024-06-01 17:02:35
证明一种高阶各向异性扩散与小波收缩的等价性,并根据等价性利用高阶各向异性扩散与小波收缩的优势,提出高阶各向异性扩散小波收缩降噪算法。该算法在低频部分采用经典的
2009-03-20 17:03:33
13 从静磁表面波MSSW各向异性理论模拟出发,提出了通过调节磁场方向来实现对MSSW滤波器带宽调制的方法,并由实验得到验证:即在微带换能器宽度一定时,可以增加(或减小)磁场与
2009-05-12 21:42:21
31 本文讨论了石英微机械陀螺的基本结构和工作原理,叙述了用于石英加工的化学各向异性刻蚀机理,给出了石英音叉传感器的加工方法,提供了我们研制的石英微机械陀螺的试验结
2009-06-23 09:05:39
20 根据单晶硅各向异性腐蚀的特点,以晶格内部原子键密度为主要因素,温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子,建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发
2009-07-02 14:12:24
19 基于改进的各向异性扩散的图像恢复:扩散加权图像中广泛存在的高斯白噪声会给张量计算和脑白质追踪等带来严重的影响为了减少噪声影响, 尝试采用改进的各向异性扩散滤波器来
2009-10-26 11:29:46
21 单轴各向异性异向介质平板波导中的导模特性:推导了介电常数张量和磁导率张量中各分量带有不同符号的单轴各向异性异向介质平板波导的导行条件。根据分量符号的正负组合,分情
2009-10-26 17:00:22
20 环境对各向异性导电胶膜性能参数的影响张军,贾宏,陈旭(郑州大学化工学院,郑州 450002)摘要:各向异性导电胶膜(ACF)的玻璃转化温度Tg 是它的一个重要性能参数,用
2009-12-14 11:42:11
43 各向异性衬底上的高温超导( HTS)微带天线
分析了各向异性衬底上的高温超导微带天线特性。选取两种典型的高温超导各向异性介质———GaNdAlO3 和SrLaAlO4 作为高温超
2010-02-22 16:50:57
12 一种改进的各向异性高斯滤波算法摘 要:为了抑制更好的抑制噪声保留边缘信息, 提出了一种各向异性高斯滤波的改进方法, 该方法先用中值滤波去除椒盐噪声, 再
2010-04-23 14:59:51
19 详细介绍了各向异性磁阻传感器的物理机理,并以HMC1002为例说明其测量原理、芯片以及电路的主要特点,给出了弱磁测量的结果与分析。将hmc1001、hmc1002与倾角传感器相结合,可用于姿
2011-09-06 14:31:44
101 提出了一种用各向异性双变量拉普拉斯函数模型去模拟NSCT域的系数的图像去噪算法,这种各向异性双边拉普拉斯模型不仅考虑了NSCT系数相邻尺度间的父子关系,同时满足自然图像不同
2012-10-16 16:06:03
21 的影响也反映了进去。 计算结果与实验结果进行了对比, 表明此模型在解释硅在 KOH 中各向异性腐蚀特性等方面具有一定的合理性。 微电子机械系统(M EM S) 的发展令人瞩目, 它是在微电子工艺基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。 M
2017-11-07 19:48:14
25 均值滤波预处理;其次,通过在彩色图像中引入权重的思想,构建具有4邻域形式的深度图像模型,利用彩色图像引导的深度图像进行各向异性扩散,填补孔洞;最后,使用改进的自适应中值滤波平滑图像噪声。实验结果表明,该方法能
2017-11-25 11:08:46
9 摘要: 针对感应线圈式车辆检测器的不足,设计了一种基于各向异性磁阻传感器(AMR)的非接触式智能车辆监测装置,能监测车辆的到达时间、类型、方向和车速等基本信息。系统主要由采集系统和显示系统两个独立
2018-01-20 03:05:38
1577 各向异性又叫非均质性,是指物体的物理、化学等性质随着测定方向而异的特性H1。硅在某些腐蚀溶液中,不同晶向的腐蚀速率不尽相同,这就是硅各向异性腐蚀的特点。硅各向异性腐蚀技术是微电子机械
2018-02-07 16:27:41
1 在图像去噪过程中,为保持图像边缘并去除噪声,提出一种结合片相似性各向异性扩散( AD)和冲击滤波器的图像去噪和增强模型。采用片相似性AD模型去除图像中的噪声,引入冲击滤波器增强图像的重要结构特征
2018-02-24 15:37:48
0 在此次发表的论文中,在实空间中系统研究了天然层状材料α相三氧化钼中椭圆型和双曲型两种新型声子极化激元的各向异性传输特性(如图3)。α相三氧化钼的晶格结构具有独特的面内各向异性,其[001]晶向
2018-12-07 14:49:28
5493 为此,中国科学院宁波材料技术与工程研究所智能高分子材料团队研究员陈涛和张佳玮开展了一系列工作。通过构筑非对称性各向异性水凝胶及其复合体系,实现了仿生水凝胶驱动器的多功能化(如图1)。
2018-12-31 11:26:00
7690 逻辑芯片是第一个应用,但不是唯一的。 Mitra说:“虽然各向异性现在有更多的应用,但各向同性蚀刻适应新的应用和变化。它使客户能够解决新的问题,特别是当客户正在越来越多的向3D制程进军时。如果你
2019-09-04 11:29:34
12859 强磁场中心薛飞团队于2019年提出并实现了一种针对纳米盘和纳米颗粒的有效的样品制备和实验器件加工工艺,解决了第一个问题。对于第二个问题,此前基于Stoner-Wohlfarth模型的分析方法只能定量分析具有单轴磁各向异性的样品,对于非单轴的样品则无能为力。
2020-06-24 09:41:07
2541 
作为一种新型的二维半导体材料,黑磷因其独特的面内各向异性引起了研究人员的广泛关注。近期,几种其它面内各向异性二维材料(如ReS2、ReSe2;SnS、GeSe等)也被相继报道。
2020-12-24 12:20:19
2255 COG是制造液晶显示模块LCM (LiquidCrystal Display Module)的关键技术之一,是采用各向异性导电薄膜ACF (Anisotropic ConductiveFilm
2021-03-24 14:56:26
4355 
单晶硅的各向异性蚀刻是硅器件和微结构加工中经常使用的技术。已经制造的三角形和矩形凹槽、棱锥体、薄膜和微孔,它们在器件中有很大的应用。
2021-12-17 15:26:07
1452 
我们华林科纳研究了不同醇类添加剂对氢氧化钾溶液的影响。据说醇导致硅蚀刻各向异性的改变。具有一个羟基的醇表现出与异丙醇相似的效果。它们导致(hh 1)型平面的蚀刻速率大大降低,通常在蚀刻凸形图形的侧壁处发展。这就是凸角根切减少的原因。具有一个以上羟基的醇不影响蚀刻各向异性,并导致表面光洁度变差。
2021-12-17 15:27:53
1194 低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术,我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。
2021-12-22 10:17:21
1405 的各向异性湿式化学蚀刻。 本文主要目的是评估不同的各向异性蚀刻剂,用于微加工柱、分裂器和其他几何图案的变体,可用作构建更复杂的微加工结构的构建块,并可能用于化学分析应用。我们根据微加工,介绍各向异性湿式化学
2021-12-22 17:29:02
1906 
引言 了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻 溶液有KOH
2021-12-23 09:55:35
1043 
。在碱性溶液中,TMAH和KOH最广泛地用于湿法各向异性蚀刻。当考虑到互补金属氧化物半导体的兼容性,并且热氧化物被用作掩模层时,使用解决方案。为了获得和氢氧化钾之间的高蚀刻选择性。 即R和Si的显著蚀刻速率,氢氧化钾优于
2021-12-28 16:36:40
2146 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率
2022-01-11 11:50:33
3264 
引言 氢氧化钾溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和减少三维硅结构的凸角底切。异丙醇降低了氢氧化钾溶液的表面张力,改变了硅的蚀刻各向异性,显著降低了(110)和(hh1)面的蚀刻速率,并在较小程度
2022-01-13 13:47:26
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摘要 综述了半导体各向异性蚀刻的表面化学和电化学。描述了对碱性溶液中硅的各向异性化学蚀刻和 n 型半导体中各向异性孔的电化学蚀刻的最新见解。强调了电流效应在开路蚀刻中的可能作用。 介绍 由于简单
2022-03-03 14:16:37
2047 
各向异性蚀刻剂通过掩模中的矩形幵口在(100)硅晶片上产生由( 100)和(111)平面组成的孔。在这种情况下,孔的上角是尖的。如果通过无掩模湿法各向异性蚀刻工艺蚀刻整个表面,则上部拐角变圆。例如
2022-03-07 15:26:14
966 
在本文中,我们首次报道了实现硅111和100晶片的晶体蚀刻的酸性溶液。通过使用六氟硅酸(也称为氟硅酸)和硝酸的混合物,获得暴露出各种面外111平面的硅111的晶体蚀刻。本文描述了用于该研究的溶液的化学组成,随后是使用电子和光学显微镜获得的结果。蚀刻的机理,虽然没有完全理解,将在下面的章节中讨论。
2022-03-09 14:35:42
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情况下,控制蚀刻浴温度和蚀刻剂浓度对于成功创建微结构和后续批次的可重复性至关重要。 1.各向同性和各向异性蚀刻有何不同 硅片具有单晶晶格结构,在各个方向重复,但各个方向的密度不同。垂直平面包含与对角平面不同数量
2022-03-09 16:48:34
3460 
了解形成MEMS制造所需的三维结构,需要SILICON的各向异性蚀刻,此时使用的湿式蚀刻工艺考虑的事项包括蚀刻率、长宽比、成本、环境污染等[1]。用于硅各向异性湿式蚀刻。
2022-03-11 13:57:43
852 
高度光滑表面光洁度的45个反射镜。在这项工作中,我们使用了一种CMOS兼容的各向异性蚀刻剂,含有四甲基氢氧化铵(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非离子表面活性剂(NC-200),含有100%的聚氧
2022-03-14 10:51:42
1371 
由化学反应触发,温度对(111)表面电流势和电流时间结果的强烈影响支持了化学活化的重要性,在n型(111)电极上进行的光电流实验表明,氧化物成核对无源层的生长具有重要意义,提出了一种结合表面化学和电化学的机理来解释阳极氧化过程中明显的各向异性。
2022-03-22 15:36:40
1282 
在本文章中,研究了球形试样的尺寸参数,以确定哪种尺寸允许可靠地测量各向异性蚀刻中的方向依赖性,然后进行了一系列的实验,测量了所有方向的蚀刻速率。这导致建立了一个涵盖广泛的氢氧化钾蚀刻条件范围的蚀刻
2022-03-22 16:15:00
966 
为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂浓度
2022-03-25 13:26:34
4201 
实验名称:功率放大器在铁磁钢材应力致磁各向异性定量检测特性研究中的应用
2022-04-06 15:47:27
3109 
为了形成膜结构,单晶硅片已经用氢氧化钾和氢氧化钾-异丙醇溶液进行了各向异性蚀刻,观察到蚀刻速率强烈依赖于蚀刻剂的温度和浓度,用于蚀刻实验的掩模图案在硅晶片的主平面上倾斜45°。根据图案方向和蚀刻剂
2022-05-05 16:37:36
4132 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物,是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说,它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻
2022-05-09 15:09:20
2627 在本文中讲述了HARSE的工艺条件,其产生超过3微米/分钟的蚀刻速率和控制良好的、高度各向异性的蚀刻轮廓,还将成为展示先进封装技术的潜在应用示例。
2022-05-09 15:11:45
1090 
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进,并且新的结果显示,在5 μm
2022-05-11 15:46:19
1455 
我们华林科纳研究了一种干法各向异性刻蚀石墨和石墨烯的方法,能够通过调整蚀刻参数,如等离子体强度、温度和持续时间,从边缘控制蚀刻,蚀刻过程归因于碳原子的氢化和挥发,蚀刻动力学与甲烷形成一致,这种简单、干净、可控且可扩展的技术与现有的半导体处理技术兼容。
2022-05-19 17:06:46
3260 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先,确定控制底切的蚀刻前沿的晶面,并测量它们的蚀刻速率。然后,基于测量数据,检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:48
2252 
引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺,适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明,蚀刻速率主要取决于Cl浓度,而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14
1892 
本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液,在晶圆表面,为了形成LSI布线,现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式,这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比,各向异性较好,对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:32
3111 
反应性离子蚀刻综合了离子蚀刻和等离子蚀刻的效果:其具有一定的各向异性,而且未与自由基发生化学反应的材料会被蚀刻。首先,蚀刻速率显著增加。通过离子轰击,基材分子会进入激发态,从而更加易于发生反应。
2022-09-19 15:17:55
6526 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类:湿法蚀刻和干法蚀刻,湿法蚀刻进一步细分为两部分,即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12
2602 
过去利用碱氢氧化物水溶液研究了硅的取向依赖蚀刻,这是制造硅中微结构的一种非常有用的技术。以10M氢氧化钾(KOH)为蚀刻剂,研究了单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻过程,测量了沿多个矢量方向的蚀刻速率,用单晶球发现了最慢的蚀刻面。英思特利用这些数据,提出了一种预测不同方向表面的倾角的方法
2023-05-29 09:42:40
3202 
纳米片工艺流程中最关键的蚀刻步骤包括虚拟栅极蚀刻、各向异性柱蚀刻、各向同性间隔蚀刻和通道释放步骤。通过硅和 SiGe 交替层的剖面蚀刻是各向异性的,并使用氟化化学。优化内部间隔蚀刻(压痕)和通道释放步骤,以极低的硅损失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:11
2991 
实验名称:功率放大器在铁磁钢材应力致磁各向异性定量检测特性研究中的应用实验目的:本实验探究了应力致磁各向异性的物理表现及其定量检测应力的特性,设计搭建了实验系统,制作了铁磁性Q195钢材平板试件,在
2022-09-23 09:22:49
1254 
镍铁(NiFe)合金具有较强的各向异性磁电阻效应、较高的居里温度、易于实现与电路集成以及较低的制作成本等优点,成为开发磁电阻传感器的首选材料。
2023-06-21 09:29:50
1623 
各向异性刻蚀是一种减材微加工技术,旨在优先去除特定方向的材料以获得复杂且通常平坦的形状。湿法技术利用结构的晶体特性在由晶体取向控制的方向上进行蚀刻。 然而,概述了一些定性方面用于解释各向异性的性质
2023-08-22 16:32:01
2088 SDTR一种薄膜面内各向异性热导率的测量方法近年来,随着半导体行业的迅猛发展,半导体元件的体积急剧减小,对芯片或薄膜材料的热物性探究至关重要,这样给予针对超小尺寸的热物性探测技术提供了发展需求,而其
2023-12-14 08:15:52
1302 
各向异性导电胶能够实现单方向导电,即垂直导电而水平不导电。各向异性导电胶的固体成分是多样的,可以是Ag颗粒,聚合物和合金焊粉。固化温度范围很广,涵盖100到200多摄氏度。RFID芯片在与基板键合时
2024-01-05 09:01:41
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能和机械性能,且能够适应更高的工作温度和湿度环境。本文将详细介绍各向异性导电胶的工作原理和制备工艺步骤。 各向异性导电胶的工作原理是基于导电粒子的连接行为。导电粒子通常由金属或碳微粒组成。当导电胶受到压力或温度的作用时,导电粒子会在胶层内形成电子通路,从而实现
2024-01-24 11:11:56
4840 各向异性压力传感器由于在识别不同方向力方面的敏感性,在下一代可穿戴电子设备和智能基础设施中越来越受到关注。
2024-03-20 09:25:48
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。深圳市福英达的旗舰产品Fitech mLEDTM1370和Fitech mLEDTM1550系列8号粉超微锡膏能够满足封装的需求。此外,各向异性导电胶对mini-LED封装也有着优异的效果,还可
2024-03-25 09:19:16
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微机保护装置是一种基于微处理器技术,能够对电力系统中的各种设备(如发电机、变压器、输电线路、电动机等)进行实时监测。而微机保护装置的未来发展方向是什么呢?在智慧电力时代,具体可以从以下几个方面来看
2024-07-18 14:06:06
1349 磁阻角度传感芯片 - AM100是一款基于各向异性磁电阻(AMR)技术的角度传感器IC。它产生一个模拟输出电压,该电压随通过传感器表面磁通量的方向而变化。
2024-12-02 15:50:22
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MLOps平台作为机器学习开发运维一体化的重要工具,其发展方向将深刻影响人工智能技术的普及和应用。下面,是对MLOps平台发展方向的探讨,由AI部落小编整理。
2024-12-31 11:51:09
900 本文研究了二维材料PdSe₂与石墨烯组成的范德华异质结构中的自旋动力学。PdSe₂因其独特的五边形晶格结构,能够诱导石墨烯中各向异性的自旋轨道耦合(SOC),从而在室温下实现自旋寿命的十倍调制。研究
2025-02-17 11:08:38
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在碳化硅衬底厚度测量中,探头温漂与材料各向异性均会影响测量精度,且二者相互作用形成耦合效应。深入研究这种耦合影响,有助于揭示测量误差根源,为优化测量探头性能提供理论支撑。
耦合影响机制分析
材料
2025-06-11 09:57:28
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各向异性导电胶(Anisotropic Conductive Adhesive, ACA)是一种特殊的导电胶,其导电性能具有方向性,即热压固化后在一个方向上(通常是垂直方向)具有良好的导电性,而在另一个方向(如水平方向)则表现为绝缘性。这种特性使得ACA在电子封装、连接等领域具有独特的应用价值。
2025-06-11 13:26:03
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大连义邦定向力感知压感油墨Nanopaint,通过丝网印刷工艺可以实现高精度各向异性压阻传感,为智能系统装上“触觉神经”。
2025-08-04 13:37:16
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湿法刻蚀通常是各向同性的(即沿所有方向均匀腐蚀),但在某些特定条件下也会表现出一定的各向异性。以下是其产生各向异性的主要原因及机制分析:晶体结构的原子级差异晶面原子排列密度与键能差异:以石英为例
2025-08-06 11:13:57
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摘要
本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性,为碳化硅半导体制造工艺提供
2025-08-08 11:38:30
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的晶体结构赋予其显著的各向异性,在 TTV 厚度测量过程中,各向异性效应会导致测量数据偏差,影响测量准确性。深入研究各向异性效应并探寻有效的修正算法,是提升碳化硅 TT
2025-09-16 13:33:13
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