关键词: 常温键合;第三代半导体;异质集成;半导体设备;青禾晶元;半导体技术突破;碳化硅(SiC);氮化镓(GaN);超高真空键合;先进封装;摩尔定律 随着5G/6G通信、新能源汽车与人工智能对芯片
2025-12-29 11:24:17
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接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征,广泛应用于薄膜材料、半导体和表面科学等领域。本文基于光谱椭偏技术,结合X射线衍射、拉曼光谱等方法,系统研究了c面蓝宝石衬底上
2025-12-26 18:02:20
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本文由半导体产业纵横(ID:ICVIEWS)编译自3dincites利用人工智能进行半导体测试创新,将能够共享与良率、覆盖率和成本息息相关的真实数据。虽然人工智能在半导体设计和制造领域取得了重大进展
2025-12-26 10:02:30
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衬底清洗是半导体制造、LED外延生长等工艺中的关键步骤,其目的是去除衬底表面的污染物(如颗粒、有机物、金属离子、氧化层等),确保后续薄膜沉积或器件加工的质量。以下是常见的衬底清洗方法及适用场景:一
2025-12-10 13:45:30
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日前,衢州市科学技术局发布《衢州市科学技术局关于下达2025年度市竞争性科技攻关项目的通知》(衢市科发规〔2025〕18号),浙江海纳半导体股份有限公司(以下简称“公司”)凭借“高性能硅基复合衬底
2025-12-09 15:35:48
507 如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 在半导体产业链中,特别是第三代半导体(宽禁带半导体)产业链中,会有衬底及外延层之分,那外延层的存在有何意义?和衬底的区别是
2025-12-04 08:23:54
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【博主简介】本人“ 爱在七夕时 ”,系一名半导体行业质量管理从业者,旨在业余时间不定期的分享半导体行业中的:产品质量、失效分析、可靠性分析和产品基础应用等相关知识。常言:真知不问出处,所分享的内容
2025-12-02 08:30:53
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半导体制冷片结露不是小问题,轻则影响精度,重则毁掉设备。华晶温控结合多年案例经验,本文提供一些为激光器、精密实验设备“量身定制”的防结露解决方案。为什么“万能”的防结露方案不存在?所有结露的本质都
2025-11-25 15:55:11
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在半导体制造领域,晶圆清洗是保障芯片性能与良率的核心环节之一。随着制程技术向纳米级演进,污染物对器件功能的影响愈发显著,而清洗材料的选择直接决定了清洁效率、工艺兼容性及环境可持续性。以下是关键清洁
2025-11-24 15:07:29
283 【博主简介】本人“ 爱在七夕时 ”,系一名半导体行业质量管理从业者,旨在业余时间不定期的分享半导体行业中的:产品质量、失效分析、可靠性分析和产品基础应用等相关知识。常言:真知不问出处,所分享的内容
2025-11-21 08:21:49
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近日,在厦门举办的国际半导体照明联盟(ISA)2025年度大会上,晶能凭借“大尺寸硅衬底GaN Micro LED外延”技术,成功入选“全球半导体照明创新100佳”。这不仅是对晶能技术实力的高度认可,更彰显了中国企业在全球微显示领域的创新引领能力。
2025-11-20 10:46:23
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PN 结是构成二极管、双极型晶体管、MOS 晶体管等各类半导体器件的核心结构,其本质是 p 型半导体与 n 型半导体接触后,在交界面形成的特殊功能薄层。PN 结的形成主要通过两种方式:一是将独立
2025-11-11 13:59:00
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实验名称: 高压放大器 在铁磁铁电异质结系统物理储备池计算中的应用 实验内容:将信号发生器产生的一段任意波形经高压放大器放大后输入到系统中,探测系统的实时输出,并对该系统进行储备池计算的模型训练
2025-11-03 16:14:23
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HP 4145B / Agilent 4145B 半导体参数分析仪4145B 半导体参数分析仪是一款独立的仪器,能够对半导体器件和材料进行完整的直流表征。它刺激电压和电流敏感设备,测量产生的电流
2025-11-03 11:20:32
实验名称: 高压放大器 在铁磁铁电异质结系统物理储备池计算中的应用 实验内容:将信号发生器产生的一段任意波形经高压放大器放大后输入到系统中,探测系统的实时输出,并对该系统进行储备池计算的模型训练
2025-10-29 16:36:47
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一台半导体参数分析仪抵得上多种测量仪器Keysight B1500A 半导体参数分析仪是一款一体化器件表征分析仪,能够测量 IV、CV、脉冲/动态 I-V 等参数。 主机和插入式模块能够表征大多数
2025-10-29 14:28:09
半导体无机清洗是芯片制造过程中至关重要的环节,以下是关于它的详细介绍: 定义与目的 核心概念:指采用化学试剂或物理方法去除半导体材料(如硅片、衬底等)表面的无机污染物的过程。这些污染物包括金属离子
2025-10-28 11:40:35
231 自由空间半导体激光器半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件。.其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级
2025-10-23 14:24:06
光纤耦合半导体激光器屹持光子信息科技(上海)有限公司光纤耦合半导体激光模块集合了半导体激光器,单模光纤耦合,优质的光学传导和整形装置,完善精准的电子控制装置,和牢固的模块化封装,提供从紫外到近红外
2025-10-23 14:22:45
MAS系统远程监控和自诊断功能,工程师可以轻松的对设备进行监控和维护,确保生产的连续性和稳定性,引领半导体制造企业向智能化、高效化方向大步迈进。
公司注重产品质量,更注重客户服务满意度及产品
2025-10-10 10:35:17
在半导体产业不断演进的历程中,异质异构集成技术正逐渐成为推动行业突破现有瓶颈、迈向全新发展阶段的关键力量。在这样的产业变革背景下,九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会于武汉光谷盛大召开,吸引了来自美国
2025-09-30 15:58:07
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在智能清洁领域,每一次技术突破都向着解放人力更进一步。9月23日,普渡机器人在CMS Berlin展会上全新发布的自清洁工作站,融合自动回充、自主加排水、部件自清洁及移动水站协同功能,实现了从“人
2025-09-29 15:05:59
780 硅异质结(SHJ)太阳能电池因其高转换效率、高开路电压和低温度制程等优势,已成为前景广阔的光伏技术,预计市场份额将持续增长。然而,其低温
2025-09-29 09:02:51
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在全球科技浪潮汹涌澎湃的当下,半导体产业宛如一座精密运转的巨大引擎,驱动着信息技术革命不断向前。而在这一复杂且严苛的生产体系中,半导体湿制程设备犹如一位默默耕耘的幕后英雄,虽不常现身台前,却以无可
2025-09-28 14:06:40
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET,其内置FRD,适应LLC应用,并适合多管应用,具有更快的开关速度,更低的导通损耗;极低的栅极电荷(Qg),大大提高系统效率和优异的EMI性能。
2025-09-26 17:39:51
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摩矽半导体:专耕半导体行业20年,推动半导体国产化进展!
2025-09-24 09:52:05
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SOI(silicon-on-insulator,绝缘衬底上的硅)技术的核心设计,是在顶层硅与硅衬底之间引入一层氧化层,这层氧化层可将衬底硅与表面的硅器件层有效分隔(见图 1)。
2025-09-22 16:17:00
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周期
EUV光源生成方法:
NIL技术:
各种光刻技术的关键参数及瓶颈
二、集成芯片
1、芯粒与异质集成
集成芯片技术支持异质集成,即把不同半导体厂家、不同功能、不同工艺节点、不同材质的芯片集成在一个
2025-09-15 14:50:58
在这数字化飞速发展的现代社会,半导体行业已经成为科技进步的中流砥柱。而要保证这些半导体元件的高性能和可靠性,清洁度是一个至关重要的因素。这时候,超声波真空清洗机就像超级英雄一般,悄悄地解决了这个
2025-09-08 16:52:30
704 
摘要
本文聚焦碳化硅衬底晶圆总厚度变化(TTV)厚度测量技术,剖析其在精度提升、设备小型化及智能化测量等方面的最新发展趋势,并对未来在新兴应用领域的拓展及推动半导体产业发展的前景进行展望,为行业技术
2025-09-01 11:58:10
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摘要
本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的边缘效应问题,深入分析其产生原因,从样品处理、测量技术改进及数据处理等多维度研究抑制方法,旨在提高 TTV 测量准确性,为碳化硅半导体制造提供可靠
2025-08-26 16:52:10
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本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准化操作指导
2025-08-23 16:22:40
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摘要
本文围绕探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪,系统阐述其操作规范与实用技巧,通过规范测量流程、分享操作要点,旨在提高测量准确性与效率,为半导体制造过程中碳化硅衬底 TTV 测量提供标准化操作
2025-08-20 12:01:02
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理论依据。
引言
在第三代半导体产业中,碳化硅衬底的质量对芯片性能和良率起着决定性作用,晶圆总厚度变化(TTV)作为衡量碳化硅衬底质量的关键指标,其精确测量至关重
2025-08-18 14:33:59
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本文通过对比国产与进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪在性能、价格、维护成本等方面的差异,深入分析两者的性价比,旨在为半导体制造企业及科研机构选购测量设备提供科学依据,助力优化资源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31
707 
,为半导体制造工艺的稳定运行提供支持。
引言
在碳化硅半导体制造过程中,TTV 厚度测量数据是评估衬底质量的关键依据。然而,受测量设备性能波动、环境变化、样品特性
2025-08-14 13:29:38
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半导体外延和薄膜沉积是两种密切相关但又有显著区别的技术。以下是它们的主要差异:定义与目标半导体外延核心特征:在单晶衬底上生长一层具有相同或相似晶格结构的单晶薄膜(外延层),强调晶体结构的连续性和匹配
2025-08-11 14:40:06
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半导体外延工艺主要在集成电路制造的前端工艺(FEOL)阶段进行。以下是具体说明:所属环节定位:作为核心步骤之一,外延属于前端制造流程中的关键环节,其目的是在单晶衬底上有序沉积单晶材料以形成外延层
2025-08-11 14:36:35
1273 
摘要
本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中各向异性带来的干扰问题展开研究,深入分析干扰产生的机理,提出多种解决策略,旨在提高碳化硅衬底 TTV 厚度测量的准确性与可靠性,为碳化硅半导体制造工艺提供
2025-08-08 11:38:30
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电子发烧友网报道(文/梁浩斌)今年以来,各家厂商都开始展示出12英寸SiC产品,包括晶锭和衬底,加速推进12英寸SiC的产业化。最近,天成半导体宣布成功研制出12英寸N型碳化硅单晶材料;晶越半导体也
2025-07-30 09:32:13
11753 的研发。自2007年成立以来,全志凭借高性价比、低功耗和广泛的应用生态,在消费电子、智能硬件、汽车电子等领域占据重要地位,成为中国半导体产业的重要代表之一。 技术优势与产品布局 全志芯片的核心竞争力在于其高度集成的SoC(系统级芯片)设计能力,涵盖CPU、
2025-07-29 15:45:38
810 近日,晶越半导体传来重大喜讯,在半导体材料研发领域取得了新的里程碑式突破。继 2025 年上半年成功量产 8 英寸碳化硅衬底后,公司持续加大研发投入,不断优化工艺,于 7 月 21 日成功研制出
2025-07-25 16:54:48
700 一、核心功能与应用场景半导体超声波清洗机是利用高频超声波(20kHz-1MHz)的空化效应,通过液体中微射流和冲击波的作用,高效剥离晶圆表面的颗粒、有机物、金属污染及微小结构内的残留物。广泛应用
2025-07-23 15:06:54
深爱半导体推出新品IPM模块
IPM(Intelligent Power Module,智能功率模块) 是集成了功率器件、驱动电路、保护功能的“系统级”功率半导体方案。其高度集成方案可缩减 PCB
2025-07-23 14:36:03
在半导体行业中,硅基光电子技术是实现光互联、突破集成电路电互联瓶颈的关键,而在硅si衬底上外延生长高质量GaAs薄膜是硅基光源单片集成的核心。台阶仪作为重要的表征工具,在GaAs/Si异质外延研究中
2025-07-22 09:51:18
537 
目录
第1章 半导体中的电子和空穴第2章 电子和空穴的运动与复合
第3章 器件制造技术
第4章 PN结和金属半导体结
第5章 MOS电容
第6章 MOSFET晶体管
第7章 IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性,有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和器件的应用特性联系起来。
书中内容由浅入深,从半导体的性质、基本的半导体
2025-07-11 14:49:36
有限公司副总裁马卫清在2025中国(深圳)集成电路峰会表示。 2025年功率半导体市场有哪些机遇?全球功率半导体的头部厂商和中国厂商在占有率上有哪些变化?汽车企业自研SIC器件有哪些进展?本文结合华润微电子有限公司副总裁马卫清的观点和比亚迪、
2025-06-27 00:09:00
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在科技发展日新月异的当下,温度控制的精度与稳定性成为众多领域研发和生产的关键要素。聚焦温度控制领域的企业研发出高精度半导体温控产品,已在电子、通讯、汽车、航空航天等行业的温控场景中得到应用。那么
2025-06-25 14:44:54
、技术分类到应用场景,全面解析这一“隐形冠军”的价值与意义。一、什么是半导体清洗机设备?半导体清洗机设备是用于清洁半导体晶圆、硅片或其他基材表面污染物的专用设备。
2025-06-25 10:31:51
有没有这样的半导体专用大模型,能缩短芯片设计时间,提高成功率,还能帮助新工程师更快上手。或者软硬件可以在设计和制造环节确实有实际应用。会不会存在AI缺陷检测。
能否应用在工艺优化和预测性维护中
2025-06-24 15:10:04
半导体药液单元(Chemical Delivery Unit, CDU)是半导体前道工艺(FEOL)中的关键设备,用于精准分配、混合和回收高纯化学试剂(如蚀刻液、清洗液、显影液等),覆盖光刻、蚀刻
2025-06-17 11:38:08
引言
在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。
量化关系分析
切割机
2025-06-12 10:03:28
536 
在半导体产业的宏大版图中,苏州芯矽电子科技有限公司宛如一座默默耕耘的灯塔,虽低调却有着不可忽视的光芒,尤其在半导体清洗机领域,以其稳健的步伐和扎实的技术,为行业发展贡献着关键力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
近期北京某院校送修一台是德科技的B1500A半导体参数分析仪。报修故障为:仪器开机后自诊断报错。
2025-05-26 17:10:24
684 
随着AI技术井喷式快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出的第三代超结MOSFET,能全面满足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
726 
场效应晶体管(TFET)沿沟道方向有一个 PN结,金属-半导体场效应晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT)垂直于沟道方向含有一个栅电极肖特基势垒结。
2025-05-16 17:32:07
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电子束半导体圆筒聚焦电极
在传统电子束聚焦中,需要通过调焦来确保电子束焦点在目标物体上。要确认是焦点的最小直径位置非常困难,且难以测量。如果焦点是一条直线,就可以免去调焦过程,本文将介绍一种能把
2025-05-10 22:32:27
电路中,超结MOS管通常用来实现功率变换。随着TV电视的小型化、轻薄化、智能化的发展趋势,伯恩半导体针对新一代TV在功率器件的需求进行了不断地升级和改
2025-05-07 14:36:38
714 
资料介绍
此文档是最详尽最完整介绍半导体前端工艺和后端制程的书籍,作者是美国人Michael Quirk。看完相信你对整个芯片制造流程会非常清晰地了解。从硅片制造,到晶圆厂芯片工艺的四大基本类
2025-04-15 13:52:11
掺杂?
5、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象?
6、PN结最主要的物理特性是什么?
7、PN结还有那些名称?
8、PN结上所加端电压与电流是线性的吗?它为
2025-04-07 10:21:30
中国功率半导体行业的发展历程是一部从技术引进到自主创新、从受制于人到逐步突破的筚路蓝缕奋斗史。从陈星弼院士的超结MOSFET专利到全国产碳化硅(SiC)技术的崛起,这一历程体现了中国在核心技术攻关
2025-03-27 07:57:17
684 MDD整流二极管是电力电子和信号处理电路中的重要器件,其核心工作原理依赖于PN结的整流特性。PN结是由P型半导体和N型半导体构成的基本结构,通过其单向导电性,实现交流到直流的转换。MDD本文将深入
2025-03-21 09:36:46
1412 
虽然明确说明了先辑半导体HPM6E00系列产品能用来做EtherCAT的从站,但它可以用来做主站吗,还是说必须用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
由高温卡盘和高精度探针座可以为这种异质结制备提供稳定可靠的平台。高温系统通过PID温控器实现对高温卡盘从室温到+700℃精准调控。采用200TPI不锈钢螺杆的高精
2025-03-12 14:41:39
1011 
)等二维材料因结构薄、电学性能优异成为新一代半导体的理想材料,但目前还缺乏高质量合成和工业应用的量产技术。 化学气相沉积法(CVD)存在诸如电性能下降以及需要将生长的TMD转移到不同衬底等问题,增加了工艺的复杂性。此外,在
2025-03-08 10:53:06
1189 北京市最值得去的十家半导体芯片公司
原创 芯片失效分析 半导体工程师 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作为中国半导体产业的重要基地,聚集了众多在芯片设计、制造、设备及新兴技术领域具有
2025-03-05 19:37:43
尊敬的各位电子工程师、嵌入式开发爱好者们:
大家好!今天,我们怀着无比激动与自豪的心情,向大家宣布一个重大喜讯——武汉芯源半导体的单片机CW32正式出书啦!《基于ARM Cortex-M0+
2025-03-03 15:14:41
近期北京某院校送修一台是德科技的B1500A半导体参数分析仪。报修故障为:仪器开机后自诊断报错。 下面是是德科技B1500A半导体参数分析仪的维修情况: 仪器名称 是德科技B1500A半导体参数
2025-02-20 17:42:15
1245 
近日,天津理工大学与厦门大学联合科研团队取得了一项重要突破,成功构建了一种基于PdSe₂/NbSe₂范德华(vdW)异质结的宽带偏振角相关光电探测器。 这种新型的光电探测器结合了PdSe₂和NbSe
2025-02-12 10:10:39
810 碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其出色的物理和化学特性,如高硬度、高熔点、高热导率和化学稳定性,在半导体产业中得到了广泛的应用。SiC衬底是制造高性能SiC器件的关键材料,其生产过程复杂
2025-02-03 14:21:00
1980 一、引言
随着碳化硅在半导体等领域的广泛应用,对其衬底质量的检测愈发关键。BOW(翘曲度)和 WARP(弯曲度)是衡量碳化硅衬底质量的重要参数,准确测量这些参数对于保证器件性能至关重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54
286 
【研究 梗概 】 在科技的快速发展中,超宽禁带半导体材料逐渐成为新一代电子与光电子器件的研究热点。而在近日, 沙特阿卜杜拉国王科技大学(KAUST)先进半导体实验室一项关于超宽禁带氧化镓
2025-01-22 14:12:07
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在半导体产业这片高精尖的领域中,氮化镓(GaN)衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料,正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而,氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37
449 
近日,基本半导体凭借出色的产品质量和优质的客户服务,再次获得客户的高度认可,荣获由麦田能源颁发的2024年度“最佳供应商”奖项。这一荣誉不仅是对基本半导体在碳化硅领域技术实力和创新能力的高度认可,也标志着双方在清洁能源领域的合作迈向了新的台阶。
2025-01-21 09:26:52
1324 在半导体制造这一微观且精密的领域里,氮化镓(GaN)衬底作为高端芯片的关键基石,正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而,氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50
404 
在当今高速发展的半导体产业浪潮中,氮化镓(GaN)衬底宛如一颗耀眼的新星,凭借其卓越的电学与光学性能,在众多高端芯片制造领域,尤其是光电器件、功率器件等方向,开拓出广阔的应用天地。然而,要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36
420 
在半导体领域的璀璨星河中,氮化镓(GaN)衬底正凭借其优异的性能,如高电子迁移率、宽禁带等特性,在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角,成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言,其
2025-01-16 14:33:34
366 
在半导体制造这一高精尖领域,碳化硅衬底作为支撑新一代芯片性能飞跃的关键基础材料,其厚度测量的准确性如同精密机械运转的核心齿轮,容不得丝毫差错。然而,测量探头的 “温漂” 问题却如隐匿在暗处的 “幽灵
2025-01-15 09:36:13
386 
在当今蓬勃发展的半导体产业中,碳化硅(SiC)衬底作为关键基础材料,正引领着高性能芯片制造迈向新的台阶。对于碳化硅衬底而言,其 BOW(弯曲度)和 WARP(翘曲度)参数犹如精密天平上的砝码,细微
2025-01-14 10:23:10
400 
设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。功率半导体的电流密度随着功率半导体芯片损耗降低,最高工作结温提升,器件的功率密度越来越高,也就是
2025-01-13 17:36:11
1819 
在半导体领域,随着碳化硅(SiC)材料因其卓越的电学性能、高热导率等优势逐渐崭露头角,成为新一代功率器件、射频器件等制造的热门衬底选择,对碳化硅衬底质量的精准把控愈发关键。其中,碳化硅衬底的 BOW
2025-01-13 14:36:13
394 
衬底的关键组件,其结构和性能对外延片的质量具有决定性影响。本文将详细介绍一种用于半导体外延片生长的CVD石墨托盘结构,探讨其设计特点、工作原理及在半导体制造中的应
2025-01-08 15:49:10
364 
,TTV,BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。 WD4000半导体晶圆几何表面形貌检测设备可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检
2025-01-06 14:34:08
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