来源:晶能光电
近日,在厦门举办的国际半导体照明联盟(ISA)2025年度大会上,晶能凭借“大尺寸硅衬底GaN Micro LED外延”技术,成功入选“全球半导体照明创新100佳”。这不仅是对晶能技术实力的高度认可,更彰显了中国企业在全球微显示领域的创新引领能力。

该奖项由国际半导体照明联盟(ISA)组织设立,评审团由全球半导体照明领域的权威专家组成,旨在推动产业可持续发展,鼓励技术创新与应用突破。晶能此次获奖,标志着其在大尺寸硅衬底GaN 基Micro LED技术方面的突破已获得国际权威机构的充分肯定。
大尺寸硅衬底GaN Micro LED技术被业界视为实现Micro LED微显示产业化的最佳路线之一。它具备衬底成本低、波长一致性高、可兼容CMOS工艺以及便于无损剥离等优势,可以有效借助集成电路的工艺和设备,实现高良率、高效率、低成本的Micro LED微显模组制造。目前晶能已实现大尺寸硅衬底GaN Micro LED外延片的批量供货,为全球众多企业和科研院所提供关键技术支撑,有力推动Micro LED产业化进程。

值得一提的是,晶能已多次在“全球半导体照明创新100佳”评选中脱颖而出,此前曾凭借“硅衬底薄膜结构高能量密度圆形发光芯片”、“硅基垂直结构Mini LED蓝绿芯片”等技术斩获殊荣。连续获奖不仅体现了晶能在技术研发与产品迭代上的持续投入,也展现出其在半导体照明领域的深厚积累与创新能力。
此次再获国际认可,既是一份荣誉,更是一份责任。晶能将坚持创新驱动发展战略,持续聚焦核心技术突破,致力于为全球客户提供更优质的产品与解决方案,助力半导体照明产业迈向高质量、可持续发展新阶段。
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原文标题:再获国际殊荣!大尺寸硅衬底GaN Micro LED外延入选“全球半导体照明创新100佳”
文章出处:【微信号:lattice_power,微信公众号:LED厂商消息】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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