请教下：cyw20721对比cyw20706，传输音频，那个有更好的特性呢
2024-03-01 08:44:44
CLF3H0060-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT
2024-02-29 20:35:47
CLF3H0060S-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管，可在 DC
2024-02-29 20:35:06
CLF3H0035-100CLF3H0035-100 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN
2024-02-29 20:32:16
CLF3H0035S-100 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN HEMT 晶体管
2024-02-29 20:31:45
CLF3H0060-30 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管
2024-02-29 20:31:04
CLF3H0060S-30 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管
2024-02-29 20:30:35
BLP15H9S30G 功率LDMOS晶体管适用于广播和工业应用的 30 W LDMOS 驱动器晶体管。该器件出色的耐用性使其非常适合 HF 至 2 GHz 频率范围内的数字和模拟发射器
2024-02-29 20:27:41
CLL3H0914L-700 L 波段内部预匹配 GaN-SiC HEMTCLL3H0914L-700 和 CLL3H0914LS-700 是 700 W 内部预匹配 RF
2024-02-29 17:54:19
CLL3H0914LS-700 CLL3H0914LS-700 L 波段内部预匹配 GaN-SiC HEMTCLL3H0914L-700 和 CLL3H
2024-02-29 17:53:49
AEB是一种汽车主动安全技术，主要由哪3大模块构成
2024-02-20 06:06:08
ZCC1130T是一款采用先进恒定电流/恒定电压算法的双节锂电池充电器，以其卓越性能和智能设计成为您设备的最佳搭档。最大支持1A的充电电流，确保您的电池迅速充满，时刻保持高效运行。
智能交叉充电
2024-01-08 15:55:16
3P4W制的已无问题，3P3W-2CT的接线读值也无问题了，但是不理解3P3W-3CT的接线方式应该如何配置，如下图所示
这种N相不接，我无论将ADE7880配置在哪种模式，计算出来的电压都是不对的，并且是跳动的，跳动的范围挺大，
请各种专家帮帮我，这种不接N线的要测量应该如何实现，谢谢。
2023-12-26 07:06:10
您好，我使用AD2S1205解码上海捷纳公司的贝米52.4-4的单通道4极对旋转变压器，输出12位的位置信息，即0-4096，但是在输出300-2000之间是跳变过去的，不是稳定的输出，即当慢慢旋转
2023-12-11 07:30:42
F658-H130M1H型号简介Sumitomo的GaN HEMT F658-H130M1H提供高功率、高效率、易于匹配直流至3GHz高功率的更大一致性50V操作的应用程序。型号规格
2023-12-05 19:09:33
的实测成绩对比，上一代龙芯3A5000作为参照。
和3A5000相比 ，3A6000在SPEC CPU 2006测试中，多核定点提升103%，多核浮点提升83%。单核定点提升62%，单核浮点提升92
2023-11-29 10:44:17
PKD01是一款很好用的峰值保持电路，因停产很难买到货，请问用哪款芯片能替代它？
2023-11-24 08:27:04
/STM32F100RBT_robot.git
悟空派：
1、开场白
大家好，我是FFD80。很高兴能够在这里和大家分享一些关于我使用悟空派H3开发板构建全向轮小车的试用经验。
前段时间有幸在电子发烧友论坛申请到了悟空派H3 Zero
2023-11-12 01:00:04
一、产品描述1.产品特性CGHV1F025S Package Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN
2023-11-07 15:24:25
CGHV1F025SPackage Type: 3x4 DFNPN: CGHV1F025S25 W, DC - 15 GHz, 40 V, GaN HEMTDescriptionWolfspeed
2023-11-07 15:05:39
喇叭的规格什么3R 4W是代表什么意思？音量吗？
2023-11-07 06:05:53
产品试用报告 - 悟空派H3开发板
产品概述
产品名称：悟空派H3开发板
试用项目：ROS系统基础下构建全向轮小车
背景
悟空派H3开发板不仅仅是一款消费品，同时也是给任何想用技术来创新的人
2023-11-02 01:37:47
stm8s103f3的HSI怎么校准？
2023-10-26 08:09:21
/F3访问线8位微控制器提供8 KB闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。STM8S微控制器系列参考手册（RM0016）将该系列中的设备称为低密度。它们具
2023-10-17 16:52:24
RT1052和stm32F7系列H743对比有哪些优势？如何选择这两种开发板？
2023-10-10 08:29:33
FT232对比CH430有什么优势
2023-10-09 07:06:07
STM32F429和407差别大么，选择哪款比较好？
2023-10-08 08:41:10
基于STM8S003F3的碰撞检测功能
2023-09-25 06:56:39
悟空派H3开发版是一款由悟空派团队开发的基于RISC-V架构的开发板。该开发板采用了SiFive U74-HiFive Unleashed RISC-V处理器，主频为1.5GHz，具有4个Arm
2023-09-19 10:04:58
、可穿戴电子设备等物联网场景。ESP32-S3-MINI-1 采用 PCB 板载天线，ESP32-S3-MINI-1U 采用连接器连接外部天线。两款模组配置了最大 8MB SPI flash，部分模组配置
2023-09-18 08:48:12
本文提供基于 ESP32-S3 的硬件设计的指导规范。ESP32-S3 是一款具有超高性能的 Wi-Fi +Bluetooth® 5 (LE) 系统级芯片。这些规范将帮助您提升原理图和 PCB 版图设计的准确性。
2023-09-18 08:06:04
悟空派是一款开源的单板卡片电脑，新一代的arm开发板，它可以运行Android 4.4、Ubuntu 和 Debian 等操作系统。悟空派开发板 (悟空派H3 Zero) 使用全志 H3 系统级芯片，同时拥有 256MB/512MB DDR3 内存。
2023-09-07 11:10:22
F3产品技术培训-21.固件兼容性
2023-09-07 07:09:17
透镜颜色：红色@@波长：615-635nm@@发光亮度：320-480mcd@@正向电压：1.8-2.2v@@功耗：200mW@@工作温度：-20~+85℃@@插件LED灯座@@F3红发红四孔灯座
2023-08-29 11:10:00
透镜颜色：红色@@波长：615-635nm@@发光亮度：240-360mcd@@正向电压：1.8-2.2v@@功耗：150mW@@工作温度：-20~+85℃@@插件LED灯座@@F3红发红三孔灯座
2023-08-29 11:08:09
透镜颜色：红色@@波长：615-635nm@@发光亮度：260mcd@@正向电压：1.8-2.2v@@功耗：100mW@@工作温度：-20~+85℃@@插件LED灯座@@F3红发红双孔灯座
2023-08-29 11:06:53
透镜颜色：红色@@波长：615-635nm@@发光亮度：80-120mcd@@正向电压：1.8-2.2v@@功耗：50mW@@工作温度：-20~+85℃@@插件LED灯座@@F3红发红单孔灯座
2023-08-29 11:05:30
先来介绍一下米尔-全志T113-S3开发板：
全志科技 T113 系列处理器是一款基于双核A7@1.2GHz + HiFi4 DSP 多核异构工业级处理器，支持
H.265/H
2023-08-17 23:59:59
TTM Technologies 的 X3C45F1-04S 是一款定向耦合器，频率为 3.6 至 5.1 GHz，耦合度 4 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W，插入损耗 0.2 dB
2023-08-16 16:12:41
TTM Technologies 的 X3C45F1-05S 是一款定向耦合器，频率为 3.6 至 5.1 GHz，耦合度 5 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W，插入损耗 0.2 dB
2023-08-16 16:10:27
TTM Technologies 的 X3C35F1-02S 是一款定向耦合器，频率为 3.3 至 4.2 GHz，耦合为 1.9 dB，耦合变化 ±0.15 dB，方向性为 16 至 21 dB
2023-08-16 15:59:36
TTM Technologies 的 X3C35F1-05S 是一款定向耦合器，频率为 3.1 至 4.2 GHz，耦合度 4.9 dB，方向性 20 dB，平均功率 25 W，插入损耗 0.2
2023-08-16 15:56:49
TTM Technologies 的 X3C25F1-02S 是一款定向耦合器，频率为 2.3 至 2.7 GHz，耦合 1.9 dB，耦合变化 ±0.15 dB，方向性
2023-08-16 15:04:57
TTM Technologies 的 X3C25F1-05S 是一款定向耦合器，频率为 2.2 至 2.8 GHz，耦合为 4.9 dB，耦合变化 ±0.20 dB，方向性为 20 至 23 dB
2023-08-16 14:37:50
TTM Technologies 的 X3C20F1-02S 是一款定向耦合器，频率为 1.8 至 2.2 GHz，耦合为 1.9 dB，耦合变化 ±0.20 dB，方向性为 21 dB
2023-08-16 14:18:58
TTM Technologies 的 X3C20F1-05S 是一款定向耦合器，频率为 1.7 至 2.3 GHz，耦合 5 dB，耦合变化 ±0.2 至 ±0.3 dB，方向性 20 dB
2023-08-16 11:52:55
TTM Technologies 的 X3C14F1-02S 是一款定向耦合器，频率为 1.2 至 1.7 GHz，耦合为 1.9 dB，耦合变化 ±0.2 至 ±0.3 dB，方向性 21 dB
2023-08-16 11:36:53
TTM Technologies 的 X3C07F1-02S 是一款定向耦合器，频率为 690 MHz 至 1 GHz，耦合 1.9 dB，耦合变化 ±0.15 dB，方向性 21 dB，功率 25
2023-08-16 11:13:45
TTM Technologies 的 X3C07F1-05S 是一款定向耦合器，频率为 600 MHz 至 1 GHz，耦合为 5 至 5.35 dB，耦合变化 ±0.3 dB，方向性为
2023-08-16 11:08:06
TTM Technologies 的 X3C06F1-02S 是一款定向耦合器，频率为 575 至 655 MHz，耦合 2 dB，耦合变化 ±0.3 dB，平均功率 10 W，插入损耗 0.2
2023-08-16 10:51:27
TTM Technologies 的 X3C70F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 5.5 至 8.5 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1.5 dB，方向性 18 dB，平均功率 20 W
2023-08-16 10:34:12
TTM Technologies 的 X3C50F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 3.6 至 6.3 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1.5 dB，方向性 20 dB
2023-08-16 10:18:45
TTM Technologies 的 X3C30F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 2.3 至 3.8 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1 至 1.50 dB，方向性 20
2023-08-16 09:44:42
TTM Technologies 的 X3C19F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 1.4 至 2.7 GHz，耦合为 19.5 至 20 dB，耦合变化 ±0.5 dB，方向性为 20 至
2023-08-15 17:24:11
TTM Technologies 的 X3C09F1-20S 是一款定向耦合器，频率为 700 MHz 至 1 GHz，耦合为 19.7 至 20 dB，耦合变化 ±0.5
2023-08-15 15:41:51
TBT技术中的3W525S是一个频率为1.8-2.5千兆赫、幅值平衡为+0.4分贝、相位平衡为5度、插入损失为0.35-0.38分贝、功率为150W的不对称
2023-08-11 10:01:21
该X3C21-P1-03S技术是一个90度混合耦合器,频率为1.8到2.3千兆赫,平均功率为90到110瓦,插入损失0.12到0.25分贝,隔离18到25分贝,耦合3分贝。标签:表面贴装。
2023-08-11 09:22:41
TBT技术的X3C19-P1-03S是一种90度的混合耦合器,频率1.4-2千兆赫,平均功率90-110瓦,插入损失0.12-0.22分贝,隔离20-25分贝,耦合3分贝。
2023-08-11 09:17:19
该X3C26P1-03S技术的技术是一个90度的混合耦合器,频率2.3到2.91千兆赫,平均功率80到110瓦,插入损失0.18到0.2分贝,隔离20到23分贝,耦合3分贝。
2023-08-11 09:14:08
TTM Technologies 的 1F1304-3S 是一款 90 度混合耦合器，频率为 470 至 860 MHz，平均功率 100 W，插入损耗 0.4 dB，隔离度 21 dB，耦合 3
2023-08-10 17:40:12
15.4 - 17.7 GHz，80 W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1F1H060 MMIC HPA 系列利用 Wolfspeed 的高性能 0.15um GaN
2023-08-08 11:40:11
正在学习绘制PCB，缺少stm8s003f3u6tr的封装，求大佬给文件
2023-08-07 07:03:25
最近在做一款150W LLC架构电源，PFC电容采用L6562 DCM模式，LLC IC采用NCP1397，最低工作频率约69KHZ，最高工作频率约200KHZ。在3M辐射测试发现冷开机时33MHz有3个dB的余量，煲热之后竟超标20dB。请各位高人支招是否有合理解决方案
2023-07-31 11:45:46
技术指标：1、基本信息指标：产品名称三槽式冷热冲击快变试验箱产品型号PW-CTS3-250-55W冷却方式水冷式试验方式气动风门切换3温区标称内容积250L 开门方式单开门（右边开）内箱
2023-07-26 11:06:57
600 V、6 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:14:55
600 V、4 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 10:07:08
600 V、3 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-25 09:18:50
600 V、2 A、TO-220-F2 封装、第 3 代分立 SiC 肖特基二极管Wolfspeed 的 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二极管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）设计，比
2023-07-24 17:37:00
F1130 数据表
2023-07-03 19:04:13
0 Skyworks Solutions 的 SMV1130 系列是变容二极管，电容 18.5 pF@Vr=1 V，2 pF@Vr=20 V，正向连续电流 20 mA，反向电压 26
2023-06-29 15:10:27
智能灯的制作STC8H3K系列单片机
要求：使用STC8H3K系列单片机，编程实现24小时内任意设置灯的开、关时间，设置点不小于12对（开、关各12个时间点），LED灯珠供电电压12V，总功率不小于10W，并具有PWM调光功能。
2023-06-25 19:13:39
PD3S130H产品简介DIODES 的 PD3S130H 这种肖特基势垒整流器的设计满足汽车应用的严格要求。它非常适合用作：极性保护二极管再循环二极管开关二极管 产品规格
2023-06-20 13:49:26
SBR3U40S1F 产品简介DIODES 的 SBR3U40S1F 是采用 SOD123F 封装的单一整流器，在高温下提供极低的正向压降 (V F ) 和较低的反向泄漏稳定性
2023-06-16 12:50:12
各位工程师好请问关于STM8S005C6T6、STM8L051F3P6、STM8L052C6T6这三款芯片有没有可以pin对pin替换的芯片，求圈内的大神告知，感谢大家！
2023-06-16 08:32:59
对比STLINK-V3MINIE与野火 fireFlasher Mini 脱机烧录器的烧录速度
首先，选择一个相同的hex文件进行对比烧录，使用SWD接口进行烧录，野火 fireFlasher
2023-05-22 00:43:42
的状态。 此次当贝推出新品当贝盒子H3S,为H3的升级版,对内存、WiFi和蓝牙进行了升级,进一步提升了电视盒子的运行效率和传输速率,让老旧电视焕然一新。 当贝盒子H3S怎么样?参数性能详解 外观设计—— 当贝盒子H3S采用了纯黑配色+弧形机身的
2023-05-19 17:03:37
2258 
765IIK6
STM32F413ZGT6
STM32H755XIH3
STM8S003F3U6TR
STM32F407IGT6
STM32H743VGT6
SAK-TC275TP-64F200W DB
TDA7802PDTR
2023-05-15 18:01:49
UF3C120150K4S产品简介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化
2023-05-12 12:52:17
UF3C065080K4S 产品简介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化
2023-05-11 20:53:23
Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上
2023-05-11 15:25:03
Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 产品将其高性能 F3 SiC 快速 JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一
2023-05-11 14:50:32
关于S32K3：当人为短路晶体导向S32K3产品复原位进入sBAF，是不是看门狗还能起作用？
2023-04-24 07:55:16
检查将被跳过。黑客会利用这一点来读取固件。
问题：
(1) S32K3系列是否也存在这样的风险？
(2) 如果没有，是否有针对这种风险的保护措施？它是如何受到保护的？
问题背后：有一款MCU
2023-04-24 07:02:31
=317f8h (202744) map I (2262590) esp_image: segment 1: paddr=00281820 vaddr=3fc988d0 size= 03d2ch
2023-04-14 06:16:16
我已将 ESP32S3-DevKitC 板与 Wiz850io 板连接，以在 ESP32S3 设备上测试 SPI 以太网。我已经配置了基本以太网示例并让它在板上运行。该示例运行良好，它能够初始化 W5500 并连接到以太网，但一段时间后（10-15 秒）日志中报告堆栈溢出消息并且示例崩溃。
2023-04-13 07:48:49
我在 esp-idf/examples/protocols/https_server/simple 的 https 网络服务器示例中遇到问题。我正在运行带有 ESP32S3 目标的 ESP-IDF
2023-04-13 06:02:52
) 的 esp_mpi_enable_hardware_hw_op() 函数启用它。我遇到的问题/疑问是为什么与 ESP32-S2 相比，ESP32-S3 和 ESP32-C3 的性能要慢 ~50%。在技术参考手册中，我看到只要 CPU 时钟
2023-04-12 07:39:25
请告诉我们这种现象发生的机制以及如何恢复。获取 NTAG I2C plus Explorer Kit ， 我在示例芯片上组装了一个天线板，将用 NT3H1201 创建的程序 (MSP430) 替换
2023-04-03 06:46:01
请问mosfet搭建的H桥为什么比二极管搭建的H桥功耗要低呢？
2023-03-31 13:56:01
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