详细介绍CR5565TG替换XX2162DP的测试报告

本文我们将为您介绍CR5565TG替换XX2162DP的测试报告。

CR5565TG芯片特性：

● CR5565TG 内置650V 高压功率MOSFET，DIP-7 封装的反激式原边检测PWM 功率开关；

● 内置斜坡补偿电路，LEB 电路及多模式的效率均衡技术；

● 内置高压启动模块，具有超低待机功耗≤40mW；

● 具有良好的EMI 特性以及良好的负载动态特性；

● 具有“CS 开路、OCP、SCP、OTP、OVP”等多种保护功能；

● 原边反馈，无需光耦和TL431，可调式线损补偿，IC 基准精度±1%；

● 电路结构简单、较少的外围元器件，高精度的恒压和恒流输出，适用于小功率AC / DC电源适配器、充电器。

优势：

1）可以提供高压启动，节省一个启动电阻；

2）提供全套PCB Layout资料支持

XX2162DP

CR5565TG

CR5565TG替换XX2162DP修改元件参数如下：

R3=1.8R改为R3＝1.4R；

R7=43K改为R7=18K；

R8=R8=4.3K改为R8=62K；

R9=62K改为R9=1.8K；

R13=36K改为R13=43K。

EMI对比：

结论

CR5565TG辐射比KP2162好许多。

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审核编辑：符乾江