看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存储HBM不再是唯一热门，更多存储芯片与AI推理芯片结合，拥有了市场机会。 已经有不少AI推理芯片、存算一体芯片将SRAM替代DRAM，从而获得更快的访问速度、更低的刷新延迟等。 静态随机存取存储器（Static
2025-03-03 08:51:57
2670 
存储器）。
在过去，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，Flash的出现，全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者
2026-01-04 07:10:12
单片机的特殊功能寄存器SFR，是SRAM地址已经确定的SRAM单元，在C语言环境下对其访问归纳起来有两种方法。
采用标准C的强制类型转换和指针来实现
采用标准C的强制转换和指针的概念来实现访问
2025-12-26 07:00:26
CW32F030 的 FLASH 存储器支持擦写 PC 页保护功能。
当用户程序运行 FLASH 时，如果当前程序指针 PC 正好位于待擦写的 FLASH 地址页范围内，则该擦写操作失败，同时
2025-12-11 07:38:50
1）NOR Flash：并联结构 → 随机访问友好
NOR 内部单元呈并联矩阵结构，每个存储位可以直接寻址读取和写入
因此 NOR 支持：
字节级（Byte）读取
直接执行
2025-12-08 17:54:19
SRAM（静态随机存储器）是一种在通电状态下可保持数据不丢失的存储器件，无需刷新即可持续工作，因此具有高速读写、响应及时的特点，广泛应用于对实时性要求高的场景。
2025-12-08 16:51:57442 
在计算机和电子设备中，存储器扮演着数据临时存放与快速交换的关键角色。其中，DDR SDRAM（双数据速率同步动态随机存取存储器）已成为现代内存的主流技术之一。它不仅在速度上显著超越前代产品，更凭借其高效传输机制，广泛应用于电脑、服务器、移动设备及各类嵌入式系统中。
2025-12-08 15:20:44293 所需的高压 BOOST 电路，无须额外提供编程电压。
FLASH存储器组织总容量64KB，分页管理
每页 512 字节
共 128 页
FLASH存储器保护FLASH 存储器具有擦写保护和读保护功能
2025-12-05 08:22:19
在内存技术持续革新的今天，SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）依然是计算系统中最核心的存储组件。尽管出现了MRAM、ReRAM等新兴存储方案，但二者凭借成熟的设计与明确
2025-12-02 13:50:46868 在当今高速发展的3C领域（计算机外设、通信及消费电子），对存储器的性能与功耗提出了更高要求。DRAM动态随机存取存储器作为核心存储部件，其性能表现直接影响设备整体效能。Etron凭借其活缓冲DRAM
2025-12-01 13:42:00253 在各类电子设备与嵌入式系统中，存储器的性能与功耗表现直接影响着整体设计的稳定与效率。低功耗SRAM，特别是异步SRAM系列，凭借其出色的能效比与高可靠性，正成为越来越多工业控制、通信设备及便携终端中的关键部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各类存储设备中，SRAM（静态随机存储器）因其高速、低功耗和高可靠性，被广泛应用于高性能计算、通信和嵌入式系统中。其中，双口SRAM静态随机存储器凭借其独特的双端口设计，在高带宽和多任务场景中表现尤为出色，成为提升系统效率的重要组件。
2025-11-25 14:28:44272 用户可执行的RAM 存储器操作包括：读操作、写操作。
对RAM 的读写操作支持8bit、16bit 和32bit 三种位宽，用户程序可以通过直接访问绝对地址的方式完成读写，
但要注意读写的数据位宽
2025-11-21 07:46:52
在存储技术快速演进的今天，一种名为STT-MRAM（自旋转移矩磁阻随机存取存储器）的新型非易失存储器，正逐步走入产业视野。它不仅继承了MRAM的高速读写能力与非易失特性，更通过“自旋电流”技术实现了信息写入方式的突破，被视为第二代MRAM技术的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在现代高性能电子系统中，存储器的读写速度往往是影响整体性能的关键因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在这一需求下发展起来的重要
2025-11-18 11:13:01242 在处理器性能持续攀升的今天，存储系统的速度已成为制约整体算力的关键瓶颈之一。作为最接近CPU核心的存储单元，SRAM（静态随机存取存储器）承担着高速缓存的重要角色，其性能直接影响数据处理效率。当前
2025-11-12 13:58:08455 片上FLASH 闪存由两部分物理区域组成：主FLASH 存储器和启动程序存储器。
●● 主 FLASH 存储器，共 64KB，地址空间为 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。该区
2025-11-12 07:34:35
PSRAM（伪静态随机存储器）是一种兼具SRAM接口协议与DRAM内核架构的特殊存储器。它既保留了SRAM无需复杂刷新控制的易用特性，又继承了DRAM的高密度低成本优势。这种独特的设计使PSRAM在嵌入式系统和移动设备领域获得了广泛应用。
2025-11-11 11:39:04497 在要求高性能与高可靠性的电子系统中，存储器的选择往往成为设计成败的关键。Netsol推出的高速异步SRAM系列，凭借其出色的性能表现与独有的错误校正（ECC）能力，为工业控制、通信设备及高精度计算等应用提供了值得信赖的存储解决方案。
2025-11-05 16:21:39284 由于存储限制， GLB/FIFO/RF 容量有限，所以需要在更高一级存储缓存。卷积计算中 Ifmap 和 filiter 数据都是通过多级存储读取加载卷积计算中 Psum 数据需要从更高一级存储中反复读写。
最佳的数据流设计，高层级存储器访问次数越少越好。
2025-10-31 07:14:52
处理器的运算结果通过返回电路将数据存储在对应的地址中，这里的地址即串口程序助手进行取指的地方。NICE接口和MD5协处理器SoC体系结构设计图如下图3-10所示。
图1 NICE接口和MD5协
2025-10-30 07:54:24
非挥发性存储器，如NAND、NOR Flash，数据在掉电后不会丢失。这类存储器通常速度比较慢，可以做资料和大数据存储。
2025-10-27 15:14:39310 在存储解决方案中，外置SRAM通常配备并行接口。尽管并口SRAM在数据传输率方面表现卓越，但其原有的局限性也日益凸显。最明显的挑战在于物理尺寸：不论是占用的电路板空间或是所需的引脚数量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 在需要高速数据写入与极致可靠性的工业与数据中心应用中，Everspin推出的8位位并行接口MRAM树立了性能与耐用性的新标杆。这款Everspin存储器MRAM与SRAM引脚兼容的存储器，以高达35
2025-10-24 16:36:03532 MRAM是一种利用电子的自旋磁性来存储信息的非易失性存储器。它完美结合了SRAM的高速读写特性与闪存（Flash）的非易失性，能够在断电后永久保存数据，同时具备无限次擦写、无磨损的卓越耐用性。MRAM将磁性材料集成于硅电路中，在单一芯片上实现了高速、可靠与长寿命的统一，是存储技术的一次重大飞跃。
2025-10-24 15:48:44411 QSPI PSRAM是一种集成了QSPI接口与PSRAM存储功能的高效芯片。QSPI（四线串行外设接口）是一种高速串行通信接口，用于连接外部设备；而PSRAM（伪静态随机存储器）则结合了快速随机访问与动态存储的特性。
2025-10-23 15:40:17379 PSRAM之所以被称为"伪静态"存储器，主要是因为其采用类SRAM的接口协议：只需要提供地址和读写命令就可以实现数据存取，无需像传统DRAM一样需要内存控制器定期刷新数据单元。
2025-10-23 14:29:00296 本篇将详细介绍如何利用Verilog HDL在FPGA上实现SRAM的读写测试。SRAM是一种非易失性存储器，具有高速读取和写入的特点。在FPGA中实现SRAM读写测试，包括设计SRAM接口模块
2025-10-22 17:21:384118 
优势提供对特殊物理功能的访问权限创建更逼真的仿真并获取高精度结果访问燃烧和超音速分析领域的更多功能使用您首选的CAD平台摘要SimcenterFLOEFD是一款前置计算流体力学(CFD)软件。它可
2025-10-16 11:52:37313 
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是随机存取存储器器件，可通过兼容串行外设接口 (SPI) 的串行总线访问。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通过串行外设接口 (SPI) 兼容总线访问的随机存取存储器器件。该SRAM
2025-10-09 11:12:55559 的参考模型。
在OSI七层结构中，每一层规定了不同的特性，负责不同的功能：
应用层（Application Layer）：用户接口，为应用程序提供访问网络服务的接口，为用户提供常用的应用。应用层
2025-10-09 09:30:03
，还请大家海涵，如有需要可看文尾联系方式，当前在网络平台上均以“ 爱在七夕时 ”的昵称为ID跟大家一起交流学习！ 一提到“存储器”，相信很多朋友都会想到计算机。是的，在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是
2025-09-19 11:04:071443 
在科技迅猛发展的当下，数据已然成为驱动各行业进步的核心要素。从日常生活中的智能手机、电脑，到工业生产里的自动化设备，再到前沿的人工智能与大数据处理系统，海量数据的存储与高效管理需求与日俱增。存储器
2025-09-09 17:31:55866 
NAND Flash是什么？NAND Flash（闪存）是一种非易失性存储器技术，主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在断电后仍能保存数据。它通过电荷的存储与释放来实现数据的存储。
2025-09-08 09:51:206272 
高效且可灵活扩展的加密（根）密钥生成与存储解决方案所发挥的作用。SRAM PUF技术利用硅材料的物理特性，生成器件专属的标识符，提供了一种替代传统密钥存储方法的可靠方案。如果开发者尚不熟悉SRAM PUF的基础原理，建议先阅读前一篇文章了解详情。
2025-09-05 10:46:161152 想请问一下IR915L的路由器访问服务器的IP地址是固定的几个还是随机的
2025-08-06 08:14:55
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，是一种基于 3D 堆叠技术的高性能 DRAM（动态随机存取存储器）。其核心设计是通过硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump
2025-07-18 14:30:122949 存储器在半导体技术探讨中一直是备受关注的焦点。这些器件不仅推动了下一代半导体工艺的发展，还实现了广泛的应用。然而，快速发展和多样化的特性可能对长生命周期应用构成挑战。
2025-07-17 15:18:141463 近日，紫光国芯自主研发的PSRAM（低功耗伪静态随机存储器）芯片系列产品正式发布，并同步上线天猫官方旗舰店。此次上新的PSRAM产品兼容业界主流接口协议Xccela，容量覆盖32Mb，64Mb
2025-07-01 16:42:501443 )、SRAM (静态随机存取存储器)。
非易失性存储器：断电后数据能长期保存。
特点：速度相对慢（但也有高速类型），用作数据的“永久或半永久仓库”。
代表：NAND Flash (闪存)、NOR
2025-06-24 09:09:39
近期，鄢贵海团队研究成果在计算机体系结构领域国际顶级期刊《IEEE Transactions on Computers》中发表。该研究主要围绕KPU敏捷计算架构展开，KPU具有超强异构核集成和调度
2025-06-11 18:11:08546 
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 产品特点及核心优势：核心特点接口与模式支持 SPI（单线） 和 QPI（四线） 模式，默认上电为 SPI 模式，可通过指令切换至
2025-06-06 15:01:36
近日，深圳市存储器行业协会秘书长刘琳走访SGS深圳分公司，深入参观了SGS微电子实验室，并与SGS技术专家展开深度交流，分享了行业发展的最新动态与趋势，双方共同探讨了在存储产业快速发展的背景下，SGS与协会如何携手共进，推动行业高质量发展。
2025-05-29 17:25:46817 14FLASHFLASH的工作原理与应用OWEIS1什么是FLASH?Flash闪存是一种非易失性半导体存储器，它结合了ROM（只读存储器）和RAM（随机访问存储器）的优点，具有电子可擦除和可编程
2025-05-27 13:10:411722 
近日，国际计算机体系结构领域顶级会议HPCA 2025（International Symposium on High-Performance Computer Architecture）在美国召开。会议共收到534篇来自全球顶尖科研机构及高校的论文投稿，最终录用率仅为21%。
2025-05-19 15:57:20820 你好。我是CYUSB3的初学者。
我想创建一个使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 访问 SRAM 的应用程序。
目前我已经在我的电脑上安装了SDK，但是有什么参考资料吗？
2025-05-14 06:51:40
DeepCover 嵌入式安全方案采用多重先进的物理安全机制保护敏感数据，提供最高等级的密钥存储安全保护。
DeepCover安全管理器(DS3640)是一款具有1024字节加密SRAM的安全
2025-05-13 11:22:05617 
ADSP-21992进一步扩展了ADSP-2199x混合信号DSP产品系列的性能，可提供32K字程序存储器RAM和16K字数据存储器RAM。此外，ADSP-21992还可提供片上CAN通信端口，支持
2025-05-12 16:08:28889 
MCU的存储器层次结构通过整合不同性能与功能的存储单元，优化系统效率并满足多样化场景需求。其核心架构可分为以下层次： 一、寄存器层（最高速） 定位：集成于CPU内核中，直接参与运算
2025-05-09 10:21:09618 在半导体存储器测试中，测试图形（Test Pattern）是检测故障、验证可靠性的核心工具。根据测试序列长度与存储单元数N的关系，测试图形可分为N型、N²型和N³/₂型三大类。
2025-05-07 09:33:371223 
，与CPU直接交互，支持实时数据存取，承担变量、堆栈、中断向量表等动态数据的存储功能。 主要类型 SRAM（静态随机存取存储器）：无需刷新电路，速度快、功耗低，但密度较低，广泛用于MCU主内存。 eDRAM（嵌入式动态随机存取存储器）：部分高端MCU采用
2025-04-30 14:47:081123 PTHxx050Y 是德州仪器 （TI） 的一系列即用型开关稳压器模块，专为 DDR 和 QDR 存储器应用中的总线端接而设计。这些模块由 3.3V、5V 或 12V 输入供电，可产生 V~TT
2025-04-23 11:12:25628 
UV-EPROM的结构与使用方法，闪速存储器的结构与使用方法，EEPROM的结构与使用方法， SRAM的结构与使用方法， 特殊的SRAM的结构与使用方法 ，DRAM的结构与使用方法，
2025-04-16 16:04:56
3.3 存储器映射 前文所述，寄存器与RAM、FLASH一样都是芯片内部的一种存储设备。那么，当我们需要访问它们的时候，我们需要知道它们的存储地址。 3.3.1 存储器映射表 如下图所示为RA6M5
2025-04-16 15:52:091375 
非易失性存储器（NVM）芯片广泛应用于各种设备中，从智能手机、个人电脑到服务器和工业控制系统，都是不可或缺的关键组件，它们不仅提高了数据的安全性和可靠性，还极大地增强了系统的整体性能。此外，为了满足
2025-04-10 14:02:241333 单片机与存储器的关系像什么？单片机里的存储都是一样的吗？为什么有的单片机既有EEPROM又有Flash？
2025-04-10 10:06:011434 
人工智能与高性能计算（HPC）正以空前的速度发展，将动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存等传统存储技术发挥到极致。为了满足人工智能时代日益增长的需求，业界正在探索超越传统存储技术的新兴存储技术。
2025-04-03 09:40:411709 计算装置不同类型数据的临时/永久存储需要。
⚫ 分级的存储体系
p 不同类型数据存储、访问要求具有差异，数据访问在时间、空间和顺序上的局部性原理；
p 通用计算机采用了Cache、主存储器（RAM，内存
2025-03-26 11:12:24
)、电擦除可编程ROM(EEPROM)等类型。
静态随机存储器(SRAM)
静态随机存储器是一种随机存储器，只要芯片保持通电，它里面的数据就一直保持不变，直至它接收到数据写入命令，里面的数据被改写后，才
2025-03-23 09:47:39
特性64 千比特铁电随机存取存储器（F - RAM），逻辑上组织为 8K×8高达 100 万亿次（\(10^{14}\)）读 / 写耐久性151 年的数据保存期限（详见 “数据保存期限和耐久性表
2025-03-19 11:35:49
STM32C031F4FLASH存储器 读写例程 各位高能不能提供一个谢谢大家
2025-03-13 07:37:18
采用STM32F427+FPGA+Flash。
STM32通过FMC总线访问FPGA内部SRAM，起始地址为0x60000000；
Flash中存储FPGA的配置数据，STM32和FPGA均可
2025-03-12 07:59:54
RZ/A1M 系列微处理器单元（MPU）功能齐全，配备运行频率为 400MHz 的 Arm® Cortex®-A9 内核以及 5MB的片上静态随机存取存储器（SRAM）。凭借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111127 
RZ/A1L 系列微处理器（MPU）采用了运行频率达 400MHz 的 Arm® Cortex® - A9 内核，并配备 3MB的片上静态随机存取存储器（SRAM）。凭借这 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20977 
本书主要介绍了UV-EPROM的结构和使用方法，闪速存储器的结构和使用方法，EEPROM的结构和使用方法， SRAM的结构与使用方法，特殊的SRAM的结构与使用方法，DRAM的结构与使用方法，
2025-03-07 10:52:47
随着微秒级NVMe存储的蓬勃发展，Linux内核存储栈的开销几乎是存储访问时间的两倍，已经成为性能瓶颈。
2025-03-01 16:09:35946 
DS2502为1K位只添加存储器，用于识别并存储产品的相关信息。产品批号或特殊的产品信息可以通过最少的接口访问—例如，微控制器的一个端口引脚。DS2502具有一个工厂光刻注册码，其中包括：48位唯一
2025-02-28 10:15:151111 
DS2505为16k位只添加存储器，可以识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品的信息可以通过最少的接口访问，例如微控制器的一个端口引脚。DS2505有一个工厂刻度的注册码，其中包括：48位
2025-02-27 16:31:151064 
DS1992/DS1993内存iButtons（以下简称DS199x）是坚固的读/写数据载体，充当本地化数据库，易于用最少的硬件访间。非易失性存储器和可选的计时功能为存储和检索与iButton所连接
2025-02-26 10:39:06821 
DS1992/DS1993内存iButtons（以下简称DS199x)是坚固的读/写数据载体，充当本地化数据库，易于用最少的硬件访间。非易失性存储器和可选的计时功能为存储和检索与iButton所连接
2025-02-26 10:32:24881 
DS1996 Memory iButton是一种坚固的读/写数据载体，可作为本地化的数据库，使用最少的硬件即可轻松访问。非易失性存储器为存储和检索与iButton所连接的对象相关的重要信息提供了一种
2025-02-26 10:17:41871 
MHz，提供强大的处理能力，适用于高性能应用场景。
2、大容量存储器：具有2 MB的双区Flash存储器和1 MB的RAM，包括192 KB的TCM RAM、864 KB的用户SRAM和4 KB
2025-02-21 14:59:12
动态随机存取存储器（DRAM）是现代计算机系统中不可或缺的核心组件，广泛应用于个人计算机、服务器、移动设备及高性能计算领域。本文将探讨DRAM的基本工作原理、存储单元结构及制造工艺演进，并分析
2025-02-14 10:24:401444 
MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量为
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量为
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备卓越的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存储器，由MICRON制造，专为满足现代电子设备对大容量存储的需求而设计。该产品具备出色的存储性能和能效，适用于多种应用场景。目前可提供数量
2025-02-14 07:42:49
非易失性存储器是一种应用于计算机及智能手机等设备中的存储装置（存储器），在没有外部电源提供的情况下仍能保存数据信息。 现今的计算机中央处理器（CPU：Central Processing Unit）中，直接、高速处理的数据通常保存在易失性存储器中（
2025-02-13 12:42:142470 
数显千分表的数据如何用存储器进行接收
2025-02-11 06:01:54
产品概述 Korchip DCS5R5334H 是一款高性能的低功耗 SRAM（静态随机存取存储器），专为高速数据存储和处理而设计。该器件具有快速的访问时间和较高的数据传输速率，广泛应用
2025-02-09 22:38:10
MX25U12832FMI02 产品概述MX25U12832FMI02 是由 Macronix 生产的一款高性能 NOR Flash 存储器，专为需要大容量存储和快速读取的应用而设计。该
2025-02-09 10:21:26
初学者要了解SDRAM需要先了解存储器分类。按照存储器的存储功能划分，可将其分为RAM 和 ROM 两大类。
2025-02-08 11:24:513961 
在数字存储技术的快速发展中，闪速存储器（Flash Memory）以其独特的性能和广泛的应用领域，成为了连接随机存取存储器（RAM）与只读存储器（ROM）之间的重要桥梁。本文将深入探讨闪速存储器的技术特性、分类及其在现代电子设备中的应用。
2025-01-29 16:53:001683 本文旨在深入探讨闪速存储器的归属问题，即它是否属于RAM或ROM，同时详细阐述闪速存储器的功能与作用。
2025-01-29 15:21:001590 存储器则通过引入创新的擦除编程电路技术和高速灵敏度放大器，实现了对所有存储单元的同时、快速擦除。这种高效的擦除速度，使得闪速存储器在数据更新和维护方面具有显著优势，因此被形象地称为“闪速”。
2025-01-29 15:14:001378 在信息技术飞速发展的今天，闪速存储器（Flash Memory）以其高速度、大容量和非易失性的特性，成为数据存储领域的重要成员。而U盘，作为闪速存储器的一种常见应用形式，更是凭借其便携性和易用性，在
2025-01-29 15:12:001449 高速缓冲存储器（Cache）是内存的一种特殊形式，但它与通常所说的主存储器（RAM）有所不同。在计算机存储体系中，Cache位于CPU和主存储器之间，用于存储CPU近期访问过的数据或指令，以加快数据的访问速度。
2025-01-29 11:48:003395 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551095 Wong告诉与会的工程师们，现在是时候以新的方式思考内存和计算架构了。 当今计算问题的需求——尤其是AI——正迅速超过现有存储系统和架构的能力。今天的软件假定可以随机访问任何给定的内存位。将所有这些数据从内存来回移动到处
2025-01-16 14:14:48905 电子发烧友网站提供《AN-881: 通过LIN—协议4进行Flash/EE存储器编程.pdf》资料免费下载
2025-01-14 16:12:44
0 空间，都会在AHB总线上执行。存储器的组织采用了哈佛结构，预先定义的存储器映射和高达4GB的存储空间，充分保证了系统的灵活性和可扩展性。
二、开箱
开发板采用防静电袋封装，开发板个头很小。
开发板两旁有
2025-01-11 23:26:36
电子发烧友网站提供《EE-271: 高速缓冲存储器在Blackfin处理器中的应用.pdf》资料免费下载
2025-01-07 14:18:170 电子发烧友网站提供《EE-302：ADSP-BF53x Blackfin处理器与NAND FLASH存储器的接口.pdf》资料免费下载
2025-01-07 14:03:230 电子发烧友网站提供《EE-132：使用VisualDSP将C代码和数据模块放入SHARC存储器中.pdf》资料免费下载
2025-01-07 13:55:190 电子发烧友网站提供《EE-220：将外部存储器与第三代SHARC处理器和并行端口配合使用.pdf》资料免费下载
2025-01-06 16:12:110 电子发烧友网站提供《EE-286：SDRAM存储器与SHARC处理器的接口.pdf》资料免费下载
2025-01-06 15:47:010 电子发烧友网站提供《EE-213：Blackfin处理器通过异步存储器接口进行主机通信.pdf》资料免费下载
2025-01-05 10:09:190 电子发烧友网站提供《EE-349：ADSP-2146xDDR2存储器电路板设计指南.pdf》资料免费下载
2025-01-05 09:21:410
电子发烧友App
工商网监
评论