PTH12050Y 6A、12V 输入非隔离式 DDR/QDR 内存总线终端模块数据手册

PTHxx050Y 是德州仪器 （TI） 的一系列即用型开关稳压器模块，专为 DDR 和 QDR 存储器应用中的总线端接而设计。这些模块由 3.3V、5V 或 12V 输入供电，可产生 VTT输出，将拉出或吸收高达 6 A 的电流（8 A 瞬态），以准确跟踪其 V裁判输入。VTT是所需的总线端接电源电压，V裁判是存储器和芯片组总线接收器比较器的参考电压。V裁判通常设置为 V 的一半DDQ电源电压。
*附件：pth12050y.pdf

PTHxx050Y 系列均采用有源开关同步整流器输出，以提供最先进的降压开关转换。这些产品尺寸小（0.87 英寸 × 0.5 英寸），是需要空间、性能和高效率以及即用型模块便利性的理想选择。

作功能包括开/关禁止和输出过流保护（仅限源模式）。开/关抑制功能允许 VTT在待机作模式下关闭总线以节省电量。

封装选项包括通孔和表面贴装配置。

特性

• VTT总线终端输出 （输出跟踪系统 v 裁判 )
• 6 A 输出电流（峰值 8 A）
• 3.3V、5V 或 12V 输入电压
• 兼容 DDR 和 QDR
• 开/关抑制 （for VTT待机）
• 欠压锁定
• 工作温度：–40 至 +85°C
• 效率高达 88 %
• 输出过流保护（非闭锁、自动复位）
• 50 W/in³ 功率密度
• 安全机构认证：UL/cUL60950、EN60950、VDE
• 兼容负载点联盟 （POLA）™

参数

一、产品概述

PTH12050Y是一款由德州仪器（Texas Instruments）生产的非隔离DDR/QDR内存总线终止模块。该模块专为DDR和QDR内存应用设计，提供高达6A（峰值8A）的输出电流，以准确跟踪V_REF输入，并生成所需的V_TT输出。

二、关键特性

1. 高性能与灵活性

• ‌输出电流‌：连续6A，峰值8A
• ‌输入电压‌：支持3.3V、5V或12V
• ‌输出电压‌：V_TT，跟踪V_REF输入
• ‌效率‌：高达88%

2. 丰富的保护功能

• ‌过流保护‌：非锁存式自动复位
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌
• ‌开/关抑制‌：用于V_TT待机模式

3. 小巧的尺寸与高功率密度

• ‌尺寸‌：0.87in x 0.5in（22.1mm x 12.57mm）
• ‌功率密度‌：50W/in³

4. 安全性与兼容性

• ‌安全认证‌：UL/cUL60950, EN60950, VDE
• ‌兼容性‌：POLA™（Point-of-Load Alliance）兼容

三、应用领域

• DDR和QDR内存应用
• 需要高效、可靠内存总线终止的复杂数字系统

四、电气特性

• ‌输入电压范围‌：10.8V至13.2V（对于12V输入型号）
• ‌V_REF跟踪范围‌：0.55V至1.8V
• ‌V_TT与V_REF跟踪容差‌：±10mV
• ‌输出电压纹波‌：20MHz带宽下，20mV PP
• ‌过流阈值‌：12A
• ‌瞬态响应恢复时间‌：80µs
• ‌开关频率‌：200kHz至300kHz

五、封装与尺寸

• ‌封装类型‌：提供通孔和表面贴装两种封装选项
• ‌尺寸‌：具体尺寸信息需参考封装图纸

六、应用信息

1. 电容推荐

• ‌输入电容‌：对于12V输入，推荐使用560µF的电解电容和≥10µF的陶瓷电容组合。
• ‌输出电容‌：推荐使用940µF的电解电容以满足瞬态响应要求，可额外添加10µF至22µF的陶瓷电容以改善纹波和瞬态响应。

2. 布局与散热

• 电容应尽可能靠近模块引脚放置，以减少噪声和损耗。
• 在高功率应用中，注意模块的散热设计，确保工作在温度额定范围内。

七、典型应用电路

文档提供了DDR应用的典型电路图，展示了如何连接PTH12050Y模块以及相关的电容和电阻，以实现稳定的内存总线终止。

八、封装选项与订购信息

文档最后提供了封装选项和订购信息的附录，包括不同封装类型和RoHS状态的详细信息。用户可以根据实际需求选择合适的封装类型和数量。