倍思Baseus 65W氮化镓GaN充电器 带给我的几点启示

19年12月份，购买了一款 明星产品：倍思的双C＋A口 65W 氮化镓GaN充电器产品。

京东上售价 ¥ 268 元；

购买的目的就是想看看 氮化镓GaN 是个啥？

收到实物，内心还是有点小激动；外观小巧，同早期联想推出的一款 “口红”充电器类似。

（因早些年，本人设计一款33mm＊66mm＊22mm 90W适配器，对于该尺寸大小PCB，极有印象；）                                      

该产品65W 倍思Baseus氮化镓GaN 双C＋A口 ，是有深圳市时商创展科技设计，由深圳市新斯宝科技代工。

对其进行了拆解；内部结构设计非常巧妙。生产工艺加工是在设计电源之初就进行了设计。

带给我的几点启示。具体如下：

1，整体外观65W；方形；从插口入手拆解；

2.AC输入 L／N 线，采用了一端输入设计成PCB卡槽结构，这个在生产上是便捷的（生产中焊接线越少越好）。

出于安规距离的考虑，另一段采用了焊线。［启示一］
 

　　3.采用铜片包裹—周，充分利用结构空间，插拔到壳体方便容易；将PCBA包裹—圈，直接焊接到次级GNDB上，符合EMC/EMI的设计；［启示二］

 

　　4.电路板底部，增加了—片导入硅脂。［启示三］特别注意的是 底部电路板是 4层板。中间增加—层GND的电气设计，增加对EMC的保障。

　　5.如下电路板所示，白色框部分 主控芯片+氮化稼GaN功率器件。周围电阻电容采用了0402封装，这对生产加工提出了极大考验；

　　封装小（如0402），采用锡膏工艺；封装大（1206），可采用红胶工艺； 该电路板2种工艺都采用了；

　　白色框内即锡膏工艺，应该采用了与白色框大小的特定治具， 保证了锡膏+红胶的双生产工艺；［启示四］

 

　　6.高压输入部分，采用 整流器+电容部分小板子的插板设计； 充分利用了壳体机构，既满足电气设计规则；

　　输入电容采用了 5颗 高压电解电容，组成π型滤波；

 

　　7.高压输入部分，采用2颗 高频磁环共模电感；加—路差模电感。满足氮化稼GaN电源电气设计规则；［启示五］此设计，赞！

 

　　8.变压器采用RM8的骨架设计；对变压器进行了解剖， 变压器次级采用了 Φ0.1*100P的丝包线；

　　此丝包线价格较高，导通内阻低，对千GaN电源高频设计减少损耗，提高效率；启示六

　　9.主控方案NCP1342+NV6115；NCP1342 提供高频PWM驱动NV6115 氮化稼GaN 功率器件； “无散热片”设计，电路简洁。次级采用的 MP6908 同步整流IC；

　　10.次级Tybe-C和Tybe-A口均采用了子卡板设计；该子卡可以通用到PD电源产品中；［启示七］此设计，赞！ 。

　　在功能选择上，更换插拔TybeC/A子卡，来实现PD，PE，QC的参数需求。

 

　　10. 该产品设计输出Tybe-C1口，满足：65W PD 快充，Tybe-C2满足：30W PD

　　快充，USB-A满足 ：30W 快充。

　　在双口输入时：C1 +C2/A ，C1：45W PD 快充，C2/A ：18W PD 快充。在C2 +A时，两者共享 5V3A 充电模式；

　　从电路板设计上，Tybe-C2同USB-A 是并联的关系；［启示八］此设计可以说是该产品的—个缺陷；

 

　　至此，该产品具体的电路原理图，PCB文档，Bom参数，本文作者均整理完成。如深入沟通交流可以联系本文作者。

　　由作者水平能力有限，存在不足和不正确的地方，还请业界资深同仁加以指正和交流子习。