E-GaN充电器芯片U8765产品概述

电竞手机是游戏玩家心中的“战场利器”。与普通手机相比，电竞手机极致的性能和炫酷灯效，都让人爱不释手。尽管有的厂商匹配了双腰电池，但对电量长续航要求更为严苛的电竞手机，更需要一个快速充电器来帮忙。搭载了E-GaN充电器芯片的充电器，正符合此需求！

深圳银联宝E-GaN充电器芯片U8765，是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8765的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。

E-GaN充电器芯片U8765封装形式ESOP-10W，引脚如下：

1 HV P 高压启动管脚

2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚

3 Source P GaN FET 源极引脚

4 GND P 芯片参考地

5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

6 FB I 系统反馈输入管脚

7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测

8 VDD P 芯片供电管脚

9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

10 NC -

E-GaN充电器芯片U8765集成了高压启动功能。在启动阶段，U8765通过芯片HV脚对VDD充电，当VDD电压达到VVDD_ON(典型值12V)时，高压供电关闭。输出建立后，芯片供电由辅助绕组提供。在启动过程中，当VDD低于3V时，高压供电电路对VDD电容的充电电流为IHV1(典型值0.5mA)，小电流充电，可以降低VDD引脚对地短路时的芯片功耗。当VDD电压超过3V时，充电电流增加到IHV2 (典型值5mA)，以缩短启动时间，随VDD电压升高，充电电流逐渐减小。当VDD电压降到VVDD_REG (典型值9V)时，高压供电电路再次开启，以维持VDD电压。但是，如果低钳位供电状态持续时间超过75ms，并且系统工作在非轻载模式时，芯片将触发保护。当芯片触发保护状态时，系统停止打驱动，高压供电电路开启，维持VDD电压在VVDD_REG_ST (典型值12V)。

深圳银联宝充电器芯片U8765，集成E-GaN和驱动电流分档功能，谷底锁定及降频工作模式，集成有完备的保护功能，快速充电，让你的手机无论是玩游戏还是看视频，都能轻松应对，畅玩无忧！