低成本垂直GaN（氮化镓）功率器件的优势
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
8英寸碳化硅衬底已实现小批量销售
前来看，在未来一段时间内，6英寸导电型产品将作为主流尺寸，但随着技术的进步、基于成本和下游应用领域等因素考虑，8英寸导电型碳化硅产品将是碳化硅衬底行业的发展趋势。最终的周期将取决于技术的进度、下游市场的发展情况等多方面因素。
格恩半导体发布十多款氮化镓半导体激光器
氮化镓半导体激光器具有体积小、寿命长、效率高等优点，波长范围覆盖可见光和紫外波段，应用场景包括激光显示、工业加工、激光照明、激光通讯、激光医疗等众多领域，近年来总体市场需求呈现较高的复合增长趋势。由于氮化镓激光技术壁垒较高，长期被国外少数企业垄断，我国企业需求全部依赖进口。
车用碳化硅功率模块的产业化发展趋势
当前，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势，碳化硅材料七成以上来自美国公司，欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线
2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
埃赛力达科技推出新型TPG3AD1S09 905 nm脉冲激...
这款第三代高性能三腔225 μm SMD脉冲激光二极管具有120 W的高输出功率，适用于远距离测距，并为中短程系统提供优异的功效。这些改进后的设计可提供出色的稳定性、光束质量和可靠性，可满足要求最严苛的智能家居、智慧城市和智能工厂应用。
SiC MOSFET器件技术现状分析
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 标签：二极管MOSFET光电半导体电机控制器SiC MOSFET 1790
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