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探测器（detector），是观察 、记录粒子的装置 ，核物理和粒子物理实验研究中不可缺少的设备。探测器可分为两类：计数器和径迹探测器。
探测器（detector），是观察 、记录粒子的装置 ，核物理和粒子物理实验研究中不可缺少的设备。探测器可分为两类：计数器和径迹探测器。
金属探测器利用电磁感应的原理，利用有交流电通过的线圈，产生迅速变化的磁场。分类
探测器（detector）可分为两类：计数器和径迹探测器，下面来分别详细的介绍一下。
探测器（detector），是观察 、记录粒子的装置 ，核物理和粒子物理实验研究中不可缺少的设备。探测器可分为两类：计数器和径迹探测器。
金属探测器利用电磁感应的原理，利用有交流电通过的线圈，产生迅速变化的磁场。分类
探测器（detector）可分为两类：计数器和径迹探测器，下面来分别详细的介绍一下。
计数器
有电离室、正比计数器 、盖革-米勒计数器 、闪烁计数器、切伦科夫计数器、半导体探测器等等。它的目的主要是用来记录粒子的数目。一般要求计数器具有一定的时间分辨率，即先后两个粒子射入计数器可分辨的时间。通常计数器常与定标电路和符合电路联合使用。
定标电路是一种将脉冲计数进制的电路，通过计数器与定标电路的联用，可对粒子快速计数 ；符合电路是将两个或两个以上的计数管同电子线路配合而成，它可以专门只记录那些使计数管协同动作的粒子，而对于只使一个计数管动作的粒子不作反应，从而记录所需寻找的粒子。
径迹探测器
有云室、气泡室、流光室、火花室、多丝正比室、核乳胶等。它可以显示粒子穿行的径迹。径迹探测器配以适当的磁场，可根据径迹的长短、粗细、弯曲的方向和弯曲的曲率半径推测出粒子的电荷、质量和能量。
食品金属探测器
适用范围：
Ø 专门用于肉类、菌类、糖果、饮料、粮食、果蔬、乳制品、水产品、保健品、添加剂和调味品等食品中的铁金属以及非铁金属杂质的检测。Ø 用于化工原料、橡胶、塑胶、纺织品、皮革、化纤、玩具中的金属杂质检测Ø 用于医药、保健品、生物制品、化妆品、礼品、包装、纸品中的金属杂质检测21EHERO-500QZ智能记忆数字金属探测器产品特点：1、采用最新一代的数字信号处理（DSP）技术和智能算法，提高了检测精度和稳定度；也是国内唯一一款采用DSP技术的数字金属探测器。日本进口芯片。2、采用德国自动滤波技术（相位调节技术），能够有效抑制产品效应；能够检测产品效应比较大的产品，如：冷冻食品、肉类、大米、腌制品等；3、具有智能设置，设备能自动设置适合被检测产品的最佳灵敏度，操作简单方便。4、记忆功能功能：将最佳灵敏度保存下来，下次测试可直接检测，可存储50多种产品的检测参数；5、 LCD液晶屏显示，中英文菜单画面，轻松实现人机对话操作；6、可检测铁、不锈钢、铜、铝及铅等多种金属材质7、灵活的数字式灵敏度控制方式以及多种高级手动设置功能；多种规格可供选择，适应不同的物料检测灵敏度要求；8、 全不锈钢SUS304制造，高等级防护电机供选择；9、最高的IP69防护等级；线路部分内置于探测头内部，减少外界环境腐蚀，操作面板、电机箱双重防水，适用于特别恶劣的工作环境；10、简便的可拆卸式机架，方便用户清洗；传送带的特殊设计，避免传送带跑偏，11、多种排除方式可供选择；精确的剔除控制，确保异物的可靠剔除的最少的物料浪费。
原理
金属探测器利用电磁感应的原理，利用有交流电通过的线圈，产生迅速变化的磁场。这个磁场能在金属物体内部能感生涡电流。涡电流又会产生磁场，倒过来影响原来的磁场，引发探测器发出鸣声。
半导体探测器
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似，故又称固体电离室。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。常用半导体探测器有 P-N结型半导体探测器、 锂漂移型半导体探测器和高纯锗半导体探测器。词条详细介绍了上述三种半导体探测器的原理、特点、工作条件等等。
基本原理
半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号 。
我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流子的平均能量分别为30eV（气体探测器），300eV（闪烁探测器）和3eV（半导体探测器）。
P-N结半导体探测器
工作原理
多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率 。
在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。
反向电压形成的电场与内电场方向一致。
在外加反向电压时的反向电流：
少子的扩散电流，结区面积不变，IS 不变；
结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG 增大；
反向电压产生漏电流 IL ，主要是表面漏电流。
P-N结半导体探测器的类型
扩散结（Diffused Junction）型探测器
采用扩散工艺——高温扩散或离子注入；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。
金硅面垒（Surface Barrier）探测器
一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/cm2 氧化形成P型硅，而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。
存在的矛盾
由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。
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