特斯拉为何对碳化硅忽冷忽热？
第一代半导体材料是指硅、锗元素等单质半导体材料，锗做的晶体管曾经也是流行的老大，但由于速度较慢、不耐热等缺点，在八十年代初就被硅基管给取代了，一直到现今，90％以上的芯片都是以硅为基底，晶圆也基本都是硅片（就是沙子）。
碳化硅晶片制备技术与国际产业布局
碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。
如何将碳化硅成本将下降30%
国内企业率先在半绝缘衬底方面取得了非常快的进展。而在导电型衬底方面，2021-2022年国内各个衬底厂商的外部的应用需求迅速增长，同时在各项指标上已经得到了下游端客户的验证。
安世半导体推出首款SiC MOSFET，聚焦电动汽车充电桩等...
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 标签：电动汽车充电桩SiC MOSFET安世半导体 3274
国产氮化镓实现新突破，1200V的氮化镓器件有何优势？
众所周知，GaN 功率晶体管的关键问题之一是它们在开关操作期间的动态导通电阻 (RDS(ON)) 增加，这会影响 GaN 功率晶体管和整个系统的可靠性。
2030年，中国仍将是最大的碳化硅市场
在电动汽车领域，纯电动汽车BEV、混合动力HEV、插电式混合动力电动汽车PHEV、400伏/800伏的系统将直接影响碳化硅（SiC）相对采用率，800伏的纯电动汽车动力系统最有可能采用SiC器件。
砷化镓器件在微波领域的应用
GaAs器件在微波领域的应用非常广泛，器件分类齐全，包括徽波分立器件、微波混合集成电路、微波模拟和数字单芯片集成电路等。
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