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电子发烧友网 > 模拟技术 > 业界新闻

NexGen垂直GaN半导体 预计2023年第三季度全面生产

该公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月发布的700V 和 1200V样品。

2023-07-04 标签:氮化镓GaN通用汽车GaN器件 741

半导体材料都有哪些?半导体材料产业分类状况

集成电路产业链包括设计、制造和封测等关键步骤,其中半导体材料是集成电路上游关键原材料,按用途可分为晶圆制造材料和封装材料。

2023-07-03 标签:集成电路半导体材料氮化镓砷化镓晶圆制造 37715

世强和音特电子签署协议 为用户提供TVS瞬态抑制二极管

音特电子于2007年以零缺陷通过了ISO9001质量管理体系认证,拥有一流的生产和检测设备,产品材料均已通过RoHS检测;系列产品完成UL、VDE、CSA等国际标准论证,产品各项性能指标均处于行业领先水平。

2023-06-30 标签:TVS霍尔传感器瞬态抑制二极管 625

科友半导体突破8英寸SiC量产关键技术

科友半导体突破了8英寸SiC量产关键技术,在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速率、制备成本、及装备稳定性等方面取得可喜成绩。2023年4月,科友半导体8英寸SiC中试线正式贯通并进入中试线生产,打破了国际在宽禁带半导体关键材料的限制和封锁。

2023-06-25 标签:SiC碳化硅 1185

IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用

IGBT技术在功率密度、工作频率、损耗控制等方面不断创新。新一代IGBT产品在提高开关速度、降低开关损耗、增强耐压能力等方面取得了显著进展,提高了系统效率和可靠性。

2023-06-21 标签:IGBT功率器件 2507

整体IGBT国产化率已提升至约30%-35%

值得注意的是,国内在IGBT制造工艺水平,模块封装的散热效率上与国外英飞凌等厂商存在一定差距。

2023-06-20 标签:IGBT 935

1200V氮化镓挑战SiC是否真的可行?

在全球最大的电力电子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以类似硅的成本实现垂直 GaN(氮化镓)功率晶体管的欧洲财团 YESvGaN 介绍了其方案。

2023-06-16 标签:IGBTSiC氮化镓GaN薄膜晶体管 1210

英飞凌会去美国建SiC厂吗?

近日,德国碳化硅大厂——英飞凌透露,他们正在考虑去美国建工厂。而此前,另一家德国碳化硅企业——博世也宣布去美国生产碳化硅。

2023-06-16 标签:英飞凌SiCIRA碳化硅 613

一种具有低反向导通损耗的氧化镓纵向FinFET

由于Fin沟道的夹断作用,可以采用欧姆接触阳极替代肖特基接触,形成无结二极管。因此,在反向续流时,无结的FD实现极低的反向导通电压(Von)。

2023-06-16 标签:二极管氧化镓 939

平面变压器有利于DC/DC转换器设计

长期以来,变压器一直是DC/DC转换器设计人员的痛点和难点。因为它们体积大、价格贵且难以制造。

2023-06-15 标签:变压器转换器PCB板PWM控制耦合电容 3146

1700V!这一国产SiC MOS率先上车

前几天,三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录(.点这里.),很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁,今天答案正式揭晓!

2023-06-14 标签:MOS管电机控制器SiC 2248

240W 双端口SiC风靡充电桩领域

近日,碳化硅技术在充电桩领域新增了2桩应用案例:

2023-06-13 标签:充电器连接器SiC充电桩碳化硅 658

APEX微技术PA194功率运算放大器产品介绍

PA194较PA94功率运算放大器的实现更精细的性能,能够在2100 V/µs时提供更高的速度,在10 kHz时提供~4 nV/√Hz的极低噪声(典型)。它非常适合高速模拟精度对系统操作至关重要的应用。

2023-06-12 标签:放大器运算放大器APEX 1549

​228亿涌入国内碳化硅赛道

三安光电近日宣布,将与国际功率半导体巨头意法半导体合资一家8英寸碳化硅器件工厂。

2023-06-11 标签:MOSFET意法半导体SiC碳化硅 451

一因素或使SiC寿命缩短90%!如何破局?

3月1日,特斯拉特别在”投资者日“活动上强调了SiC封装技术,大家是否想过为什么?

2023-06-08 标签:封装技术SiCASIC芯片硅芯片 849

2023年SiC衬底市场将持续强劲增长

研究机构TECHCET日前预测,尽管全球经济普遍放缓,但2023年SiC衬底市场将持续强劲增长。

2023-06-08 标签:半导体晶圆IGBT电机控制器SiC 1319

近11亿元!氮化镓又添新工厂

6月2日,韩国新签了一个氮化镓项目,总投资额接近11亿元人民币。

2023-06-07 标签:传感器氮化镓GaNSAM功率半导体 992

零碳时代,碳化硅器件的机遇与挑战

5月25日,由行家说举办的汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会在上海成功举办,英飞凌零碳工业功率事业部高级经理张明丹应邀参加了大会主题演讲。

2023-06-06 标签:MOSFET电机驱动SiC功率半导体碳化硅 557

SiC与GaN,谁拥有更广阔的星辰大海?

当下,低碳化和数字化齐头并进的发展,带来了万物互联、能源效率、未来出行等多重变革。而在这个突飞猛进的过程中,第三代半导体则发挥着重要作用。

2023-06-04 标签:SiCGaN碳化硅GaN技术 534

芯导科技推出的一系列TOLL封装的MOSFET产品

TOLL(Transistor Outline Leadless)封装的MOSFET,由于其封装形式具有小体积、低封装电阻、低寄生电感、低热阻等特点,已经在电动自行车、电动摩托车、锂电保护、通信电源等终端客户得到广泛使用。

2023-05-26 标签:MOSFET芯导科技 1068

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