片150mm晶圆的消耗量，这里还未统计其他手机制造商对功率器件、其他平台对光电子应用的需求量。碳化硅（SiC）应用持续升温150mm晶圆的另一突出应用领域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率
2019-05-12 23:04:07
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06:28
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58:03
在库存回补需求带动下，包括环球晶、台胜科、合晶、嘉晶等硅晶圆厂第二季下旬出货续旺，现货价出现明显上涨力道，合约价亦确认止跌回升。 新冠肺炎疫情对半导体材料的全球物流体系造成延迟影响，包括晶圆
2020-06-30 09:56:29
` 晶圆级封装是一项公认成熟的工艺，元器件供应商正寻求在更多应用中使用WLP，而支持WLP的技术也正快速走向成熟。随着元件供应商正积极转向WLP应用，其使用范围也在不断扩大。 目前有5种成熟
2011-12-01 14:33:02
有没有能否切割晶圆/硅材质滤光片的代工厂介绍下呀
2022-09-09 15:56:04
`晶圆切割目的是什么？晶圆切割机原理是什么？一.晶圆切割目的晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount
2011-12-02 14:23:11
简单的说晶圆是指拥有集成电路的硅晶片,因为其形状是圆的,故称为晶圆.晶圆在电子数码领域的运用是非常广泛的.内存条、SSD，CPU、显卡、手机内存、手机指纹芯片等等，可以说几乎对于所有的电子数码产品
2019-09-17 09:05:06
`微晶片制造的四大基本阶段：晶圆制造（材料准备、长晶与制备晶圆）、积体电路制作，以及封装。晶圆制造过程简要分析[hide][/hide]`
2011-12-01 13:40:36
晶圆制造的基础知识，适合入门。
2014-06-11 19:26:35
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 14:53:05
图为一种典型的晶圆级封装结构示意图。晶圆上的器件通过晶圆键合一次完成封装，故而可以有效减小封装过程中对器件造成的损坏。 图1 晶圆级封装工艺过程示意图 1 晶圆封装的优点 1）封装加工
2021-02-23 16:35:18
` 谁来阐述一下晶圆有什么用？`
2020-04-10 16:49:13
本人想了解下晶圆制造会用到哪些生产辅材或生产耗材
2017-08-24 20:40:10
晶圆的制造过程是怎样的？
2021-06-18 07:55:24
` 硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
`晶圆的结构是什么样的？1 晶格：晶圆制程结束后，晶圆的表面会形成许多格状物，成为晶格。经过切割器切割后成所谓的晶片 2 分割线：晶圆表面的晶格与晶格之间预留给切割器所需的空白部分即为分割线 3
2011-12-01 15:30:07
晶圆级封装技术源自于倒装芯片。晶圆级封装的开发主要是由集成器件制造厂家（IBM）率先启动。1964年，美国IBM公司在其M360计算器中最先采用了FCOB焊料凸点倒装芯片器件。
2020-03-06 09:02:23
Plane）：图中的剖面标明了器件下面的晶格构造。此图中显示的器件边缘与晶格构造的方向是确定的。（6）晶圆切面／凹槽（Wafer flats／notche）：图中的晶圆有主切面和副切面，表示这是一个 P 型 晶向的晶圆（参见第3章的切面代码）。300毫米晶圆都是用凹槽作为晶格导向的标识。
2020-02-18 13:21:38
晶圆针测制程介绍 晶圆针测（Chip Probing；CP）之目的在于针对芯片作电性功能上的 测试（Test），使 IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片，以避免对不良品增加制造成
2020-05-11 14:35:33
`159-5090-3918回收6寸晶圆，8寸晶圆，12寸晶圆，回收6寸晶圆，8寸晶圆，12寸晶圆，花籃,Film Fram Cassette,晶元載具Wafer shipper,二手晶元盒
2020-07-10 19:52:04
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
请问有人用过Jova Solutions的ISL-4800图像测试仪吗，还有它可否作为CIS晶圆测试的tester，谢谢！
2015-03-29 15:49:20
。正因为这些优点，也驱使半导体制造公司不断的采取新的工艺，追求更低的工艺尺寸，来提升半导体器件的性能、降低功耗。图2：变形的平面横向导电MOSFET结构图2右上角为平面MOSFET的结构，实际的结构稍微变形
2017-01-06 14:46:20
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM31066[/td][td][/td][td=363]一般描述一般特征[tr]该TDM31066采用先进的沟槽技术[td=331]RDS（ON）
2018-11-12 15:55:20
[table=98%]N沟道增强型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征该TDM3550采用先进的沟槽技术◆40V/ 100A[tr]提供优异的RDS（ON）和低门电荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
= 25 V，高温栅极偏压（HTGB）应力测试在175°C下在77个器件上执行，从三个不同的晶圆批次到2300小时。观察到可忽略的偏差。 另一个被证明长期稳定的参数设置是MOSFET的阻断电压和关断状态
2023-02-27 13:48:12
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
更大直径的晶圆，一些公司仍在使用较小直径的晶圆。半导体硅制备半导体器件和电路在半导体材料晶圆的表层形成，半导体材料通常是硅。这些晶圆的杂质含量必须非常低，必须掺杂到指定的电阻率水平，必须是制定
2018-07-04 16:46:41
纳米到底有多细微？什么晶圆？如何制造单晶的晶圆？
2021-06-08 07:06:42
` 晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅
2011-12-01 11:40:04
的辅助。 测试是为了以下三个目标。第一，在晶圆送到封装工厂之前，鉴别出合格的芯片。第二，器件/电路的电性参数进行特性评估。工程师们需要监测参数的分布状态来保持工艺的质量水平。第三，芯片的合格品与不良品
2011-12-01 13:54:00
` 晶圆电阻又称圆柱型精密电阻、无感晶圆电阻、贴片金属膜精密电阻、高精密无感电阻、圆柱型电阻、无引线金属膜电阻等叫法;英文名称是：Metal Film Precision Resistor-CSR
2011-12-02 14:57:57
`晶圆级封装(WLP)就是在其上已经有某些电路微结构（好比古董）的晶片（好比座垫）与另一块经腐蚀带有空腔的晶片（好比玻璃罩）用化学键结合在一起。在这些电路微结构体的上面就形成了一个带有密闭空腔的保护
2011-12-01 13:58:36
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅
2021-07-23 08:11:27
电源管理ICTDM3412双路N沟道增强型MOSFET 描述：TDM3412采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这个器件适合用作负载开关或PWM应用。一般描述：频道1RDS（ON）
2018-05-25 11:54:29
1、为什么晶圆要做成圆的？如果做成矩形，不是更加不易产生浪费原料？2、为什么晶圆要多出一道研磨的工艺？为什么不能直接做成需求的厚度？
2014-01-20 15:58:42
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
单晶的晶圆制造步骤是什么？
2021-06-08 06:58:26
, such as “N-type” and “P-type”.导电类型 - 晶圆片中载流子的类型，N型和P型。Contaminant, Particulate (see light point defect)污染微粒 （参见
2011-12-01 14:20:47
晶圆划片 (Wafer Dicing )将晶圆或组件进行划片或开槽，以利后续制程或功能性测试。提供晶圆划片服务，包括多项目晶圆(Multi Project Wafer, MPW)与不同材质晶圆划片
2018-08-31 14:16:45
本文重点介绍为电源用高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法。现在有一种为高压超结MOSFET增加晶圆级可配置性的新方法，以帮助解决电源电路问题。MOSFET 在压摆率、阈值电压、导通电
2023-02-27 10:02:15
`各位大大:手头上有颗晶圆的log如下:能判断它的出处吗?非常感谢!!`
2013-08-26 13:43:15
``揭秘切割晶圆过程——晶圆就是这样切割而成芯片就是由这些晶圆切割而成。但是究竟“晶圆”长什么样子，切割晶圆又是怎么一回事，切割之后的芯片有哪些具体应用，这些可能对于大多数非专业人士来说并不是十分
2011-12-01 15:02:42
`各位大大:手头上有颗晶圆的log如下:能判断它的出处吗?非常感谢!!`
2013-08-26 13:45:30
求晶圆划片或晶圆分捡装盒合作加工厂联系方式：QQ:2691003439
2019-03-13 22:23:17
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
随着集成电路设计师将更复杂的功能嵌入更狭小的空间，异构集成包括器件的3D堆叠已成为混合与连接各种功能技术的一种更为实用且经济的方式。作为异构集成平台之一，高密度扇出型晶圆级封装技术正获得越来越多
2020-07-07 11:04:42
看到了晶圆切割的一个流程，但是用什么工具切割晶圆？求大虾指教啊 ？
2011-12-01 15:47:14
`什么是硅晶圆呢，硅晶圆就是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片。晶圆是制造IC的基本原料。硅晶圆和晶圆有区别吗？其实二者是一个概念。集成电路（IC）是指在一半导体基板上，利用氧化、蚀刻、扩散等方法
2011-12-02 14:30:44
结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低阻抗电流通路的沟槽，因此具有平面型结构的高耐压和沟槽型结构低电阻的特性。内建横向
2018-10-17 16:43:26
晶圆测温系统，晶圆测温热电偶，晶圆测温装置一、引言随着半导体技术的不断发展，晶圆制造工艺对温度控制的要求越来越高。热电偶作为一种常用的温度测量设备，在晶圆制造中具有重要的应用价值。本文
2023-06-30 14:57:40
1）更高集成的功率场效应管——沟槽结构器件2）沟槽型功率管参数的提升3）沟槽型功率管在工程实践中的运用
2010-06-28 08:39:27
22 全新高密度沟槽MOSFET（安森美）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:32
947 近日，中芯晶圆的首批8英寸（200mm）半导体硅抛光片顺利下线，自打下第一根桩，到第一批硅片产出，杭州中芯晶圆仅用了16个月的时间。
2019-07-04 17:42:333568 捷捷微电首批具有高浪涌防护能力的六英寸晶圆于 2022 年 3 月 26 日产出下线，良率高达 97.79%。
2022-03-31 16:17:592556 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
60 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HS
2023-02-14 19:22:520 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002HW
2023-02-15 18:43:580 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002KQB
2023-02-15 19:23:530 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2A
2023-02-17 19:19:450 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002NXBK
2023-02-20 19:44:550 20 V、4 A P 沟道沟槽 MOSFET-PMV32UP
2023-02-23 19:24:460 在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
20 V、2 A P 沟道沟槽 MOSFET-NX2301P
2023-02-27 18:36:240 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BSH205G2
2023-02-27 19:07:560 20 V，单个 N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB23XNE
2023-03-02 22:22:270 20 V，单个 N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB10XNE
2023-03-02 22:23:100 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB30XN
2023-03-02 22:24:160 20 V，互补沟槽 MOSFET-PMCPB5530X
2023-03-02 22:47:460 30 V、单 N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB370UNE
2023-03-02 22:48:350 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMXB43UNE
2023-03-02 22:51:030 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMV50XP
2023-03-02 22:52:300 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV30UN2
2023-03-02 22:53:330 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMN42XPEA
2023-03-02 22:56:290 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMN27XPEA
2023-03-02 22:56:450 20 V 双 P 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB85UPE
2023-03-02 22:57:370 30V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV450ENEA
2023-03-03 19:34:170 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV28UNEA
2023-03-03 19:34:280 60 V N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB40SNA
2023-03-03 20:08:232 沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023037 
SiC具有高效节能、稳定性好、工作频率高、能量密度高等优势，SiC沟槽MOSFET（UMOSFET）具有高温工作能力、低开关损耗、低导通损耗、快速开关速度等特点
2023-12-27 09:34:56475 
一汽弗迪电池项目再创行业里程碑！一汽弗迪首批成品电芯顺利下线。总投资135亿元人民币，占地80万平方米，总产能45GWh，每年可满足60万辆电动汽车的电池配置需求。
2024-01-02 16:37:47869
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