车规级半导体之争中,国产IGBT大厂抢占未来三年
新能源汽车电机驱动系统中电机控制器最广泛的解决方案是采用IGBT。多个IGBT芯片集成封装在一起,形成一个IGBT模块,具有更高的功率和更强的散热能力。
核芯互联发布16通道 24位,30KSPS高精度Sigma-...
核芯互联发布16通道 24位,30KSPS高精度Sigma-Delta ADC...
高精度、双通道、线性dB可变增益放大器AD605概述
AD605的每个独立通道均提供48 dB增益范围,并可针对应用优化增益范围。−14 dB至+34 dB与0 dB至+48 dB之间的增益范围可以通过引脚FBK与引脚OUT之间的单个电阻进行选择。
通用型高压带关断功能的单通道运算放大器——AXOP36061...
AXOP36061S特别对噪声和THD做了优化,使其具有105dB的THD+N 和105dB的SNR,提供绝佳的音质和极低的噪声。
英飞凌MA2304xN MERUS多级开关放大器产品概述
MA2304PNS为借助应用/连接处理器进行音频处理的系统提供更简单的音量控制和限制器。MA2304PNS能够提高电池续航能力并降低电池成本,因此非常适合电池供电的扬声器应用。
飞虹电子微型逆变器的全桥拓扑结构IGBT选择方案
因为全桥拓扑结构是微型逆变器中一种非常重要的电路结构,能够提高电路效率、改善输出波形、实现输出电压调节和增强电路的抗干扰能力,为微型逆变器的性能提升和应用拓展提供了有力支持。
未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元
全球SiC器件产能到2027年将增长两倍,排名前五的公司是:ST、英飞凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析师预测,未来五年SiC器件市场价值将达到60亿美元,并可能在2030年代初达到100亿美元。
浅谈国产化IGBT的未来前景
自2020年汽车缺芯以来,汽车芯片结构性缺芯愈发明显,IGBT一直处于紧缺状态。在2022年下半年,其甚至超越车用MCU,成为影响汽车扩产的最大掣肘。
东芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB
东芝在其新款IGBT中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mJ(典型值)[3]的低开关损耗(关断损耗),与东芝当前产品GT50JR22相比降低了大约42%[4]。
氮化硅陶瓷轴承——电驱时代轴承材料最优解
IGBT是新能源汽车电机控制系统的核心器件,约占电机驱动系统成本的一半,而电机驱动系统占整车成本的15-20%,也就是说IGBT占整车成本的7-10%,是除电池之外成本第二高的元件,IGBT的质量很大一部分也决定了整车的能源效率。
SiC的进化历程和多渠道优势介绍
功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一, 能够实现对电能的处理、转换及控制,主要包括功率二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET 等 产品。
低功耗、多通道生物电势测量模拟前端芯片AFE94x概述
该系列芯片包含AFE944/946/948/949四个型号,针对医疗诊断设备提供4通道、6通道、8通道集成的模拟前端(AFE)功能,可用于病人监护、便携式和高端心电图(ECG)、脑电图(EEG)及肌电图(EMG)设备。
SiC工艺特点核心装备发展现状及趋势
器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求, 比如要求大尺寸、高效率和高产能、低污染等。
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