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电子发烧友网>模拟技术>英飞凌碳化硅市占率剑指30%!

英飞凌碳化硅市占率剑指30%!

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2023-08-25 14:50:0421116

碳化硅是如何制造的?碳化硅的优点和应用

碳化硅,又称SiC,是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体,或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很多,但半导体级质量的碳化硅只是在过去几十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791

碳化硅逆变器是什么 功能介绍

等。这些特性使得碳化硅逆变器在电力电子领域具有广泛的应用前景,特别是在新能源、电动汽车、轨道交通等领域。碳化硅逆变器的工作原理是利用碳化硅半导体材料的高载流子迁移和低导通电阻特性,实现对电能的高效转换。具体
2024-01-10 13:55:542585

碳化硅特色工艺模块简介

碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点。由于这些优异的性能,碳化硅在电力电子、微波射频、光电子等领域具有广泛的应用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646

碳化硅产业链图谱

共读好书 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料,根据电阻不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片,制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管
2024-01-17 17:55:171411

英飞凌与Wolfspeed扩大碳化硅晶合作,满足市场需求

英飞凌和美国碳化硅制造商Wolfspeed近日共同发表声明,延长并扩大了已于2018年2月签订的150毫米碳化硅晶圆长期供应合同。该合作内容还包含了一份多年的产能预留协议。
2024-01-24 14:26:311151

英飞凌与Wolfspeed扩展并延长150mm碳化硅晶圆供应协议

英飞凌科技与Wolfspeed宣布,将扩展并延长他们最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过这次扩展,双方的合作新增了一项多年期产能预订协议。这一合作不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性,还能满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
2024-02-02 10:35:331272

碳化硅器件的类型及应用

碳化硅是一种广泛用于制造半导体器件的材料,具有比传统硅更高的电子漂移和热导率。这意味着碳化硅器件能够在更高的温度和电压下工作,同时保持稳定性和效率。
2024-04-16 11:54:501346

英飞凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板

半导体领域的创新者英飞凌科技近日发布了一款革命性的数字驱动评估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR,专为2kV碳化硅MOSFET模块设计。这款评估板为工程师们提供了一个快速、便捷的测试平台,以评估基于2kV碳化硅MOSFET样机的性能特性。
2024-05-11 11:33:451359

CoolSiC™ MOSFET G2助力英飞凌革新碳化硅市场

英飞凌凭借CoolSiCMOSFETG2技术,再度突破极限,实现更高效率、更低功耗,这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场,屹立于创新浪潮之巅。在过去三年,碳化硅市场经历了蓬勃发展,特别是在
2024-07-12 08:14:411152

英飞凌居林工厂扩建成全球最大碳化硅晶圆厂

英飞凌在2024财年第三季度财报电话会上,碳化硅与居林工厂成为焦点。会后,英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck即刻启程,前往马来西亚吉打州,参加一个具有里程碑意义的仪式——全球规模最大且效率领先的200毫米碳化硅功率半导体晶圆厂正式投入生产运营。
2024-08-26 09:50:33949

碳化硅在半导体中的作用

电导、高热导率、高抗辐射能力、高击穿电场和高饱和电子漂移速度等物理特性。这些特性使得碳化硅能够承受高温、高压、高频等苛刻环境,同时保持较高的电学性能。 二、碳化硅在半导体器件中的应用 功率器件 : 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352667

碳化硅何以英飞凌?—— SiC MOSFET性能评价的真相

碳化硅(SiC)技术的应用中,许多工程师对SiC的性能评价存在误解,尤其是关于“单位面积导通电阻(Rsp)”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章,本文将继续为您揭开这些误区
2025-04-30 18:21:20761

碳化硅晶圆特性及切割要点

的不同,碳化硅衬底可分为两类:一类是具有高电阻(电阻≥10^5Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,另一类是低电阻(电阻区间为15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底。02
2025-07-15 15:00:19961

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