中科院成功制备8英寸碳化硅衬底 近日中科院物理研究所在官网发文表示，科研人员通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出单一4H晶型的8英寸SiC晶体，加工出厚度
2022-05-07 00:55:00
4627 严重供不应求。增加产能的有效方法就是提高衬底尺寸，目前碳化硅衬底尺寸正在从6英寸往8英寸发展。 全球最大的碳化硅衬底供应商Wolfspeed，今年4月刚刚开始在全球首个8英寸碳化硅晶圆厂试产，预计今年年底可以向客户供货。8英寸
2022-09-07 07:56:003503 空间大 国内碳化硅产业近年来发展神速，首先是碳化硅衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距，另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在全球碳化硅产业中，无论是从市场需求，还是
2023-12-12 01:35:002680 %。 成本占比较高的原因，主要是碳化硅单晶材料的制备难度较大。硅由于存在液体形态，所以可以通过垂直拉伸来形成晶棒，但碳化硅本身属于化合物，无法直接熔融结晶成为晶体。换个说法就是碳化硅在常压下没有液体形态，只有气态和固态，达到
2024-01-21 07:48:004014 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）碳化硅产业当前主流的晶圆尺寸是6英寸，并正在大规模往8英寸发展，在最上游的晶体、衬底，业界已经具备大量产能，8英寸的碳化硅晶圆产线也开始逐渐落地，进入试产阶段。 让
2024-11-21 00:01:005497 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日，由西湖大学孵化的西湖仪器成功实现12英寸碳化硅衬底激光剥离自动化解决方案，大幅降低损耗，提升加工速度，推进了碳化硅行业的降本增效。 碳化硅产业当前主流的晶圆
2025-04-16 00:24:002850 替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介层，并最晚在2027年广泛应用。 碳化硅过去的主力市场是功率器件，但功率器件市场需求增速存在瓶颈，从6英寸到8英寸的进程花费时间较长，除了技术原因之外，市场需求也是其中的关键。 6英寸碳化硅衬底只能满足两副
2025-09-26 09:13:556424 电子发烧友网综合报道 ， 短短两天内，中国第三代半导体产业接连迎来重磅突破。12月23日，厦门瀚天天成宣布成功开发全球首款12英寸高质量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛机电 便官宣其自主研发
2025-12-28 09:55:37813 ，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。（图片来源：西安邮电大学官网）近年来，我国在氧化镓的制备上连续取得突破性进展，从去年的2英寸到6英寸，再到最新的8英寸，氧化镓制备技术越来越
2023-03-15 11:09:59
一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： (1)碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
更小、更轻，所以电池充电的续航里程更长。 碳化硅技术仍在不断发展，有望获得更好的性能。在下一代中，导通电阻将随着开关损耗进一步下降，额定电压将增加，片芯将进一步缩小，产量提高，从而降低成本。更多的变型
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。 2、SiCMOSFET 对于传统的MOSFET，它的导通状态电阻很大，开关损耗很大，额定工作结温低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
精细化，集成化方向发展。 在新技术驱动下，汽车电子行业迎来新一轮技术革命，行业整体升级。在汽车大量电子化的带动之下，车用电路板也会向上成长。车用电路板稳定订单和高毛利率的特点吸引诸多碳化硅基板从业者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近几年的快速发展 近几年来，低碳生活也是随之而来，随着太阳能产业的发展，作为光伏产业用的材料，碳化硅的销售市场也是十分火爆，许多磨料磨具业内人开始关注起碳化硅这个行业了。目前碳化硅制备技术非常
2019-07-04 04:20:22
的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用，如汽车制动器和离合器，以及嵌入防弹背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高温和/或高压环境中工作的半导体电子设备，如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
：Anode Metal 外延层：N- drift（轻掺杂），主要作用是承担反向耐压 衬底层：N+（重掺杂），呈电阻特性，不具备电压耐受能力 阴极金属：Cathode Metal 图（2）碳化硅
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37:34
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
电机驱动。碳化硅器件和碳化硅模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、电动汽车、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
技术需求的双重作用，导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。这个需求宽带隙（WBG）技术器件应运而生，如碳化硅场效应管（SiC MOSFET） 。它们能够提供设计人
2023-03-14 14:05:02
家族中的新成员。 相较于前两代二极管，基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管在沿用6英寸晶圆工艺基础上，实现了更高的电流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向导通压降。 基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承
2023-02-28 17:13:35
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系统中应用，需要给碳化硅MOSFET匹配合适的驱动。 接下来介绍基本半导体碳化硅MOSFET及驱动产品 基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低
2023-02-27 16:03:36
箱式电阻炉结构特点箱式电阻炉产品特点箱式电炉使用方法箱式电阻炉寿命
2021-03-29 07:14:48
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
高温电阻炉的原理高温电阻炉的用途
2021-03-17 06:04:14
黑碳化硅基础知识
黑碳化硅是以石英砂,石油焦为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦为主要原料，通过电阻
2009-11-17 09:37:271048 金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等
2018-01-03 09:48:4821689 碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了。
2019-10-24 10:36:384460 
据中央纪委国家监委网报道，目前，中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。 此外，中电科
2020-06-09 18:58:422884 国投创业官方消息显示，第三代半导体碳化硅单晶衬底企业河北同光晶体有限公司（简称“同光晶体”）完成A轮融资，投资方包括：国投创业等。本轮融资助力同光晶体实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。
2020-12-03 11:05:153796 最近晶盛机电宣布，公司成功生产出行业领先的8英寸碳化硅晶体。翻看公司公告，在8月12日晶盛机电首颗8英寸N型碳化硅晶体就已经成功出炉，表示成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题。
2022-09-07 09:29:443278 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N
2023-02-02 14:50:023904 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，根据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占据了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 碳化硅（SiC）是第三代化合物半导体材料。半导体材料可用于制造芯片，这是半导体行业的基石。碳化硅是通过在电阻炉中高温熔化石英砂，石油焦，锯末等原材料而制造的。
2023-02-02 16:23:4430593 特斯拉碳化硅技术怎么样？特斯拉碳化硅技术成熟吗？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高压、耐高温等优点，碳化硅技术能够帮助电动汽车实现快速充电，增加续航；这个特性使得众多的车企把目光投注过来。 我们
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:355708 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-05 16:34:592272 碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了
2023-02-07 17:35:462893 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。
2023-02-12 16:05:283228 碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
2023-02-12 17:05:565677 电机碳化硅技术是一种利用碳化硅材料制作电机的技术，它是利用碳化硅材料的特性，如高热导率、高电阻率、低摩擦系数等，来提高电机的效率、耐久性和可靠性，从而降低电机的成本。
2023-02-16 17:54:007613 碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。
2023-02-17 16:30:237495 碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:486511 
从实际情况上看，目前多数SiC都采用的4英寸、6英寸晶圆进行生产，而6英寸和8英寸的可用面积大约相差1.78倍，这也就意味着8英寸制造将会在很大程度上降低SiC的应用成本。但为什么目前市场上主流还是6英寸碳化硅衬底？
2023-06-20 15:01:243321 
随着新能源汽车、光伏和储能等市场的快速发展，国内的碳化硅产业正迅速进入商业化阶段。国际功率半导体巨头对该产业表达了浓厚的兴趣，并与国内企业合作，积极追赶更先进的8英寸工艺节点。
2023-07-10 15:21:242655 碳化硅衬底是碳化硅产业链中成本最高、技术门槛最高的环节之一。近期，受到新能源汽车、光伏和储能等市场的推动，碳化硅厂商纷纷投资建设8英寸晶圆生产线，。国内外厂商如Wolfspeed、罗姆、英飞凌、意法半导体、三星和三菱电机等都宣布参与8英寸碳化硅生产的竞争。
2023-07-14 16:22:581831 采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:314324 
前来看，在未来一段时间内，6英寸导电型产品将作为主流尺寸，但随着技术的进步、基于成本和下游应用领域等因素考虑，8英寸导电型碳化硅产品将是碳化硅衬底行业的发展趋势。最终的周期将取决于技术的进度、下游市场的发展情况等多方面因素。
2023-09-12 09:27:35598 2023年9月，科友半导体自产首批8英寸碳化硅衬底成功下线。
2023-10-18 09:17:461174 业内人士预测，今年将成为8英寸碳化硅器件的元年。国际功率半导体巨头Wolfspeed和意法半导体等公司正在加速推进8英寸碳化硅技术。在国内市场方面，碳化硅设备、衬底和外延领域也有突破性进展，多家行业龙头选择与国际功率半导体巨头合作。
2023-10-24 17:11:212166 环球晶董事长徐秀兰10月26日表示，她2年前错估了客户对8英寸碳化硅（SiC）需求，现在情况超出预期，她强调环球晶将加快8英寸碳化硅基板产能建设，预估明年将送样给需要8英寸基板的客户进行认证，并于2025年量产。
2023-10-27 15:07:431115 当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:081964 
材料的生长和加工难度较大，其特色工艺模块的研究和应用成为了当前碳化硅产业发展的关键。 碳化硅特色工艺模块主要包括以下几个方面： 注入掺杂 在碳化硅中，碳硅键能较高，杂质原子难以在其中扩散。因此，在制备碳化硅器件时
2024-01-11 17:33:141646 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:311666 聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:291418 1：什么是碳化硅 碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能
2024-04-01 10:09:013140 
2024年3月27日，科友半导体与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展“八英寸碳化硅完美籽晶”的项目合作。
2024-04-07 11:29:501259 近日，芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批已顺利下线，这一里程碑事件标志着芯联集成成为国内首家成功开启8英寸碳化硅晶圆生产的厂家。此项技术的突破不仅体现了芯联集成在碳化硅领域的领先实力，也展示了其对推动行业技术发展的坚定决心。
2024-05-27 10:57:491312 5月27日，中国半导体制造领域迎来里程碑式的事件——芯联集成宣布其8英寸碳化硅工程批次成功下线，这一成就标志着国产8英寸碳化硅晶圆的生产正式迈入国产化阶段。此项目总投资高达9.61亿元，预计全面投产
2024-05-30 11:24:522315 
碳化硅晶圆市场。在江西万年芯看来，这一趋势预示着半导体行业即将迎来新一轮的技术革新和市场扩张。“8英寸”扩大产能据权威预测，到2029年SiC市场容量将达到100
2024-08-16 16:48:361306 
10月26日，晶升股份凭借其在碳化硅领域的创新技术引起了市场关注。据“证券时报”报道，晶升股份已成功研发出可视化的8英寸电阻法SiC单晶炉，该设备能将碳化硅晶体的生长过程变得透明化，使得晶体良率得以提升超过20%，并已顺利通过客户端验证。
2024-10-29 11:13:331513 ，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。它具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点，这些特性使得碳化硅成为制作高温、高
2024-11-29 09:30:051573 随着碳化硅（SiC）材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用，高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸，其外延生长室的结构设计
2024-12-31 15:04:18398 
近日，晶驰机电开发的8英寸碳化硅（SiC）电阻式长晶炉顺利通过客户验证，设备稳定性和工艺稳定性均满足客户需求。 8英寸碳化硅晶验收晶锭 技术创新，引领未来 此次推出的8英寸碳化硅电阻式长晶炉
2025-01-09 11:25:33891 
9月8日消息，中国科学院半导体研究所旗下的科技成果转化企业，于近日在碳化硅晶圆加工技术领域取得了重大突破。该企业凭借自主研发的激光剥离设备，成功完成了12英寸碳化硅晶圆的剥离操作。这一成果不仅填补
2025-09-10 09:12:481432 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）英飞凌在8月8日宣布，其位于马来西亚的新工厂一期项目正式启动运营，这是一座高效的8英寸碳化硅功率半导体晶圆厂，一期项目投资额高达20亿欧元，重点生产碳化硅功率半导体
2024-08-12 09:10:335264
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