浅谈氮化镓晶格匹配的GaON纳米层的形成机理
氮化镓（GaN）是极具潜力的第三代半导体，广泛应用于功率器件、射频器件及光电器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻碍GaN基器件发展的关键限制，特别是在器件稳定性和可靠性方面。
国内砷化镓2023年将迎来黄金机遇
占据强势地位的IDM公司，比如Qorvo和Skyworks，持续丢失中国国内和三星的射频前端份额，必然会导致这类美系IDM公司缩小砷化镓晶圆厂产出规模。
Microchip投资8.8亿美元扩大碳化硅(SiC)和硅(...
凭借对碳化硅超过二十年的投资，Microchip 的产品组合旨在为我们的客户提供创新的电源解决方案。
SiC器件的大功率充电桩将迎来巨大市场机会
公开资料显示，充电模块是充电桩的核心零部件，约占充电桩总成本的50%；其中，半导体功率器件又占到充电模块成本的30%，即半导体功率模块约占充电桩成本15%，将成为充电桩市场发展过程中的主要受益链条。
功率半导体市场的状况 增长势头过于强劲
氮化镓 (GaN) 的情况略有不同。这种材料的卖点之一是它可以在硅晶圆上作为外延生长，因此不需要 GaN 晶圆。该行业的许多公司目前都是无晶圆厂，这在一定程度上依赖代工厂，但进入门槛相对较低。
低噪声功率放大器PA441、PA443特性分析
作为第四次产品迭代，PA44X系列基于PA34X产品系列（不再支持）提供下一代性能。这些新的IC设计利用了特殊高压工艺的改进，使信号噪声降低了惊人的96%，偏移电压也提高了2倍。
GaN价格及市场规模的发展趋势
根据行家说 Research 数据显示，2021年，全球GaN 功率器件营收规模约为 1.66 亿美元，其中消费类电子市场为0.95亿美元，通信与数据中心市场为 0.32 亿美元，工业市场为 0.09 亿美元，汽车市场约为 500 万美元。
浅谈碳化硅器件对充电桩的的作用分析
电动汽车发展正步入高速增长阶段。2023年开年，行业研究机构伊维经济研究院发布数据称，2022年，全球新能源汽车销量达到1082.4万辆，同比增长61.6%。其中，全球汽车销量的主要贡献来自中国。
SiC（碳化硅）元件推动电动车新走向
第一代半导体材料大部分为目前广泛使用的高纯度硅；第二代化合物半导体材料包括砷化镓、磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表。
浅谈功率半导体市场的状况，增长势头过于强劲
Hanebeck曾提到英飞凌准备斥资数十亿欧元进行收购。整合是我们在过去几年中观察到的市场增长趋势。特别是在宽带隙半导体材料供应方面，特别是碳化硅 (SiC)。
英飞凌与Resonac签署多年期碳化硅材料供应协议
英飞凌科技持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。
Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (...
产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120 系列，共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
赛晶打造精品国产IGBT模块，国产代替进口的进程加速
1700V是IGBT的主流电压等级之一，广泛应用于风力发电、无功补偿（SVG）、智能电网，以及中高压变频器等领域。
如何加快碳化硅功率器件“上车”
据柏松介绍，中国电子科技集团2021年已经量产车载充电器用的碳化硅功率器件，2022年第二代产品的装车量超过100万台。
氮化镓是什么半导体材料 氮化镓充电器的优缺点
氮化镓属于第三代半导体材料，相对硅而言，氮化镓间隙更宽，导电性更好，将普通充电器替换为氮化镓充电器，充电的效率更高。
浅谈氮化镓半导体产业链和相关企业
氮化镓是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于所谓宽禁带半导体之列。它是微波功率晶体管的优良材料，也是蓝色光发光器件中的一种具有重要应用价值的半导体。
碳化硅芯片正成为车企争相绑定的“宠儿
纵观整个SiC芯片市场，主要的碳化硅芯片制造商包括英飞凌、安森美、罗姆、意法半导体（STM）和Wolfspeed，无疑，这些SiC芯片供应商正成为车企争相绑定的“宠儿”。
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