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电子发烧友网>模拟技术>英飞凌会去美国建SiC厂吗?

英飞凌会去美国建SiC厂吗?

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2023-05-05 10:31:31518

SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗?

众所周知,“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT(例如TRENCHSTOP系列)和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代,市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”,就不会干别的了吗?非也。因为SiC材料独有的特性,Si
2023-01-12 14:34:01630

英飞凌SiC MOS需要负压吗

IPAC|2023年度英飞凌碳化硅直播季第一场直播于5月23日顺利结束。直播中英飞凌的三位工程师孙辉波、赵佳、郝欣与大家探讨了CoolSiC沟槽栅MOSFET的设计理念、高性能封装互联方案.XT
2023-07-31 17:30:06847

追加400亿!英飞凌又要扩产了!

据“行家说三代半”此前报道,2022年2月,英飞凌宣布将投资超过20亿欧元(合计约144亿人民币)扩大SiC 和 GaN半导体的产能,他们将在其马来西亚居林工厂建造第三个厂区。
2023-08-04 14:59:26517

英飞凌将在马来西亚建新厂,与意法正面硬钢

8月11日报导显示,碳化硅(SiC)半导体领域竞争升级,英飞凌(Infineon)宣布将在马来西亚兴建全球最大的8英寸SiC晶圆厂,为长期合约订单背书,此举颇有跟不久前才宣布在重庆建8英寸
2023-08-11 16:16:47341

英飞凌如何控制基于SiC功率半导体器件的可靠性呢?

英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687

SiC产业链与SiC战略初探

。从Wolfspeed 计划在德国建设全球最大的 SiC 工厂,到三菱计划在日本建设8 英寸 SiC 晶圆厂,这些项目不仅涉及气候变化,还涉及缓和全球紧张局势和保障芯片供应。 我们在美国政府为其国内芯片制造提供的 527 亿美元补贴计划中看到了这一点,作为其“芯
2023-10-16 18:38:22406

车规级功率模块封装的现状,SiC MOSFET对器件封装的技术需求

1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求 2、车规级功率模块封装的现状 3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装 4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419

浅谈英飞凌的碳化硅SiC战略

在汽车和可再生能源领域,英飞凌已经获得了重大的设计胜利,相关客户的约10亿欧元的预付款将有望在2024年和2025年的财政年度为其自由现金流做出贡献。英飞凌已经从6家原始设备制造商(OEMs)和5家主要客户那里获得了总计约50亿欧元的设计胜利。
2023-11-27 10:25:06183

英飞凌零碳工业功率事业部:做更可靠的SiC解决方案提供商

,GreenIndustrialPower)事业部,也可以看出英飞凌继续加码绿色能源市场的决心和信心。SiC作为英飞凌减碳事业的关键产品,一直以来英飞凌SiC产品在多个关键应用市场推进付出了诸多
2024-01-10 08:13:51152

20+个汽车设计定点!该SiC企业再签供应商

2023年5月,英飞凌与天科合达签订了长期协议,以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。天科合达主要为英飞凌供6英寸的碳化硅衬底,同时还将提供8英寸碳化硅材料,助力英飞凌向8英寸SiC晶圆的过渡。
2024-01-11 16:38:33388

英飞凌与碳化硅供应商SK Siltron CSS达成协议

英飞凌与韩国SK Siltron子企业SK Siltron CSS最近达成了一项重要协议。根据该协议,SK Siltron CSS将为英飞凌提供6英寸碳化硅(SiC)晶圆,以支持英飞凌SiC半导体生产方面的需求。
2024-01-17 14:08:35228

英飞凌再添一家SiC晶圆供应商

近日,英飞凌SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式签署了一项协议。
2024-01-19 10:00:07218

英飞凌与Wolfspeed扩大并延长晶圆供应协议

英飞凌科技(Infineon Technologies)与美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布,双方将扩大并延长现有的晶圆供应协议。这一协议的扩展将进一步加强英飞凌与Wolfspeed之间的合作关系,以满足市场对碳化硅(SiC)晶圆产品日益增长的需求。
2024-01-24 17:19:52441

英飞凌与Wolfspeed延长硅碳化(SiC)晶圆供应协议

英飞凌技术公司与美国北卡罗来纳州达勒姆市的Wolfspeed公司 — 一家专门生产碳化硅(SiC)材料和功率半导体器件的制造商 — 已经扩大并延长了他们的现有长期150毫米碳化硅(SiC)晶圆供应
2024-01-30 17:06:00180

英飞凌发布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装,规格为12-100mΩ,旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00382

英飞凌联手安克创新与盛弘电气,加速SiC与GaN技术应用

近期,英飞凌科技公司宣布与安克创新和盛弘电气两大知名厂商达成合作,共同推动SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)技术在各领域的应用。这些合作将进一步提升功率半导体器件的效率和性能,为行业带来更多的创新和价值。
2024-02-02 15:06:34304

英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术

英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36134

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