NAND闪存的应用中的磨损均衡
在NAND闪存的应用中，程序/擦除周期存在一个限制，称为“P/E周期”。在NAND闪存中，当每个块的P/E周期达到最大值时，这些块将变得不可工作，需要一个备用块来替换它。当这些备用块用完时，此NAND闪存将无法再使用。因此，如果只写入和擦除某些块，这些特定块的P/E周期将被迅速消耗，备用块将很快耗尽，导致NAND闪存提前失效。
有三种类型的磨损均衡：动态、静态和全局。动态磨损均衡仅处理可用空间，并确保写入行为仅发生在同一空间中擦除计数较低的块中。静态磨损均衡考虑了整个闪存芯片，包括已写入的空白区域和块。此技术将数据从擦除次数较少的块移动到其他块，以便可以将写入时间较短的块留给将来使用。最后，还有全局磨损均衡，其中与静态磨损均衡的最大区别在于其范围扩展到整个设备，而静态磨损均衡仅适用于单个闪存芯片。这可确保写入行为发生在整个设备中写入频率较低的块中。
NAND 闪存控制器的供应商在开发时必须考虑 NAND 的此功能。因此，磨损均衡旨在允许NAND闪存在整个模块使用过程中均匀分布，以便所有模块的市盈率在相同数据下上升。该技术允许在产品达到其生命周期之前彻底使用所有模块，从而延长了NAND闪存的使用寿命。因此，磨损均衡技术可以提高NAND闪存产品的可靠性和耐用性。
审核编辑：郭婷
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1916浏览量
117462 -
NAND
+关注
关注
16文章
1765浏览量
141289
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
3D NAND中的Channel Hole工艺介绍
Channel Hole（沟道通孔）是3D NAND闪存制造中的核心工艺步骤。它是指在垂直堆叠的多层栅极或介质层中，刻蚀出贯穿整个堆叠结构的细长通孔。这些通孔从顶层延伸至底层，垂直于晶
EZ-USB® NX2LP-Flex™：灵活的USB NAND闪存控制器深度剖析
EZ-USB® NX2LP-Flex™：灵活的USB NAND闪存控制器深度剖析 在当今数字化的时代，USB技术的发展日新月异，对于USB闪存控制器的需求也越来越高。Cypress的EZ-USB
从NOR Flash 到 NAND Flash 和SD NAND，从底层结构到应用差异
更大、价格更低，却需要 ECC、垃圾回收、磨损均衡等复杂
机制？
为什么写入小数据时 NAND 会变慢甚至卡顿？
为什么 NAND 需要坏块管理，而 NOR 不需要？
发表于 03-05 18:23
SD卡读写均衡失效问题分析
一、读写均衡失效引发的核心问题 读写均衡（磨损均衡，Wear Leveling）是SD卡固件通过算法将数据均匀分配到闪存芯片各单元，避免局部
从NOR Flash到NAND Flash和SD NAND，从底层结构到应用差异
更大、价格更低，却需要 ECC、垃圾回收、磨损均衡等复杂
机制？
为什么写入小数据时 NAND 会变慢甚至卡顿？
为什么 NAND 需要坏块管理，而 NOR 不需要？
发表于 12-08 17:54
一文秒懂XTX SD NAND
：原理、性能与应用 随着消费电子、工业控制、汽车电子和安防监控等领域对高密度、低成本存储需求的不断攀升，SD NAND闪存因其体积小、集成度高、易于部署的特点，成为SD卡（SD、SDHC、SDXC等
芯天下的Parallel NAND
一、并行NAND闪存的基本概念 并行NAND闪存（Parallel NAND）是一种通过多条数据线同时传输多位数据的非易失性存储芯片。不同于
SD NAND vs SPI NAND：嵌入式存储的精装房和毛坯房之争
、成本、开发周期，甚至最终的用户体验。 今天我们来聊聊两种在嵌入式设备中常见的 NAND 闪存技术： SD NAND 和 SPI NAND 。这两者虽然都属于
NAND Flash的基本原理和结构
NAND Flash是什么？NAND Flash（闪存）是一种非易失性存储器技术，主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在断电后仍能保存数据。它通过电荷
NAND闪存芯片功能与应用分析
NAND闪存芯片是一种非易失性存储技术，广泛应用于现代电子设备中。以下是其核心功能、特点和应用场景的详细分析： 1. 核心功能 数据存储：以电信号形式长期保存数据，断电后数据不丢失。 快速读写：支持
什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash
处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存
发表于 07-03 14:33
评论