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电子发烧友网>控制/MCU>慧荣科技宣布新型控制器现支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND闪存

慧荣科技宣布新型控制器现支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND闪存

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长江储存宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片产品已研发成功

长江储存在官网宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片产品研发成功,型号为X2-6070,并且目前该芯片已经在多家控制器厂商的SSD等终端储存产品上通过验证。
2020-04-19 10:14:062793

长江存储的技术创新,128层3D NAND闪存芯片问世

长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)在官网宣布128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2-6070研发成功,已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
2020-05-04 10:39:002648

长江存储首发128层QLC闪存

长江存储科技有限责任公司宣布128层QLC 3D NAND闪存(型号:X2-6070)研发成功。同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),用以满足不同应用场景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND

全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌慧荣科技(Silicon Motion Technology Corporation,NASDAQ:SIMO)宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储
2020-09-11 11:12:161889

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2020-09-11 11:12:191922

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2020-09-11 11:12:341883

芯片巨头美光宣布向客户交付176层闪存

芯片巨头美光11月10日正式宣布,将向客户交付176层TLC NAND闪存。 这使得美光成为全球第一家量产176层TLC NAND闪存的芯片商。 176层NAND支持的接口速度为 1600MT
2020-11-13 14:25:131552

特斯拉在中国官网正式上架售卖128GB U盘

特斯拉在中国官网上架128GB U盘。
2020-11-27 09:35:204103

SK海力士发布多堆栈176层4D闪存,采用TLC

继美光后,SK海力士宣布完成了业内首款多堆栈176层4D闪存的研发,容量512Gb(64GB),TLC
2020-12-07 13:44:091665

SK海力士发布176层TLC 4D NAND闪存

根据外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。 SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术
2020-12-07 16:16:232416

回收宝宣布iPhone 12 128GB版直降700元

12月17日,电子产品回收平台回收宝宣布,回收宝iPhone 12 128GB版直降700元,该版本在官网的售价为6799元,在回收宝的补贴价为6099元。并且“不限量、不缺货、不砍单”!感兴趣的朋友可以留意一下。
2020-12-18 10:54:141797

EE-344:在Blackfin处理器上使用NAND闪存控制器

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2021-04-13 08:02:427

在Blackfin处理器上使用NAND闪存控制器的EE-344

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2021-06-16 20:17:088

Arasan推出NAND闪存全IP解决方案

NAND闪存控制器IP支持以前所未有的速度轻松可靠地访问片外NAND闪存器件。更新后的控制器能以各种速度支持所有ONFI规范模式。
2021-08-05 15:30:561299

NAND 闪存满足内存控制器要求

内存控制器的未来与它们控制的内存有着不可逆转的联系。同样,它们受摩尔定律的约束。虽然存储类存储器 (SCM) 可能会因新架构而获得关注,但存储器控制器市场仍然很大程度上受 NAND 闪存的支配
2022-07-20 10:35:27694

存储背后的大脑:NAND 闪存控制器实际上是做什么的?

存储背后的大脑:NAND 闪存控制器实际上是做什么的?   围绕在基于 NAND 闪存的存储系统的讨论变得很混乱。通常 , 当人们讨论存储时 , 只会谈论 NAND 闪存 , 而忽略了控制器这一独立
2022-09-05 14:42:551452

NAND闪存控制器有什么优势

围绕基于NAND闪存的存储系统的对话已经变得混乱。通常,当人们讨论存储时,他们只谈论NAND闪存,而忽略了单独的,但同样重要的组件,即控制器。但是为什么需要控制器呢?简单地说,没有它,一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863

基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%

基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,采用了232层3D TLC NAND闪存;速度提升很大,可以达到最高
2023-07-19 19:02:21864

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